RU2015150399A - Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей пленки на кварцевой подложке - Google Patents
Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей пленки на кварцевой подложке Download PDFInfo
- Publication number
- RU2015150399A RU2015150399A RU2015150399A RU2015150399A RU2015150399A RU 2015150399 A RU2015150399 A RU 2015150399A RU 2015150399 A RU2015150399 A RU 2015150399A RU 2015150399 A RU2015150399 A RU 2015150399A RU 2015150399 A RU2015150399 A RU 2015150399A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- thick
- deposition
- thickness
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0521—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by pulsed laser deposition, e.g. laser sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B1/00—Nanostructures formed by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
- H10N60/0632—Intermediate layers, e.g. for growth control
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Claims (7)
1. Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей пленки на аморфной кварцевой подложке, включающий нанесение на предварительно очищенную поверхность подложки трехслойного покрытия, при этом первый слой покрытия формируют из кварца толщиной 100-400 нм методом магнетронного распыления, второй слой формируют из диоксида циркония, стабилизированного иттрием толщиной 100-300 нм, третий - из диоксида церия толщиной 150-350 нм.
2. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что предварительную очистку поверхности подложки осуществляют посредством погружения подложки в емкость с ацетоном на 10-12 мин, затем подложку помещают в сосуд с изопропиловым спиртом до момента высыхания ацетона (как можно быстрее), при этом очистку поверхности подложки проводят в емкости с изопропиловым спиртом в ультразвуковой ванне в течение 10-12 мин, после чего подложку сушат азотом в течение 10-15 с.
3. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что первый слой толщиной 100-400 нм формируют методом радиочастотного магнетронного распыления при использовании следующих значений параметров: мощности - 230-235 Вт, давлении Ar 5-5,2⋅10-2 Торр, температуре подложки - 500-520°С, скорости осаждения - 0,4-1 нм/с, длительности осаждения материала слоя - 400-410 с, расстоянии от образца до мишени - 12-12,5 см.
4. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что второй слой толщиной 100-300 нм формируют методом импульсного лазерного осаждения с использованием эксимерного лазера на газовой смеси KrF в соответствии со следующим режимом: температура подложки - 750-760°С, плотность энергии лазера - 1,89-1,9 Дж/см2, число импульсов - 1950-2000, частота импульсов - 5 Гц, длительность осаждения - 6 мин 30 с - 6 мин 40 с, расстояние от мишени до образца - 4,9-5 см, давление в камере - 1⋅10-4-1,1⋅10-4 мБар.
5. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что третий слой толщиной 150-350 нм формируют методом импульсного лазерного осаждения с использованием эксимерного лазера на газовой смеси KrF в атмосфере кислорода без разрыва вакуума, в соответствии со следующим режимом: температура подложки - 720-730°С, плотность энергии лазера - 1,89-1,9 Дж/см2, число импульсов - 5950-6000, частота импульсов - 10 Гц, длительность осаждения - 10 мин - 10 мин 20 сек, расстояние от мишени до образца - 4,9-5 см, давление кислорода - 0,7-0,71 мБар.
6. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что после нанесения трехслойного покрытия, осуществляют кислородный отжиг при давлении кислорода 800-810 мБар в течение 50-60 мин.
7. Высокотемпературное сверхпроводящее покрытие, сформированное на аморфной кварцевой подложке, включающее три слоя, первый из которых выполнен из кварца толщиной 100-400 нм, и размещен непосредственно на поверхности кварцевой подложки, второй слой размещен на первом слое и сформирован из диоксида циркония, стабилизированного иттрием толщиной 100-300 нм, третий слой, размещенный на втором слое, выполнен из диоксида церия толщиной 150-350 нм.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015150399A RU2629136C2 (ru) | 2015-11-25 | 2015-11-25 | Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей пленки на кварцевой подложке |
| PCT/RU2016/050044 WO2017091112A2 (ru) | 2015-11-25 | 2016-09-30 | Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей пленки на кварцевой подложке |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015150399A RU2629136C2 (ru) | 2015-11-25 | 2015-11-25 | Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей пленки на кварцевой подложке |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2015150399A true RU2015150399A (ru) | 2017-05-31 |
| RU2629136C2 RU2629136C2 (ru) | 2017-08-24 |
Family
ID=58763608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015150399A RU2629136C2 (ru) | 2015-11-25 | 2015-11-25 | Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей пленки на кварцевой подложке |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2629136C2 (ru) |
| WO (1) | WO2017091112A2 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110866575B (zh) * | 2019-11-04 | 2020-11-17 | 西安交通大学 | 一种基于磁畴编程的信息加密承载方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7012275B2 (en) * | 2004-02-17 | 2006-03-14 | The University Of Chicago | Method for fabrication of high temperature superconductors |
| JP4690246B2 (ja) * | 2006-05-19 | 2011-06-01 | 住友電気工業株式会社 | 超電導薄膜材料およびその製造方法 |
| US8664163B2 (en) * | 2009-01-15 | 2014-03-04 | Ramot At Tel-Aviv University Ltd. | High temperature superconductive films and methods of making them |
| RU2387050C1 (ru) * | 2009-01-28 | 2010-04-20 | Фатима Христофоровна Чибирова | Способ получения многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала и многослойный высокотемпературный сверхпроводящий материал |
| RU2518505C1 (ru) * | 2012-11-26 | 2014-06-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "НАНОЭЛЕКТРО" | Ленточный втсп-провод |
-
2015
- 2015-11-25 RU RU2015150399A patent/RU2629136C2/ru active
-
2016
- 2016-09-30 WO PCT/RU2016/050044 patent/WO2017091112A2/ru not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2629136C2 (ru) | 2017-08-24 |
| WO2017091112A2 (ru) | 2017-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2018107396A (ru) | Слои для минимизации влияния дефектов в электрохромных устройствах | |
| ES2538791T3 (es) | Procedimiento no electrolítico de metalización en línea de sustratos por proyección con tratamiento previo de la superficie y dispositivo para la implementación del procedimiento | |
| WO2011008456A3 (en) | Methods of forming oxide layers on substrates | |
| JP2014045200A5 (ru) | ||
| WO2012092301A3 (en) | Method and apparatus for masking substrates for deposition | |
| WO2009016795A1 (ja) | 貼り合わせウエーハの製造方法 | |
| SG169306A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, cleaning method, and substrate processing apparatus | |
| WO2009094275A3 (en) | Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber | |
| WO2012145148A3 (en) | Low temperature silicon oxide conversion | |
| JP2013229608A5 (ru) | ||
| EA201390169A1 (ru) | Способ получения материала, содержащего основу, снабженную покрытием | |
| RU2008117189A (ru) | Способ нанесения покрытия на покрытую карбидом кремния подложку | |
| JP2011523784A5 (ru) | ||
| JP2011222493A5 (ja) | 蓄電装置の作製方法 | |
| DE602005013487D1 (de) | Selbstreinigungs-beleuchtungsvorrichtung | |
| WO2012116259A3 (en) | Dry chemical cleaning for gate stack preparation | |
| TW201130042A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| JP2013038404A5 (ru) | ||
| JP2010016356A5 (ru) | ||
| JP2011119246A5 (ja) | 発光装置の作製方法、および発光装置 | |
| ES2542252R1 (es) | Procedimiento para la preparación de una capa o multicapa barrera y/o dieléctrica sobre un sustrato y dispositivo para su realización | |
| WO2021039838A1 (ja) | ガス孔をもつ半導体製造装置部品の洗浄方法 | |
| JP2020502803A5 (ru) | ||
| TW200847422A (en) | Method of cleaning a patterning device, method of depositing a layer system on a substrate, system for cleaning a patterning device, and coating system for depositing a layer system on a substrate | |
| RU2015150399A (ru) | Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей пленки на кварцевой подложке |