Claims (1)
Мультидифференциальный операционный усилитель, содержащий первый входной биполярный транзистор, база которого соединена с первым входом устройства, первый входной полевой транзистор с управляющим р-n переходом, затвор которого соединен со вторым входом устройства, исток связан с эмиттером первого входного биполярного транзистора, а сток соединен со входом первого токового зеркала, согласованного с первой шиной источника питания, второй входной биполярный транзистор, база которого соединена с третьим входом устройства, а коллектор подключен ко входу второго токового зеркала, согласованного со второй шиной источника питания, второй входной полевой транзистор с управляющим р-n переходом, затвор которого соединен с четвертым входом устройства, а исток связан с эмиттером второго входного биполярного транзистора, причем токовые выходы первого и второго токовых зеркал подключены к токовому выходу устройства, отличающийся тем, что коллектор первого входного биполярного транзистора соединен со входом первого дополнительного токового зеркала, согласованного со второй шиной источника питания, выход которого подключен ко входу первого токового зеркала, а сток второго входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом соединен со входом второго дополнительного токового зеркала, согласованного с первой шиной источника питания, токовый выход которого соединен со входом второго токового зеркала.A multidifferential operational amplifier containing a first input bipolar transistor, the base of which is connected to the first input of the device, a first input field effect transistor with a pn junction, the gate of which is connected to the second input of the device, the source is connected to the emitter of the first input bipolar transistor, and the drain is connected to the input of the first current mirror, matched with the first bus of the power source, the second input bipolar transistor, the base of which is connected to the third input of the device, and the collector the second input field-effect transistor with the control pn junction, the gate of which is connected to the fourth input of the device, and the source is connected to the emitter of the second input bipolar transistor, the current outputs of the first and second current mirrors are connected to the current output of the device, characterized in that the collector of the first input bipolar transistor is connected to the input of the first additional current mirror, matched with the second bus a second power source, the output of which is connected to the input of the first current mirror, and the drain of the second input field-effect transistor with a pn junction is connected to the input of the second additional current mirror, matched with the first bus of the power source, the current output of which is connected to the input of the second current mirror.