RU2014101079A - Light thyristor - Google Patents

Light thyristor Download PDF

Info

Publication number
RU2014101079A
RU2014101079A RU2014101079/28A RU2014101079A RU2014101079A RU 2014101079 A RU2014101079 A RU 2014101079A RU 2014101079/28 A RU2014101079/28 A RU 2014101079/28A RU 2014101079 A RU2014101079 A RU 2014101079A RU 2014101079 A RU2014101079 A RU 2014101079A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
thyristor
light thyristor
transitions
radiating
junction
Prior art date
Application number
RU2014101079/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2562744C2 (en
Inventor
Тагир Абдурашидович Исмаилов
Хаджимурат Магомедович Гаджиев
Солтанат Магомедовна Гаджиева
Дмитрий Алексеевич Челушкин
Татьяна Алексеевна Челушкина
Original Assignee
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет" filed Critical федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет"
Priority to RU2014101079/28A priority Critical patent/RU2562744C2/en
Publication of RU2014101079A publication Critical patent/RU2014101079A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2562744C2 publication Critical patent/RU2562744C2/en

Links

Landscapes

  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

Светотиристор, выполненный в виде полупроводникового прибора, отличающийся тем, что в отличие от обычного светотранзистора с одним излучающим p-n-переходом в светотиристоре два перехода являются излучающими, а один переход поглощает тепловую энергию.A thyristor made in the form of a semiconductor device, characterized in that, in contrast to a conventional light transistor with one emitting pn junction in a thyristor, two transitions are radiating, and one transition absorbs thermal energy.

Claims (1)

Светотиристор, выполненный в виде полупроводникового прибора, отличающийся тем, что в отличие от обычного светотранзистора с одним излучающим p-n-переходом в светотиристоре два перехода являются излучающими, а один переход поглощает тепловую энергию. A thyristor made in the form of a semiconductor device, characterized in that, in contrast to a conventional light transistor with one emitting pn junction in a thyristor, two transitions are radiating, and one transition absorbs thermal energy.
RU2014101079/28A 2014-01-14 2014-01-14 Light thyristor RU2562744C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014101079/28A RU2562744C2 (en) 2014-01-14 2014-01-14 Light thyristor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014101079/28A RU2562744C2 (en) 2014-01-14 2014-01-14 Light thyristor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014101079A true RU2014101079A (en) 2015-07-20
RU2562744C2 RU2562744C2 (en) 2015-09-10

Family

ID=53611464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014101079/28A RU2562744C2 (en) 2014-01-14 2014-01-14 Light thyristor

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2562744C2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2673987C1 (en) * 2018-02-06 2018-12-03 Ооо "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Апертура" Photon precision sensor on semiconductor thyristor with one photosensitive n-p-junction and two light-emitting p-n-junctions
RU2693834C1 (en) * 2018-12-17 2019-07-05 Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций" Semiconductor device for amplification of photon flux with photosensitive and light-emitting p-n-junctions
RU2693839C1 (en) * 2018-12-17 2019-07-05 Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций" Field thyristor with non-isolated photosensitive optical gate and light-emitting p-n-junction
RU2701184C1 (en) * 2018-12-17 2019-09-25 Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций" Bipolar semiconductor transistor with thyristor effect

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5949708B2 (en) * 1979-06-13 1984-12-04 三菱電機株式会社 Optical semiconductor device
SU1015468A1 (en) * 1981-12-08 1983-04-30 Vokhmyanin Vladislav G Device for switching-over load
JPS58212174A (en) * 1982-06-02 1983-12-09 Hitachi Ltd Optical firing type thyristor
RU2405230C1 (en) * 2009-06-01 2010-11-27 Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Method of removing heat from radiative heat-emitting electronic components

Also Published As

Publication number Publication date
RU2562744C2 (en) 2015-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3550937A4 (en) DISPLAY DEVICE WITH LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DIODE
EP3660974A4 (en) BATTERY MODULE WITH HEAT DISSIPATION PLATE
DK3316300T3 (en) LIGHT-EMITTING DIODE FLOWER WITH A HEAT-CONDUCTING STRUCTURE AND LIGHT BULB THAT USES THE SAME
AR101515A1 (en) LED LIGHTING DEVICE WITH AN OPEN STRUCTURAL NETWORK OF LIGHTING MODULES
MX2019010443A (en) COMPOSITIONS AND METHODS.
EP3783670A4 (en) SHINGING PHOTOVOLTAIC MODULE WITH DOUBLE ENERGY GENERATING UNITS
DE112015004033A5 (en) Optoelectronic semiconductor device and flashlight
TW201615060A (en) Organic light emitting device
TWD174950S (en) Bullet shaped led flood light
EP3595003A4 (en) POWER MODULE SUBSTRATE WITH HEAT SINK
FR3025858B1 (en) LUMINOUS MODULE WITH LED AND OLED DIODES
PL3449511T3 (en) Large Area Luminescent Solar Energy Concentrator Based on Indirect Gap Semiconductor Nanocrystals
RU2014101079A (en) Light thyristor
DK3874196T3 (en) LED FILAMENT DEVICE WITH HEAT SINK STRUCTURE
CL2018000616A1 (en) Internal medical devices with guided surface wave energy
EP3659254A4 (en) PHOTOVOLTAIC MODULE WITH DISTRIBUTED POWER CONVERTER CIRCUITS
DE112016002282A5 (en) LIGHT SOURCE WITH MULTIPLE SEMICONDUCTOR COMPONENTS
RU2012104686A (en) HIGH-SPEED LIGHT TRANSISTOR
EP3888107A4 (en) SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT WITH DISCRETE ENERGY STORAGE COMPONENT
DE112014006400A5 (en) Heat engine with high thermal efficiency
DK3799704T3 (en) Power semiconductor module
DE112017000965A5 (en) Light source with semiconductor light emitting chips and color detector
RU2014101086A (en) TWO RADIATIVE TRANSITIONS LIGHT TRANSISTOR
RU2014126794A (en) PASSIVE RADIATOR
RU2014149006A (en) Non-insulated gate field effect transistor with light emitting p-n junction and a change in drain-source resistance due to the photosensitivity of the semiconductor

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160115