RU2012104686A - HIGH-SPEED LIGHT TRANSISTOR - Google Patents

HIGH-SPEED LIGHT TRANSISTOR Download PDF

Info

Publication number
RU2012104686A
RU2012104686A RU2012104686/28A RU2012104686A RU2012104686A RU 2012104686 A RU2012104686 A RU 2012104686A RU 2012104686/28 A RU2012104686/28 A RU 2012104686/28A RU 2012104686 A RU2012104686 A RU 2012104686A RU 2012104686 A RU2012104686 A RU 2012104686A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
band
transistor
speed light
junction
electrons pass
Prior art date
Application number
RU2012104686/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2507632C2 (en
Inventor
Тагир Абдурашидович Исмаилов
Хаджимурат Магомедович Гаджиев
Тимур Декартович Нежведилов
Ширали Абдулкадиевич Юсуфов
Original Assignee
Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) filed Critical Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority to RU2012104686/28A priority Critical patent/RU2507632C2/en
Publication of RU2012104686A publication Critical patent/RU2012104686A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2507632C2 publication Critical patent/RU2507632C2/en

Links

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Светотранзистор с высоким быстродействием, выполненный в виде биполярного транзистора с р-n-р или n-р-n-структурой, отличающийся тем, что в нем р-n-переход, на котором электроны переходят из р зоны в n зону, сформирован в виде светоизлучающего, а n-р-переход, на котором электроны переходят из n зоны в р зону - в виде фотопоглощающего, и образуют интегральную оптопару внутри самого транзистора.A high-speed light transistor made in the form of a bipolar transistor with a pnp or npn structure, characterized in that it has a pn junction at which electrons pass from the p band to the n band, is formed in in the form of light-emitting, and the n-p junction, at which the electrons pass from the n band to the p band, is in the form of a photoabsorbing one, and form an integrated optocouple inside the transistor itself.

Claims (1)

Светотранзистор с высоким быстродействием, выполненный в виде биполярного транзистора с р-n-р или n-р-n-структурой, отличающийся тем, что в нем р-n-переход, на котором электроны переходят из р зоны в n зону, сформирован в виде светоизлучающего, а n-р-переход, на котором электроны переходят из n зоны в р зону - в виде фотопоглощающего, и образуют интегральную оптопару внутри самого транзистора. A high-speed light transistor made in the form of a bipolar transistor with a pnp or npn structure, characterized in that it has a pn junction at which electrons pass from the p band to the n band, is formed in in the form of light-emitting, and the n-p junction, at which the electrons pass from the n band to the p band, is in the form of a photoabsorbing one, and form an integrated optocouple inside the transistor itself.
RU2012104686/28A 2012-02-09 2012-02-09 Light transistor with high efficiency RU2507632C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012104686/28A RU2507632C2 (en) 2012-02-09 2012-02-09 Light transistor with high efficiency

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012104686/28A RU2507632C2 (en) 2012-02-09 2012-02-09 Light transistor with high efficiency

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012104686A true RU2012104686A (en) 2013-08-20
RU2507632C2 RU2507632C2 (en) 2014-02-20

Family

ID=49162475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012104686/28A RU2507632C2 (en) 2012-02-09 2012-02-09 Light transistor with high efficiency

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2507632C2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2587534C1 (en) * 2014-12-08 2016-06-20 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет" Efficient light transistor
RU2673424C1 (en) * 2018-02-06 2018-11-26 Ооо "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Апертура" Photodetector on cascade transistors with light emitting p-n-junctions and photosensitive n-p-junctions

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU1787297C (en) * 1990-07-27 1993-01-07 Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Optoelectronic device
KR100850754B1 (en) * 2004-02-16 2008-08-06 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 Light emitting transistor
RU2405230C1 (en) * 2009-06-01 2010-11-27 Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Method of removing heat from radiative heat-emitting electronic components
RU102820U1 (en) * 2010-10-21 2011-03-10 Межрегиональное общественное учреждение "Институт инженерной физики" DEVICE FOR PROTECTING THE INFORMED ON TEACHING INFORMATION FROM DIDACTIC ERRORS

Also Published As

Publication number Publication date
RU2507632C2 (en) 2014-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NI201400012S (en) PORTABLE INFORMATION TERMINAL
EA202090889A1 (en) HERBAL COMPOSITIONS WITH IMPROVED BIOAVAILABILITY
CR20130357S (en) CUSHION DEVICE
TWD167284S (en) Portion of lead-frame
CR20120372S (en) COOLER
RU2014101079A (en) Light thyristor
RU2012104686A (en) HIGH-SPEED LIGHT TRANSISTOR
EA201591500A1 (en) IMPROVED ASSEMBLY FROM SOLAR BLOCKS AND METHOD OF ITS MANUFACTURE
CR20140353A (en) FRUIT COVER
RU2014101086A (en) TWO RADIATIVE TRANSITIONS LIGHT TRANSISTOR
USD741971S1 (en) Flagstick reflector module
TWD170854S (en) Part of light emitting diode filament
JP1755917S (en) aroma diffuser
RU2014149006A (en) Non-insulated gate field effect transistor with light emitting p-n junction and a change in drain-source resistance due to the photosensitivity of the semiconductor
CA149829S (en) Insect repellent device with refill
UA95828U (en) thermal fire signal device
RU2008137317A (en) COLLAR
CA149828S (en) Insect repellent device without refill
UA99283U (en) OPTICAL MODULATOR
UA95829U (en) thermal fire signal device
TH136839B (en) Fan base
TH136835B (en) Fan base
TWD170646S (en) light emitting diodes
TH50363S1 (en) Lighting equipment
TH142841S (en) Lighting equipment

Legal Events

Date Code Title Description
QB4A Licence on use of patent

Free format text: LICENCE

Effective date: 20140729

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160210