RU2015148749A - Кристаллическое тело, оптический прибор, имеющий кристаллическое тело, и способ изготовления кристаллического тела - Google Patents

Кристаллическое тело, оптический прибор, имеющий кристаллическое тело, и способ изготовления кристаллического тела Download PDF

Info

Publication number
RU2015148749A
RU2015148749A RU2015148749A RU2015148749A RU2015148749A RU 2015148749 A RU2015148749 A RU 2015148749A RU 2015148749 A RU2015148749 A RU 2015148749A RU 2015148749 A RU2015148749 A RU 2015148749A RU 2015148749 A RU2015148749 A RU 2015148749A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
crystalline body
single crystal
terbium
body according
dislocations
Prior art date
Application number
RU2015148749A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2630123C2 (ru
Inventor
Такеси КИДЗАКИ
Original Assignee
Фуджикура Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Фуджикура Лтд. filed Critical Фуджикура Лтд.
Publication of RU2015148749A publication Critical patent/RU2015148749A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2630123C2 publication Critical patent/RU2630123C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/34—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/02—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
    • G02B27/286—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising for controlling or changing the state of polarisation, e.g. transforming one polarisation state into another
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/0009—Materials therefor
    • G02F1/0036—Magneto-optical materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0136—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  for the control of polarisation, e.g. state of polarisation [SOP] control, polarisation scrambling, TE-TM mode conversion or separation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/09—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/60—Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/01—Function characteristic transmissive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/164—Solid materials characterised by a crystal matrix garnet

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Claims (24)

1. Кристаллическое тело, образованное из кристалла и имеющее пару пропускающих свет поверхностей, которые противостоят друг другу и пропускают свет, и по меньшей мере одну боковую поверхность, которая соединяет пару пропускающих свет поверхностей,
в котором отношение В/А плотности А (количества на 1 см2) дислокаций в пропускающих свет поверхностях к плотности В (количеству на 1 см2) дислокаций в боковой поверхности удовлетворяет следующей общей формуле:
1≤(В/А)≤3600 (1).
2. Кристаллическое тело по п. 1, в котором отношение (В/А) находится в пределах от 1 до 1000.
3. Кристаллическое тело по п. 2, в котором отношение (В/А) составляет 1.
4. Кристаллическое тело по любому одному из пп. с 1 по 3, в котором кристалл представляет собой монокристалл.
5. Кристаллическое тело по п. 4, в котором монокристалл представляет собой монокристалл тербий-скандий-алюминиевого граната, монокристалл тербий-скандий-лютеций-алюминиевого граната, монокристалл тербий-галлиевого граната или монокристалл тербий-алюминиевого граната.
6. Оптическое устройство, содержащее кристаллическое тело по любому одному из пп. с 1 по 5.
7. Оптическое устройство по п. 6, дополнительно содержащее:
поляризатор, расположенный с обращением к одной пропускающей свет поверхности из пары пропускающих свет поверхностей кристаллического тела;
анализатор, расположенный с обращением к другой пропускающей свет поверхности из пары пропускающих свет поверхностей кристаллического тела; и
блок приложения магнитного поля, прикладывающий магнитное поле к кристаллическому телу.
8. Способ изготовления кристаллического тела, образуемого из кристалла и имеющего пару пропускающих свет поверхностей, которые противостоят друг другу и пропускают свет, и по меньшей мере одну боковую поверхность, которая соединяет пару пропускающих свет поверхностей, способ, содержащий:
процесс подготовки, предназначенный для подготовки материала заготовки, который образуют из кристалла и используют для получения кристаллического тела; и
процесс разрезания, предназначенный для получения кристаллического тела путем разрезания материала заготовки,
в котором в процессе разрезания кристаллическое тело образуют путем удаления части поверхностного слоя, в том числе поверхности среза, заново возникающей при разрезании материала заготовки, и
в котором в процессе разрезания часть поверхностного слоя включает в себя дислокации, и часть поверхностного слоя удаляют так, чтобы отношение В/А плотности А (количества на 1 см2) дислокаций в пропускающих свет поверхностях к плотности В (количеству на 1 см2) дислокаций в боковой поверхности удовлетворяло следующей общей формуле:
1≤(В/А)≤3600 (1).
9. Способ изготовления кристаллического тела по п. 8, в котором дислокации, включенные в часть поверхностного слоя, представляют собой дислокации, обусловленные разрезанием материала заготовки или шлифованием поверхности среза.
10. Способ изготовления кристаллического тела по п. 8 или 9, в котором отношение (В/А) находится в пределах от 1 до 1000.
11. Способ изготовления кристаллического тела по п. 10, в котором отношение (В/А) составляет 1.
12. Способ изготовления кристаллического тела по п.8, в котором кристалл представляет собой монокристалл.
13. Способ изготовления кристаллического тела по п. 12, в котором монокристалл представляет собой монокристалл тербий-скандий-алюминиевого граната, монокристалл тербий-скандий-лютеций-алюминиевого граната, монокристалл тербий-галлиевого граната или монокристалл тербий-алюминиевого граната.
14. Способ изготовления кристаллического тела по п. 8, в котором в процессе разрезания часть поверхностного слоя удаляют полированием.
RU2015148749A 2013-10-23 2014-10-23 Кристаллическое тело, оптический прибор, имеющий кристаллическое тело, и способ изготовления кристаллического тела RU2630123C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013220017 2013-10-23
JP2013-220017 2013-10-23
PCT/JP2014/078164 WO2015060372A1 (ja) 2013-10-23 2014-10-23 結晶体、これを有する光学装置及び結晶体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015148749A true RU2015148749A (ru) 2017-05-19
RU2630123C2 RU2630123C2 (ru) 2017-09-05

Family

ID=52992961

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015148749A RU2630123C2 (ru) 2013-10-23 2014-10-23 Кристаллическое тело, оптический прибор, имеющий кристаллическое тело, и способ изготовления кристаллического тела

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9910299B2 (ru)
EP (1) EP2982782B1 (ru)
JP (1) JP5784861B1 (ru)
CN (1) CN105247116A (ru)
RU (1) RU2630123C2 (ru)
WO (1) WO2015060372A1 (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018072420A (ja) * 2016-10-25 2018-05-10 日本電気硝子株式会社 レンズ
CN108710172B (zh) * 2018-05-23 2019-08-27 山东大学 一种基于钇铝石榴石光波导的起偏器及其制备方法与应用

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58139082A (ja) * 1982-02-15 1983-08-18 Hitachi Ltd 磁界測定装置
JPH0354198A (ja) * 1989-07-20 1991-03-08 Shin Etsu Chem Co Ltd 酸化物ガーネット単結晶
US5344720A (en) * 1991-11-08 1994-09-06 Litton Systems, Inc. Bistable magneto-optic single crystal films and method of producing same utilizing controlled defect introduction
JP3520889B2 (ja) 1996-06-03 2004-04-19 三菱瓦斯化学株式会社 角型ヒステリシスを示すファラデー回転子
WO2002022920A1 (fr) 2000-09-18 2002-03-21 Daiichi Kigenso Kagaku Kogyo Co., Ltd. Materiau monocristallin de grenat des terres rares et de fer et son procede de preparation, et dispositif comprenant un materiau monocristallin de grenat des terres rares et de fer
CN1271454C (zh) * 2001-12-25 2006-08-23 Tdk株式会社 硬磁性柘榴石材料、其单晶体膜的制造方法、法拉第旋转子、其制造方法和用途
JP4292565B2 (ja) 2002-02-15 2009-07-08 日立化成工業株式会社 ガーネット単結晶基板及びその製造方法
CN100437214C (zh) * 2002-03-14 2008-11-26 Tdk株式会社 光学器件与法拉第旋转器的制造方法、光学器件及光通信系统
US7187496B2 (en) 2002-03-14 2007-03-06 Tdk Corporation Manufacturing method of optical device, optical device, manufacturing method of faraday rotator, and optical communication system
JP3858776B2 (ja) 2002-07-05 2006-12-20 三菱マテリアル株式会社 偏光子とそれを用いたプリズム
US7560046B2 (en) * 2005-12-22 2009-07-14 General Electric Company Scintillator material and radiation detectors containing same
EP2599899A4 (en) 2010-07-26 2014-01-15 Fujikura Ltd GRANAT-EINKRISTALL, OPTISCHER ISOLATOR AND LASER MACHINING MACHINE
DK2500763T3 (en) 2011-03-16 2015-09-07 Shinetsu Chemical Co A process for producing a Faraday rotator

Also Published As

Publication number Publication date
CN105247116A (zh) 2016-01-13
EP2982782B1 (en) 2021-02-17
US9910299B2 (en) 2018-03-06
RU2630123C2 (ru) 2017-09-05
WO2015060372A1 (ja) 2015-04-30
EP2982782A4 (en) 2017-04-19
EP2982782A1 (en) 2016-02-10
JP5784861B1 (ja) 2015-09-24
US20160048039A1 (en) 2016-02-18
JPWO2015060372A1 (ja) 2017-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014522364A5 (ru)
WO2014161535A3 (de) Verfahren und vorrichtung zum trennen eines substrates
WO2014068511A3 (en) Semiconductor device
SG10201804286QA (en) Wafer producing apparatus
RU2015148749A (ru) Кристаллическое тело, оптический прибор, имеющий кристаллическое тело, и способ изготовления кристаллического тела
CN105340178B (zh) 弹性波装置
US20150158117A1 (en) System and method for obtaining laminae made of a material having known optical transparency characteristics
CN105382951A (zh) 一种蓝宝石的曲面多线切割方法及其装置
TW201402294A (zh) 用於單晶塊硏磨之系統及方法
RU2016104907A (ru) Приготовление и применение соединений цинка
WO2016155119A1 (zh) 蓝宝石及其加工方法
TWI757301B (zh) 薄膜之切割方法
CN104752603A (zh) 一种基于电场能抵消效应的铁电材料表面超精密加工方法
WO2019130058A3 (en) Method and apparatus for manufacturing photonic crystals
MY153832A (en) Method for producing a multiplicity of semiconductor wafers by processing a single crystal
CN203171857U (zh) 晶砣晶面定向装置
CN203619624U (zh) 多功能开颅锯片
CN207926544U (zh) 4MHz石英晶体谐振器
CN106564075B (zh) 晶硅光伏组件削边刀和削边装置
WO2015085014A1 (en) System and method for obtaining laminae made of a material having known optical transparency characteristics
KR20140006142A (ko) 단결정 잉곳의 마운팅 장치
CN104129000A (zh) 一种热交换法（hem）蓝宝石仔晶的加工方法
RU2011111424A (ru) Способ разделения кристаллического кремния под действием термоупругих напряжений
RU2009121633A (ru) Способ доводки ориентации пластин полупроводниковых и оптических материалов
UA83390U (ru) Способ изготовления кристаллического образца для брэгговской ячейки света