RU2015119799A - Режущие элементы бурового долота с закрепленными резцами, содержащие твердые режущие пластины, выполненные из синтетических алмазов, сформированных химическим осаждением из паровой фазы - Google Patents
Режущие элементы бурового долота с закрепленными резцами, содержащие твердые режущие пластины, выполненные из синтетических алмазов, сформированных химическим осаждением из паровой фазы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2015119799A RU2015119799A RU2015119799A RU2015119799A RU2015119799A RU 2015119799 A RU2015119799 A RU 2015119799A RU 2015119799 A RU2015119799 A RU 2015119799A RU 2015119799 A RU2015119799 A RU 2015119799A RU 2015119799 A RU2015119799 A RU 2015119799A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diamond single
- cdv
- single crystal
- single crystals
- cutting
- Prior art date
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims 38
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims 5
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 title 1
- 230000009850 completed effect Effects 0.000 title 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims 37
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 36
- 241000306271 Colombian datura virus Species 0.000 claims 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 claims 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000002386 leaching Methods 0.000 claims 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/06—Joining of crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
- B24D18/0009—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for using moulds or presses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- B24D99/005—Segments of abrasive wheels
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
- C23C16/271—Diamond only using hot filaments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E21—EARTH OR ROCK DRILLING; MINING
- E21B—EARTH OR ROCK DRILLING; OBTAINING OIL, GAS, WATER, SOLUBLE OR MELTABLE MATERIALS OR A SLURRY OF MINERALS FROM WELLS
- E21B10/00—Drill bits
- E21B10/46—Drill bits characterised by wear resisting parts, e.g. diamond inserts
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E21—EARTH OR ROCK DRILLING; MINING
- E21B—EARTH OR ROCK DRILLING; OBTAINING OIL, GAS, WATER, SOLUBLE OR MELTABLE MATERIALS OR A SLURRY OF MINERALS FROM WELLS
- E21B10/00—Drill bits
- E21B10/46—Drill bits characterised by wear resisting parts, e.g. diamond inserts
- E21B10/54—Drill bits characterised by wear resisting parts, e.g. diamond inserts the bit being of the rotary drag type, e.g. fork-type bits
- E21B10/55—Drill bits characterised by wear resisting parts, e.g. diamond inserts the bit being of the rotary drag type, e.g. fork-type bits with preformed cutting elements
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E21—EARTH OR ROCK DRILLING; MINING
- E21B—EARTH OR ROCK DRILLING; OBTAINING OIL, GAS, WATER, SOLUBLE OR MELTABLE MATERIALS OR A SLURRY OF MINERALS FROM WELLS
- E21B10/00—Drill bits
- E21B10/46—Drill bits characterised by wear resisting parts, e.g. diamond inserts
- E21B10/56—Button-type inserts
- E21B10/567—Button-type inserts with preformed cutting elements mounted on a distinct support, e.g. polycrystalline inserts
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Earth Drilling (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
Claims (37)
1. Способ формирования монокристаллического элемента, включающий:
(a) преобразование графитового порошка в CDV алмазный порошок;
(b) выращивание множества CDV алмазных монокристаллов на подложке, причем указанное множество CDV алмазных монокристаллов выращивают с ориентацией вдоль кристаллографической плоскости [100];
(c) удаление по меньшей мере части CVD алмазных монокристаллов с подложки после этапа (b);
(d) преобразование удаленных CVD алмазных монокристаллов в CVD алмазный монокристаллический порошок;
(e) помещение CVD алмазного монокристаллического порошка и опорного элемента из карбида вольфрама в литейную форму и
(f) термомеханическую обработку CVD алмазного монокристаллического порошка в литейной форме для формирования твердой CVD алмазной монокристаллической пластины, прикрепленной к опорному элементу из карбида вольфрама.
2. Способ по п. 1, в котором подложка содержит катализатор, а этап (b) включает инициирование роста указанного множества CDV алмазных монокристаллов с помощью этого катализатора.
3. Способ по п. 2, в котором подложка является штырем.
4. Способ по п. 3, в котором подложка содержит кобальт (Со), никель (Ni), железо (Fe), вольфрам (W), молибден (Мо) или их сплав.
5. Способ по п. 1, дополнительно включающий выщелачивание твердой CDV алмазной монокристаллической пластины после этапа (f).
6. Способ по п. 1, в котором CDV алмазный монокристаллический порошок содержит множество CDV алмазных монокристаллов,
причем каждый CDV алмазный монокристалл из указанного множества CDV алмазных монокристаллов является прямоугольным кубом, а
каждая сторона каждого прямоугольного куба имеет ширину в промежутке между 10 и 20 мкм.
7. Способ по п. 1, в котором этап (а) включает преобразование графитового порошка в CDV алмазный порошок посредством химического осаждения из паровой фазы с горячей нитью (HFCVD, hot-filament chemical vapor deposition).
8. Способ формирования режущего элемента для бурового долота с закрепленными резцами, включающий:
(a) преобразование графитового порошка посредством химического осаждения из паровой фазы с горячей нитью (HFCVD) в CDV алмазный монокристаллический порошок;
(b) выращивание множества CDV алмазных монокристаллов на плоской поверхности подложки, причем указанное множество CDV алмазных монокристаллов растет по меньшей мере в один слой на указанной подложке, причем указанное множество CDV алмазных монокристаллов выращивают с ориентацией вдоль кристаллографической плоскости [100];
(c) удаление по меньшей мере части указанного множества CVD алмазных монокристаллов с подложки в виде множества отдельных неповрежденных листов из CVD алмазных монокристаллов;
(d) помещение по меньшей мере некоторых отдельных неповрежденных листов из указанного множества отдельных неповрежденных листов в литейную форму;
(e) термомеханическую обработку указанных по меньшей мере некоторых отдельных неповрежденных листов в литейной форме и
(f) формирование твердой CVD алмазной монокристаллической пластины в течение этапа (е).
9. Способ по п. 8, в котором подложка выполнена из материала, выбранного из следующей группы: кобальт (Со), никель (Ni), железо (Fe), вольфрам (W), молибден (Мо) или их сплавы.
10. Способ по п. 8, в котором указанные по меньшей мере некоторые отдельные неповрежденные листы из указанного множества отдельных неповрежденных листов имеют одинаковую геометрию, а также расположены в вертикальной стопе в указанной литейной форме.
11. Способ по п. 8, в котором этап (d) дополнительно включает помещение опорного элемента в указанную литейную форму смежно с указанными по меньшей мере некоторыми отдельными неповрежденными листами.
12. Способ по п. 11, в котором этап (f) дополнительно включает скрепление посредством связующего твердой CDV алмазной монокристаллической пластины с опорным элементом из карбида вольфрама во время этапа (е).
13. Способ по п. 8, дополнительно включающий удаление CDV алмазной монокристаллической пластины после этапа (f) и выщелачивание ее.
14. Способ по п. 8, в котором удаление по меньшей мере части их указанного по меньшей мере одного CDV алмазного монокристалла включает высекание или вырезание указанных по меньшей мере некоторых отдельных неповрежденных листов.
15. Способ по п. 8, в котором CDV алмазный монокристаллический порошок содержит множество CDV алмазных монокристаллов, причем каждый CDV алмазный монокристалл из указанного множества CDV алмазных монокристаллов является прямоугольным кубом, а
каждая сторона каждого прямоугольного куба имеет ширину в промежутке между 10 и 20 мкм.
16. Буровое долото для бурения буровой скважины в земляных формациях, содержащее:
корпус долота, имеющий ось долота и поверхность долота;
первую лопасть, проходящую радиально вдоль указанной поверхности долота;
множество режущих элементов, смонтированных на первой первичной лопасти,
причем каждый из указанного множества режущих элементов содержит опорный элемент из карбида вольфрама и CVD алмазную монокристаллическую пластину, скрепленную посредством связующего с концом этого опорного элемента из карбида вольфрама, a CDV алмазная монокристаллическая пластина содержит множество CDV алмазных монокристаллов, выращенных с ориентацией вдоль кристаллографической плоскости [100].
17. Буровое долото по п. 16, в котором CDV алмазный монокристаллический порошок содержит множество CDV алмазных монокристаллов, причем каждый CDV алмазный монокристалл из указанного множества CDV алмазных монокристаллов является прямоугольным кубом.
18. Буровое долото по п. 17, в котором каждая сторона каждого прямоугольного куба имеет ширину в промежутке между приблизительно 10 мкм и приблизительно 20 мкм.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201261728920P | 2012-11-21 | 2012-11-21 | |
| US61/728,920 | 2012-11-21 | ||
| PCT/US2013/070512 WO2014081654A1 (en) | 2012-11-21 | 2013-11-18 | Fixed cutter drill bit cutter elements including hard cutting tables made from cvd synthetic diamonds |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2015119799A true RU2015119799A (ru) | 2017-01-10 |
| RU2638220C2 RU2638220C2 (ru) | 2017-12-12 |
Family
ID=49726868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015119799A RU2638220C2 (ru) | 2012-11-21 | 2013-11-18 | Режущие элементы бурового долота с закрепленными резцами, содержащие твердые режущие пластины, выполненные из синтетических алмазов, сформированных химическим осаждением из паровой фазы |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9976231B2 (ru) |
| BR (1) | BR112015011665A2 (ru) |
| CA (1) | CA2892056C (ru) |
| GB (1) | GB2526940A (ru) |
| RU (1) | RU2638220C2 (ru) |
| SG (1) | SG11201504017WA (ru) |
| WO (1) | WO2014081654A1 (ru) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104164703B (zh) * | 2014-08-08 | 2018-05-29 | 上海交通大学 | 一种超细金刚石单晶微粉的制备方法 |
| CN104164702A (zh) * | 2014-08-08 | 2014-11-26 | 上海交通大学 | 一种硼掺杂超/精细金刚石单晶微粉的制备方法 |
| US10350733B2 (en) * | 2014-12-10 | 2019-07-16 | Smith International, Inc. | Ultra-hard material cutting elements and methods of manufacturing the same with a metal-rich intermediate layer |
| CN107023261B (zh) * | 2017-06-14 | 2023-08-25 | 吉林大学 | 一种坚硬打滑地层金刚石复合钻头及其制备方法 |
| DE102018119445A1 (de) | 2018-08-09 | 2020-02-13 | Hartmetall-Werkzeugfabrik Paul Horn Gmbh | Bohrwerkzeug |
| CN112337403B (zh) * | 2020-11-04 | 2021-09-28 | 吉林大学 | 一种表面增强的三脊异形聚晶金刚石复合片及其制备方法 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ZA877921B (en) * | 1986-12-22 | 1988-04-21 | General Electric Company | Condensate diamond |
| US5011509A (en) * | 1989-08-07 | 1991-04-30 | Frushour Robert H | Composite compact with a more thermally stable cutting edge and method of manufacturing the same |
| JPH0393694A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-04-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 砥粒の製造方法 |
| US5360479A (en) * | 1990-07-02 | 1994-11-01 | General Electric Company | Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and their preparation |
| CA2054050C (en) | 1990-11-16 | 1998-07-07 | Louis K. Bigelow | Method and apparatus for making grit and abrasive media |
| CA2087765A1 (en) | 1992-02-07 | 1993-08-08 | David E. Slutz | Method for producing uniform cylindrical tubes of cvd diamond |
| CA2089288A1 (en) | 1992-03-20 | 1993-09-21 | David E. Slutz | Multilayer cvd diamond films |
| US6068070A (en) | 1997-09-03 | 2000-05-30 | Baker Hughes Incorporated | Diamond enhanced bearing for earth-boring bit |
| AU6831394A (en) * | 1993-05-17 | 1994-12-12 | North Carolina State University | Method for fabricating oriented diamond films |
| US5437891A (en) | 1994-06-23 | 1995-08-01 | General Electric Company | Chemical vapor deposition of polycrystalline diamond with <100> orientation and <100> growth facets |
| US5954147A (en) | 1997-07-09 | 1999-09-21 | Baker Hughes Incorporated | Earth boring bits with nanocrystalline diamond enhanced elements |
| DE10102685B4 (de) | 2001-01-22 | 2004-04-08 | Fico Cables, S.A., Rubi | Betätigungsmechanismus mit Kraftsensor für eine Bremse |
| US7517588B2 (en) | 2003-10-08 | 2009-04-14 | Frushour Robert H | High abrasion resistant polycrystalline diamond composite |
| US7595110B2 (en) | 2003-10-08 | 2009-09-29 | Frushour Robert H | Polycrystalline diamond composite |
| CN101023028A (zh) * | 2004-09-10 | 2007-08-22 | 华盛顿卡内基研究所 | 超硬cvd单晶金刚石及其三维生长 |
| US20060147631A1 (en) | 2005-01-04 | 2006-07-06 | Lev Leonid C | Method for making diamond coated substrates, articles made therefrom, and method of drilling |
| GB0508889D0 (en) * | 2005-04-29 | 2005-06-08 | Element Six Ltd | Diamond transistor and method of manufacture thereof |
| AU2006251553B2 (en) * | 2005-05-25 | 2011-09-08 | Carnegie Institution Of Washington | Colorless single-crystal CVD diamond at rapid growth rate |
| US7462003B2 (en) * | 2005-08-03 | 2008-12-09 | Smith International, Inc. | Polycrystalline diamond composite constructions comprising thermally stable diamond volume |
| US8783389B2 (en) | 2009-06-18 | 2014-07-22 | Smith International, Inc. | Polycrystalline diamond cutting elements with engineered porosity and method for manufacturing such cutting elements |
| GB0915971D0 (en) * | 2009-09-11 | 2009-10-28 | Element Six Ltd | Polycrysalline diamond composite compact elements, tools incorporating same, method for making same and method for using same |
| US20120255237A1 (en) * | 2011-04-08 | 2012-10-11 | Robert Frushour | Cool cutting polycrystalline diamond cutting element |
-
2013
- 2013-11-18 US US14/443,502 patent/US9976231B2/en active Active
- 2013-11-18 SG SG11201504017WA patent/SG11201504017WA/en unknown
- 2013-11-18 BR BR112015011665A patent/BR112015011665A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2013-11-18 WO PCT/US2013/070512 patent/WO2014081654A1/en active Application Filing
- 2013-11-18 RU RU2015119799A patent/RU2638220C2/ru active
- 2013-11-18 GB GB1509001.2A patent/GB2526940A/en not_active Withdrawn
- 2013-11-18 CA CA2892056A patent/CA2892056C/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2526940A (en) | 2015-12-09 |
| GB201509001D0 (en) | 2015-07-08 |
| SG11201504017WA (en) | 2015-06-29 |
| CA2892056A1 (en) | 2014-05-30 |
| US9976231B2 (en) | 2018-05-22 |
| CA2892056C (en) | 2019-11-12 |
| US20150299901A1 (en) | 2015-10-22 |
| WO2014081654A1 (en) | 2014-05-30 |
| RU2638220C2 (ru) | 2017-12-12 |
| BR112015011665A2 (pt) | 2017-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2015119799A (ru) | Режущие элементы бурового долота с закрепленными резцами, содержащие твердые режущие пластины, выполненные из синтетических алмазов, сформированных химическим осаждением из паровой фазы | |
| US9976355B2 (en) | Polycrystalline diamond compact cutting elements and earth-boring tools including polycrystalline diamond cutting elements | |
| RU2559183C2 (ru) | Поликристаллические алмазные элементы, режущие инструменты и буровые инструменты, включающие такие элементы, а также способы изготовления таких элементов и буровых инструментов | |
| US9593577B2 (en) | Pick tool having a super-hard planar strike surface | |
| US20080098659A1 (en) | Methods for securing individual abrasive particles to a substrate in a predetermined pattern | |
| RU2006134708A (ru) | Синтез сверхабразивных частиц с регулируемым размещением кристаллических зерен | |
| MX2013010084A (es) | Metodos para formar tablas policristalinas y elementos policristalinos y estructuras relacionadas. | |
| US20110031034A1 (en) | Polycrystalline compacts including in-situ nucleated grains, earth-boring tools including such compacts, and methods of forming such compacts and tools | |
| WO2012044568A2 (en) | Cutting elements, earth-boring tools incorporating such cutting elements, and methods of forming such cutting elements | |
| US20190145181A1 (en) | Diamond cutting elements for drill bits seeded with hcp crystalline material | |
| CN103124800B (zh) | 多晶金刚石 | |
| RU2731432C1 (ru) | Режущие пластины, включающие ренийсодержащие структуры, и связанные с ними режущие элементы, породоразрушающие инструменты и способы | |
| CN106795627B (zh) | 化学气相沉积改性的多晶金刚石 | |
| US20160201399A1 (en) | Mechanically locking polycrystalline diamond element and industrial device | |
| US20190366442A1 (en) | Superhard constructions & methods of making same | |
| WO2013170083A1 (en) | Diamond cutting elements for drill bits seeded with hcp crystalline material | |
| US20160312542A1 (en) | Polycrystalline super hard construction & method of making | |
| EP2961912A1 (en) | Cutting elements leached to different depths located in different regions of an earth-boring tool and related methods | |
| Ma et al. | Investigation on Brazing of Carbon Film Deposited Diamond for Cutting Vehicle Tyre |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| HC9A | Changing information about inventors |