RU2015103812A - Композиция для химико-механической полировки (смр), содержащая неионное поверхностно-активное вещество и ароматическое соединение, содержащее по меньшей мере одну кислотную группу - Google Patents
Композиция для химико-механической полировки (смр), содержащая неионное поверхностно-активное вещество и ароматическое соединение, содержащее по меньшей мере одну кислотную группу Download PDFInfo
- Publication number
- RU2015103812A RU2015103812A RU2015103812A RU2015103812A RU2015103812A RU 2015103812 A RU2015103812 A RU 2015103812A RU 2015103812 A RU2015103812 A RU 2015103812A RU 2015103812 A RU2015103812 A RU 2015103812A RU 2015103812 A RU2015103812 A RU 2015103812A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- composition
- acid group
- particles
- group
- cooh
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 26
- 239000002253 acid Substances 0.000 title claims abstract 12
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 title claims abstract 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract 6
- 241000047703 Nonion Species 0.000 title 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 title 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract 10
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract 6
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 claims abstract 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract 5
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229960004365 benzoic acid Drugs 0.000 claims abstract 3
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 claims abstract 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims abstract 2
- -1 nitro, amino, thio Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
1. Композиция для химико-механической полировки, содержащая(A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь или композит, где частицы находятся в форме кокона,(B) неионное поверхностно-активное вещество,(C) ароматическое соединение, содержащее на ароматическое кольцо по меньшей мере одну кислотную группу (Y) и по меньшей мере одну другую функциональную группу (Z), которая отлична от кислотной группы (Y), и(М) водную среду.2. Композиция по п. 1, где ароматическое соединение (С) содержит по меньшей мере одно бензольное кольцо и содержит на бензольное кольцо по меньшей мере одну группу карбоновой кислоты (-СООН) или ее депротонированную форму и по меньшей мере одну другую функциональную группу (Z), которая отлична от кислотной группы (Y).3. Композиция по п. 1, где ароматическое соединение (С) представляет собой бензолкарбоновую кислоту, содержащую меньшей мере две группы карбоновой кислоты (-СООН), или ее соли, и по меньшей мере одну другую функциональную группу (Z), которая отлична от кислотной группы (-СООН).4. Композиция по п. 1, где другая функциональная группа (Z) представляет собой сложноэфирную (-COOR), гидроксильную, алкокси, алкильную, арильную, алкиларильную, арилалкильную, нитро, амино, тио или галогеновую составляющую и отлична от кислотной группы (Y), где Rпредставляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил.5. Композиция по п. 1, дополнительно содержащая (Е) окисляющий агент.6. Композиция по п. 1, дополнительно содержащая (D) спирт.7. Композиция по п. 1, дополнительно содержащая (F) ингибитор коррозии.8. Композиция по п. 1, где частицы (А) представляют собой частицы диоксида кремния в форме кокона.9. Композиция по п. 1, где неионное поверхностно-активное вещество (В) представляет собой
Claims (14)
1. Композиция для химико-механической полировки, содержащая
(A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь или композит, где частицы находятся в форме кокона,
(B) неионное поверхностно-активное вещество,
(C) ароматическое соединение, содержащее на ароматическое кольцо по меньшей мере одну кислотную группу (Y) и по меньшей мере одну другую функциональную группу (Z), которая отлична от кислотной группы (Y), и
(М) водную среду.
2. Композиция по п. 1, где ароматическое соединение (С) содержит по меньшей мере одно бензольное кольцо и содержит на бензольное кольцо по меньшей мере одну группу карбоновой кислоты (-СООН) или ее депротонированную форму и по меньшей мере одну другую функциональную группу (Z), которая отлична от кислотной группы (Y).
3. Композиция по п. 1, где ароматическое соединение (С) представляет собой бензолкарбоновую кислоту, содержащую меньшей мере две группы карбоновой кислоты (-СООН), или ее соли, и по меньшей мере одну другую функциональную группу (Z), которая отлична от кислотной группы (-СООН).
4. Композиция по п. 1, где другая функциональная группа (Z) представляет собой сложноэфирную (-COOR3), гидроксильную, алкокси, алкильную, арильную, алкиларильную, арилалкильную, нитро, амино, тио или галогеновую составляющую и отлична от кислотной группы (Y), где R3 представляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил.
5. Композиция по п. 1, дополнительно содержащая (Е) окисляющий агент.
6. Композиция по п. 1, дополнительно содержащая (D) спирт.
7. Композиция по п. 1, дополнительно содержащая (F) ингибитор коррозии.
8. Композиция по п. 1, где частицы (А) представляют собой частицы диоксида кремния в форме кокона.
9. Композиция по п. 1, где неионное поверхностно-активное вещество (В) представляет собой амфифильное неионное поверхностно-активное вещество, содержащее полиоксиалкиленовую группу.
10. Композиция по любому одному из пп. 1-9, где значение рН композиции находится в интервале от 8 до 12.
11. Композиция для химико-механической полировки, содержащая
(A) частицы диоксида кремния в форме кокона,
(B) амфифильное неионное поверхностно-активное вещество, содержащее полиоксиалкиленовую групп,
(C) бензолкарбоновую кислоту, содержащую меньшей мере одну группу карбоновой кислоты (-СООН), которая непосредственно ковалентно связана с бензольным кольцом, и по меньшей мере одну другую функциональную группу (Z), которая отлична от кислотной группы (-СООН), где функциональная группа (Z) представляет собой гидроксильную группу, или ее соль,
(D) спирт, имеющий по меньшей мере две гидроксильные группы, которые являются не диссоциирующими в водной среде,
(E) окисляющий агент,
(F) ингибитор коррозии и
(М) водную среду.
12. Способ получения полупроводниковых устройств, включающий химико-механическую полировку подложки в присутствии композиции по любому одному из пп. 1-11.
13. Применение композиции по любому одному из пп. 1-11 для химико-механической полировки подложки, применяемой в полупроводниковой промышленности.
14. Применение по п. 13, где подложка содержит
(i) медь и/или
(ii) тантал, нитрид тантала, титан, нитрид титана, рутений, кобальт или их сплавы.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP12175333.9A EP2682441A1 (en) | 2012-07-06 | 2012-07-06 | A chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising a non-ionic surfactant and an aromatic compound comprising at least one acid group |
| EP12175333.9 | 2012-07-06 | ||
| PCT/IB2013/055273 WO2014006546A2 (en) | 2012-07-06 | 2013-06-27 | A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a non-ionic surfactant and an aromatic compound comprising at least one acid group |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2015103812A true RU2015103812A (ru) | 2016-08-27 |
| RU2636511C2 RU2636511C2 (ru) | 2017-11-23 |
Family
ID=46458354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015103812A RU2636511C2 (ru) | 2012-07-06 | 2013-06-27 | Композиция для химико-механической полировки (смр), содержащая неионное поверхностно-активное вещество и ароматическое соединение, содержащее по меньшей мере одну кислотную группу |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (2) | EP2682441A1 (ru) |
| JP (1) | JP6185578B2 (ru) |
| KR (1) | KR102147073B1 (ru) |
| CN (1) | CN104412316B (ru) |
| IL (1) | IL236194B (ru) |
| MY (1) | MY170292A (ru) |
| RU (1) | RU2636511C2 (ru) |
| SG (1) | SG11201408785VA (ru) |
| TW (1) | TWI601794B (ru) |
| WO (1) | WO2014006546A2 (ru) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI775722B (zh) * | 2014-12-22 | 2022-09-01 | 德商巴斯夫歐洲公司 | 化學機械拋光（ｃｍｐ）組成物用於拋光含鈷及/或鈷合金之基材的用途 |
| US10344186B2 (en) * | 2016-06-22 | 2019-07-09 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition comprising an amine-containing surfactant |
| CN109251672B (zh) * | 2017-07-13 | 2022-02-18 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| US10170335B1 (en) | 2017-09-21 | 2019-01-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method for cobalt |
| CN113122143B (zh) * | 2019-12-31 | 2024-03-08 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液及其在铜抛光中的应用 |
| CN113122144A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN112801973B (zh) * | 2021-01-27 | 2022-06-14 | 山东大学 | 一种金刚石线锯表面磨粒分布均匀性评价方法 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5738800A (en) * | 1996-09-27 | 1998-04-14 | Rodel, Inc. | Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride |
| US6646348B1 (en) * | 2000-07-05 | 2003-11-11 | Cabot Microelectronics Corporation | Silane containing polishing composition for CMP |
| JP3563017B2 (ja) * | 2000-07-19 | 2004-09-08 | ロデール・ニッタ株式会社 | 研磨組成物、研磨組成物の製造方法及びポリシング方法 |
| US6936543B2 (en) * | 2002-06-07 | 2005-08-30 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP method utilizing amphiphilic nonionic surfactants |
| US20040175942A1 (en) | 2003-01-03 | 2004-09-09 | Chang Song Y. | Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals |
| US7514363B2 (en) * | 2003-10-23 | 2009-04-07 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Chemical-mechanical planarization composition having benzenesulfonic acid and per-compound oxidizing agents, and associated method for use |
| US20050126588A1 (en) * | 2003-11-04 | 2005-06-16 | Carter Melvin K. | Chemical mechanical polishing slurries and cleaners containing salicylic acid as a corrosion inhibitor |
| JP2006100538A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| JP2006179845A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-07-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属用研磨液及び研磨方法 |
| US7678702B2 (en) * | 2005-08-31 | 2010-03-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | CMP composition of boron surface-modified abrasive and nitro-substituted sulfonic acid and method of use |
| JP2007103463A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ポリシングスラリー、ＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ結晶の表面処理方法およびＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ結晶基板 |
| JP2007194593A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-08-02 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法 |
| WO2007102138A2 (en) * | 2007-01-02 | 2007-09-13 | Freescale Semiconductor, Inc. | Barrier slurry compositions and barrier cmp methods |
| JP2007227670A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Fujifilm Corp | 化学的機械的研磨方法 |
| US20080148649A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Zhendong Liu | Ruthenium-barrier polishing slurry |
| CN101016438A (zh) * | 2007-02-09 | 2007-08-15 | 孙韬 | 碱性计算机硬盘抛光液及其生产方法 |
| JP2008288398A (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウェハーの研磨用組成物、その製造方法、及び研磨加工方法 |
| US20090032765A1 (en) * | 2007-08-03 | 2009-02-05 | Jinru Bian | Selective barrier polishing slurry |
| WO2009056491A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Basf Se | Cmp slurry composition and process for planarizing copper containing surfaces provided with a diffusion barrier layer |
| JP5314329B2 (ja) | 2008-06-12 | 2013-10-16 | 富士フイルム株式会社 | 研磨液 |
| WO2011005456A2 (en) * | 2009-06-22 | 2011-01-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Cmp compositions and methods for suppressing polysilicon removal rates |
| JP2011171689A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-09-01 | Kao Corp | シリコンウエハ用研磨液組成物 |
| MY161863A (en) * | 2009-11-13 | 2017-05-15 | Basf Se | A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising inorganic particles and polymer particles |
| US8273142B2 (en) * | 2010-09-02 | 2012-09-25 | Cabot Microelectronics Corporation | Silicon polishing compositions with high rate and low defectivity |
-
2012
- 2012-07-06 EP EP12175333.9A patent/EP2682441A1/en not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-06-27 JP JP2015519449A patent/JP6185578B2/ja active Active
- 2013-06-27 CN CN201380036022.7A patent/CN104412316B/zh active Active
- 2013-06-27 RU RU2015103812A patent/RU2636511C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2013-06-27 SG SG11201408785VA patent/SG11201408785VA/en unknown
- 2013-06-27 KR KR1020157003200A patent/KR102147073B1/ko active IP Right Grant
- 2013-06-27 EP EP13812480.5A patent/EP2870599B1/en active Active
- 2013-06-27 WO PCT/IB2013/055273 patent/WO2014006546A2/en active Application Filing
- 2013-06-27 MY MYPI2014003626A patent/MY170292A/en unknown
- 2013-07-05 TW TW102124293A patent/TWI601794B/zh active
-
2014
- 2014-12-11 IL IL236194A patent/IL236194B/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104412316A (zh) | 2015-03-11 |
| MY170292A (en) | 2019-07-17 |
| EP2870599B1 (en) | 2018-10-17 |
| EP2870599A4 (en) | 2016-03-30 |
| SG11201408785VA (en) | 2015-01-29 |
| KR20150036422A (ko) | 2015-04-07 |
| EP2870599A2 (en) | 2015-05-13 |
| TWI601794B (zh) | 2017-10-11 |
| KR102147073B1 (ko) | 2020-08-25 |
| JP6185578B2 (ja) | 2017-08-23 |
| WO2014006546A3 (en) | 2014-02-27 |
| WO2014006546A2 (en) | 2014-01-09 |
| RU2636511C2 (ru) | 2017-11-23 |
| EP2682441A1 (en) | 2014-01-08 |
| TW201406889A (zh) | 2014-02-16 |
| IL236194A0 (en) | 2015-01-29 |
| IL236194B (en) | 2020-07-30 |
| JP2015530420A (ja) | 2015-10-15 |
| CN104412316B (zh) | 2018-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2015103812A (ru) | Композиция для химико-механической полировки (смр), содержащая неионное поверхностно-активное вещество и ароматическое соединение, содержащее по меньшей мере одну кислотную группу | |
| TW200932832A (en) | High negative zeta potential polyhedral silsesquioxane composition and method for damage free semiconductor wet clean | |
| RU2015103813A (ru) | Композиция для химико-механической полировки (смр), содержащая неионное поверхностно-активное вещество и карбонатную соль | |
| JP2017186574A5 (ru) | ||
| JP6673954B2 (ja) | 元素状ケイ素を含む膜の化学機械平坦化 | |
| JP2013047265A5 (ru) | ||
| JP2014505358A5 (ru) | ||
| TWI463003B (zh) | 拋光鋁半導體基材之組合物及方法 | |
| CN106999860B (zh) | 逆渗透膜的洗净剂、洗净液及洗净方法 | |
| JP2009049401A5 (ru) | ||
| TW201634755A (zh) | 釕除去組成物、及磁阻式記憶體的製造方法 | |
| JP2011516655A5 (ru) | ||
| WO2014132641A1 (ja) | コバルト除去のための研磨スラリー | |
| JP2006245598A5 (ru) | ||
| AR080507A1 (es) | Composiciones detergentes liquidas que comprenden un gelificante diamido y los procesos para elaborarlas | |
| JP2010508400A5 (ru) | ||
| ATE533833T1 (de) | Wässrige reinigungszusammensetzung und verwendungsmethode | |
| JP2013511144A5 (ru) | ||
| ATE483012T1 (de) | Peroxid-aktivierte formulierungen auf oxometalat- basis zur entfernung von ätzungsresten | |
| CN103003405A (zh) | 含水碱性清洁组合物及其应用方法 | |
| WO2017017994A1 (ja) | 逆浸透膜用洗浄剤、洗浄液、および洗浄方法 | |
| JP2015530420A5 (ru) | ||
| SG11201901593TA (en) | Composition for surface treatment, and method for surface treatment and method for producing semiconductor substrate using the same | |
| RU2016114689A (ru) | Модифицированные полиаспарагиновые кислоты, их получение и их применение в качестве диспергирующих средств и ингибиторов образования отложений в композициях моющих средств, средств для мытья посуды и очищающих средств и в обработке воды | |
| JP2014527200A5 (ru) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190628 |