RU2014150782A - Способ легирования полупроводниковых пластин - Google Patents

Способ легирования полупроводниковых пластин Download PDF

Info

Publication number
RU2014150782A
RU2014150782A RU2014150782A RU2014150782A RU2014150782A RU 2014150782 A RU2014150782 A RU 2014150782A RU 2014150782 A RU2014150782 A RU 2014150782A RU 2014150782 A RU2014150782 A RU 2014150782A RU 2014150782 A RU2014150782 A RU 2014150782A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
pulse
high energy
energy density
pulses
alloying
Prior art date
Application number
RU2014150782A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2597647C2 (ru
Inventor
Евгений Борисович Трунин
Ольга Евгеньевна Трунина
Original Assignee
Открытое акционерное общество "Рязанский завод металлокерамических приборов" (ОАО "РЗМКП")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "Рязанский завод металлокерамических приборов" (ОАО "РЗМКП") filed Critical Открытое акционерное общество "Рязанский завод металлокерамических приборов" (ОАО "РЗМКП")
Priority to RU2014150782/28A priority Critical patent/RU2597647C2/ru
Publication of RU2014150782A publication Critical patent/RU2014150782A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2597647C2 publication Critical patent/RU2597647C2/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Способ легирования, в котором на подложку наносят тонкую пленку легирующего материала и обрабатывают импульсами с большой плотностью энергии, создающими локальное проплавление материала и быстрое затвердевание, отличающийся тем, что в качестве импульса с большой плотностью энергии используют электрические импульсы, а в качестве материала электрода, который обеспечивает подачу импульса на пластину, используют материал, в состав которого входят материал подложки и легирующая примесь.

Claims (1)

  1. Способ легирования, в котором на подложку наносят тонкую пленку легирующего материала и обрабатывают импульсами с большой плотностью энергии, создающими локальное проплавление материала и быстрое затвердевание, отличающийся тем, что в качестве импульса с большой плотностью энергии используют электрические импульсы, а в качестве материала электрода, который обеспечивает подачу импульса на пластину, используют материал, в состав которого входят материал подложки и легирующая примесь.
RU2014150782/28A 2014-12-15 2014-12-15 Способ легирования полупроводниковых пластин RU2597647C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014150782/28A RU2597647C2 (ru) 2014-12-15 2014-12-15 Способ легирования полупроводниковых пластин

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014150782/28A RU2597647C2 (ru) 2014-12-15 2014-12-15 Способ легирования полупроводниковых пластин

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014150782A true RU2014150782A (ru) 2016-07-10
RU2597647C2 RU2597647C2 (ru) 2016-09-20

Family

ID=56372491

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014150782/28A RU2597647C2 (ru) 2014-12-15 2014-12-15 Способ легирования полупроводниковых пластин

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2597647C2 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2710005C1 (ru) * 2019-04-26 2019-12-23 Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета" Способ монтажа полупроводниковых кристаллов в корпус

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4843033A (en) * 1985-09-27 1989-06-27 Texas Instruments Incorporated Method for outdiffusion of zinc into III-V substrates using zinc tungsten silicide as dopant source
SU1452399A1 (ru) * 1987-04-30 1999-11-10 Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср Способ легирования слоя поликристаллического кремния
RU2069414C1 (ru) * 1994-08-29 1996-11-20 Институт физики полупроводников СО РАН Способ легирования кремния халькогенами
DE19842882A1 (de) * 1998-09-18 2000-03-30 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines Dotierungsgebiets
RU2476955C2 (ru) * 2011-05-06 2013-02-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора
TWI541377B (zh) * 2011-11-04 2016-07-11 Asm國際股份有限公司 形成摻雜二氧化矽薄膜的方法

Also Published As

Publication number Publication date
RU2597647C2 (ru) 2016-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015175060A3 (en) Laser induced graphene materials and their use in electronic devices
MX2022009514A (es) Generador electrico.
SG11201803826YA (en) Lead frame, lead frame package, and method for manufacturing same
RU2014150782A (ru) Способ легирования полупроводниковых пластин
JP2015118930A5 (ru)
LV15108A (lv) Gaismas starojuma pārveidošanas paņēmiens elektriskajā enerģijā un akustooptiskais fotoelements
RU2012126440A (ru) Способ комбинированной обработки каналов
RU2014120090A (ru) Способ упрочнения изделий из титана и его сплавов
RU2014117445A (ru) Ветро-пьезоэлектрогенератор
RU2014146196A (ru) Способ обработки твердосплавных пластин режущего инструмента
RU2014146426A (ru) Способ изготовления заготовок для детекторов ионизирующих излучений из широкозонных полупроводниковых материалов
JP2017023236A5 (ru)
CL2015002017A1 (es) Esferas absorbentes y método para obtener cátodos de calidad mejorada de una especie metálicas de interés y aumentar la eficiencia energética en un proceso de electro-obtención.
UA109137U (uk) Спосіб визначення безпечного електричного заряду
RU2014134151A (ru) Консорциум, состоящий из представителей родов Fusobacterium, E.coli, S.faecalis, для переработки биоотходов и способ переработки биоотходов с помощью микроорганизмов
RU2014127161A (ru) Консорциум, состоящий из представителей родов Eubacterium, Fusobacterium, S.faecalis, для переработки биоотходов и способ переработки биоотходов с помощью микроорганизмов
RU2014135610A (ru) Консорциум, состоящий из представителей родов Fusobacterium, S.faecalis, S.faecium, для переработки биоотходов и способ переработки биоотходов с помощью микроорганизмов
RU2014140305A (ru) Способ легирования кремния
RU2014134856A (ru) Консорциум, состоящий из представителей родов Bacteroides, Eubacterium, Fusobacterium, S.faecalis, для переработки биоотходов и способ переработки биоотходов с помощью микроорганизмов
RU2014127174A (ru) Консорциум, состоящий из представителей родов Bacteroides, Fusobacterium, S.faecalis, для переработки биоотходов и способ переработки биоотходов с помощью микроорганизмов
RU2014136050A (ru) Консорциум, состоящий из представителей родов Bifidobacterium, Eubacterium, Fusobacterium, S.faecalis, для переработки биоотходов и способ переработки биоотходов с помощью микроорганизмов
RU2014134163A (ru) Консорциум, состоящий из представителей родов Fusobacterium, E.coli, S.faecium, для переработки биоотходов и способ переработки биоотходов с помощью микроорганизмов
RU2014127169A (ru) Консорциум, состоящий из представителей родов Eubacterium, E.coli, S.faecalis, для переработки биоотходов и способ переработки биоотходов с помощью микроорганизмов
RU2014144111A (ru) Консорциум, состоящий из представителей родов Bacteroides, Eubacterium, E.coli, S.faecalis, для переработки биоотходов и способ переработки биоотходов с помощью микроорганизмов
RU2013112726A (ru) Способ сублимационной очистки соли молибдена-99 методом лазерного сканирования и устройство для его осуществления

Legal Events

Date Code Title Description
HZ9A Changing address for correspondence with an applicant
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20161216