RU2014137527A - Способ создания микрополосковых антенн метрового диапазона и устройство, реализующее этот способ - Google Patents

Abstract

1. Способ создания микрополосковых антенн метрового диапазона, заключающийся в том, что в качестве материала антенны применяют плоскую металлизированную подложку с определенными диэлектрическими характеристиками, верхнюю плоскость которого используют для размещения излучателя определенной формы, а нижнюю - для экранирования, отличающийся тем, что излучатель накоротко замыкают на экран, а в качестве подложки используют однослойный диэлектрик с постоянным волновым сопротивлением и следующими характеристиками:диэлектрическая проницаемость ε=8…16,тангенс угла диэлектрических потерь tgδ=10…10,толщина h=(0,1…0,01)λ, где λ - длина волны.2. Устройство, реализующее способ создания микрополосковых антенн метрового диапазона, включающее в себя плоскую металлизированную диэлектрическую подложку в форме параллелепипеда определенной толщины, на одной плоской стороне которой выполнен излучатель, а на обратной - металлический экран, отличающееся тем, что излучатель выполнен в форме четырехугольной металлической пластины, примыкающей парой смежных сторон к двум смежным краям подложки, диэлектрическая подложка выполнена однослойной, один торец диэлектрической подложки содержит короткозамыкатель в виде металлической стенки, соединяющей излучатель с экраном, а излучатель содержит точку запитки, местоположение которой подбирается экспериментально в процессе настройки.3. Устройство по п. 2, отличающееся тем, что в диэлектрической подложке выполнено сквозное отверстие в области точки запитки для обеспечения возможности соединения излучателя с внешним устройством.

Claims (3)

1. Способ создания микрополосковых антенн метрового диапазона, заключающийся в том, что в качестве материала антенны применяют плоскую металлизированную подложку с определенными диэлектрическими характеристиками, верхнюю плоскость которого используют для размещения излучателя определенной формы, а нижнюю - для экранирования, отличающийся тем, что излучатель накоротко замыкают на экран, а в качестве подложки используют однослойный диэлектрик с постоянным волновым сопротивлением и следующими характеристиками:

диэлектрическая проницаемость ε=8…16,

тангенс угла диэлектрических потерь tgδ=10^-3…10^-5,

толщина h=(0,1…0,01)λ, где λ - длина волны.

2. Устройство, реализующее способ создания микрополосковых антенн метрового диапазона, включающее в себя плоскую металлизированную диэлектрическую подложку в форме параллелепипеда определенной толщины, на одной плоской стороне которой выполнен излучатель, а на обратной - металлический экран, отличающееся тем, что излучатель выполнен в форме четырехугольной металлической пластины, примыкающей парой смежных сторон к двум смежным краям подложки, диэлектрическая подложка выполнена однослойной, один торец диэлектрической подложки содержит короткозамыкатель в виде металлической стенки, соединяющей излучатель с экраном, а излучатель содержит точку запитки, местоположение которой подбирается экспериментально в процессе настройки.

3. Устройство по п. 2, отличающееся тем, что в диэлектрической подложке выполнено сквозное отверстие в области точки запитки для обеспечения возможности соединения излучателя с внешним устройством.