RU2014124856A

RU2014124856A - POWERFUL MICROWAVE SWITCH

Info

Publication number: RU2014124856A
Application number: RU2014124856/08A
Authority: RU
Inventors: Грачик Хачатурович Аветисян; Алексей Сергеевич Адонин; Юрий Владимирович Колковский; Вадим Минхатович Миннебаев
Original assignee: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар"
Priority date: 2014-06-18
Filing date: 2014-06-18
Publication date: 2015-12-27

Abstract

1. Мощный переключатель СВЧ, содержащий подложку, на которой последовательно размещены: буферный слой AlN, буферный слой из GaN, буферный слой из нелегированного GaN i-типа проводимости, кроме того, переключатель СВЧ содержит двумерный электронный газ высокой плотности, который служит нижней обкладкой конденсатора, сглаживающий слой из нитрида галлия, слой диэлектрика из двуокиси гафния, металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора, и два конденсатора, образующих двойные ВЧ-ключи, отличающийся тем, что на буферном слое из нелегированного GaN i-типа проводимости последовательно размещены сверхрешетка из AlGaN/GaN, буферный слой из GaN, сильнолегированный слой n-типа проводимости из AlGaN, спейсер из AlGaN, сглаживающий слой, канал из GaN, сглаживающий дополнительный слой, спейсер из AlGaN, сильнолегированный слой AlGaN, слой из GaN, слой диэлектрика из двуокиси гафния и дополнительный слой диэлектрика, при этом переключатель выполнен с минимальным количеством глубоких электронных ловушек DX, а канал легирован с двух сторон, а двумерный электронный газ образован между каналом и слоем из AlGaN.2. Переключатель по п. 1, отличающийся тем, что дополнительный слой из диэлектрика выполнен из AlO, или ZrO, или LaO, или YO.3. Переключатель по п. 1, отличающийся тем, что подложка выполнена из изолирующего теплопроводящего CVD поликристаллического алмаза.1. Powerful microwave switch containing a substrate on which are sequentially placed: AlN buffer layer, GaN buffer layer, i-type conductive undoped GaN buffer layer, in addition, the microwave switch contains a high-density two-dimensional electron gas, which serves as the lower capacitor plate , a smoothing layer of gallium nitride, a dielectric layer of hafnium dioxide, strip-shaped metal electrodes that form the upper lining of the capacitor, and two capacitors forming double RF keys, characterized in that an AlGaN / GaN superlattice, a GaN buffer layer, a heavily doped AlGaN n-type conductivity layer, an AlGaN spacer, a smoothing layer, a GaN channel, a smoothing additional layer, a spacer from AlGaN, a heavily doped AlGaN layer, a GaN layer, a dielectric layer of hafnium dioxide and an additional dielectric layer, the switch is made with a minimum number of deep electron traps DX, and the channel is doped on both sides, and a two-dimensional electron gas is formed is tied between the channel and the AlGaN.2 layer. The switch according to claim 1, characterized in that the additional dielectric layer is made of AlO, or ZrO, or LaO, or YO. 3. The switch according to claim 1, characterized in that the substrate is made of insulating heat-conducting CVD polycrystalline diamond.

Claims

1. Powerful microwave switch containing a substrate on which are sequentially placed: AlN buffer layer, GaN buffer layer, i-type conductive undoped GaN buffer layer, in addition, the microwave switch contains a high-density two-dimensional electron gas, which serves as the lower capacitor plate , a smoothing layer of gallium nitride, a dielectric layer of hafnium dioxide, strip-shaped metal electrodes that form the upper lining of the capacitor, and two capacitors forming double RF keys, characterized in that a superlattice of Al _X Ga _1-X N / GaN, a GaN buffer layer, a heavily doped n-type conductivity layer from Al _X Ga _1-X N, a spacer from Al _X Ga are sequentially placed on a buffer layer of undoped GaN of i-type conductivity _1-X N, a smoothing layer, a channel from GaN, a smoothing additional layer, a spacer from Al _X Ga _1-X N, a heavily doped layer Al _X Ga _1-X N, a layer from GaN, a dielectric layer of hafnium dioxide and an additional dielectric layer, the switch is made with a minimum number of deep electronic traps DX, and the channel is doped on both sides, and two-dimensional electron gas is formed between the duct and the layer of Al _X Ga _1-X N.

2. The switch according to claim 1, characterized in that the additional dielectric layer is made of Al ₂ O ₃ , or ZrO ₂ , or La ₂ O ₃ , or Y ₂ O ₃ .

3. The switch according to claim 1, characterized in that the substrate is made of insulating heat-conducting CVD polycrystalline diamond.