Claims (1)
Способ изготовления лезвий микрохирургических, включающий нанесение слоев диэлектрических материалов на рабочие поверхности пластины монокристаллического кремния, литографическую обработку по формированию масок, локальное травление монокристаллического кремния, разделение пластин на отдельные микролезвия, отличающийся тем, что на рабочих поверхностях пластины монокристаллического кремния формируют слой диоксида кремния (SiO2-1) толщиной 680÷720 Å, с последующим осаждением первого слота нитрида кремния (Si3N4-1) толщиной 980÷1100 Å, проводят вскрытие в первом слое нитрида кремния (Si3N4-1) окон, представляющих собой замкнутый контур дорожек разделения расположенных на периферии и ограничивающих в плане физические структуры микролезвия, на рабочей стороне пластины в материале первого слоя нитрида кремния (Si3N4-1) вскрывают локальное окно, расположенное непосредственно над областью профиля сглаженного рельефа режущих кромок, проводят осаждение второго слоя нитрида кремния (Si3N4-2) толщиной 950÷1000 Å, в объеме материала слоев диэлектрических материалов состоящий из слоев диоксида кремния (SiO2-1), первого слоя нитрида кремния (Si3N4-1) и второго слоя нитрида кремния (Si3N4-2) (SiO2-1 - Si3N4-1 - Si3N4-2) (SiO2 - Si3N4-1 - Si3N4-2) размещенных на обратной стороне пластины вскрывают окна, выполненные под областями режущих частей микролезвиий, методами жидкостного химического травления проводят формирование углубления, выполненного в виде прямоугольного параллелепипеда, боковые стенки которого представляющие собой семейство кристаллографических плоскостей {101}, образуют с плоскостью дна, представляющей собой кристаллографическую плоскость (100), прямой угол, на поверхностях полученного рельефа углубления формируют слои локального диоксида кремния (SiO2-2) толщиной 2,2÷2,5 мкм, проводят формирование в объеме материалов второго слоя нитрида кремния (Si3N4-2) и расположенного под ним слоя диоксида кремния (SiO2-1) прецизионного окна, расположенного в центральной части области размещения профиля сглаженного рельефа режущих кромок, с применением методов жидкостного химического травления монокристаллического кремния в пересыщенном растворе едкого кали формируют V-образную канавку, боковые стенки которой представляющие собой семейство кристаллографических плоскостей {111}, при пересечении с кристаллографической плоскостью (100), защищенной слоями локального диоксида кремния (SiO2-2) образует режущую кромку с углом при вершине 54,75°, методами плазмохимического травления с рабочей стороны пластины проводят удаление второго слоя нитрида кремния (Si3N4-2) и лежащих под ним слоев диоксида кремния (SiO2-1), обнажая области монокристаллического кремния непосредственно прилегающие к области расположения V-образной канавки и замкнутых контуров областей разделительных дорожек, методами жидкостного химического травления монокристаллического кремния в травителе состава HNO3:HF:CH3COOH=3:1:1 проводят формирование профиля сглаженного рельефа режущей кромки и рельефов замкнутых контуров областей разделительных дорожек, методами термодиффузии проводят формирование областей p++-типа проводимости в объемах материала монокристаллического кремния примыкающих к поверхностям сформированных рельефов с глубиной залегания р-n-переходов 0,2÷0,5 мкм и величиной концентрации легирующей примеси более 1020 атм/см3, выполняющими функции областей стоп-диффузии при формировании рельефов замкнутых контуров областей разделительных дорожек, ограничивающих в плане физические структуры микролезвий, выполненных с обратной стороны пластины с применением методов жидкостного химического травления монокристаллического кремния в пересыщенном растворе едкого кали, боковые стенки которых представляющие собой семейство кристаллографических плоскостей {101} и расположены вертикально относительно кристаллографической плоскости (100), процесс травления проводят до тех пор пока не произойдет смыкание дна замкнутых контуров областей разделительных дорожек с областями p++-типа проводимости стоп-диффузии рельефов замкнутых контуров областей разделительных дорожек рабочей стороны пластины, методами жидкостного химического травления производят удаление слоев локального диоксида кремния (SiO2-2) с рельефа режущей части микролезвия, удаление первого (Si3N4-1) и второго (Si3N4-2) слоев нитрида кремния, а также слоев диоксида кремния (SiO2-1) с остального рельефа микролезвия, проводят формирование на поверхностях сформированных рельефов защитных и упрочняющих покрытий на основе пленок диоксида кремния (SiO2) и других химических соединений с проведением термических отжигов, улучшающих механические свойства физических структур микролезвий, после чего удаляют балочные перемычки соединяющие в заданных местах физические структуры микролезвий.
A method of manufacturing microsurgical blades, including applying layers of dielectric materials on the working surfaces of a single-crystal silicon wafer, lithographic processing to form masks, local etching of single-crystal silicon, dividing the wafers into separate micro blades, characterized in that a silicon dioxide layer (SiO is formed on the working surfaces of the single-crystal silicon wafer 2 -1) with a thickness of 680 ÷ 720 Å, followed by deposition of a first silicon nitride slot (Si 3 N 4 -1) with a thickness of 980 ÷ 1100 Å, wire m opening in the first layer of silicon nitride (Si 3 N 4 -1) windows representing a closed loop track separation at the periphery and the restriction in terms of physical mikrolezviya structure on the working side of the plate in the material of the first layer of silicon nitride (Si 3 N 4 - 1) reveal local window located directly above the area of the smoothed profile relief cutting edges carried depositing a second layer of silicon nitride (Si 3 N 4 -2) with a thickness of 950 ÷ 1000 Å, expanded material layers of dielectric material consisting of layers diok ide silica (SiO 2 -1), the first silicon nitride layer (Si 3 N 4 -1) and a second layer of silicon nitride (Si 3 N 4 -2) (SiO 2 -1 - Si 3 N 4 -1 - Si 3 N 4 -2) (SiO 2 - Si 3 N 4 -1 - Si 3 N 4 -2) located on the reverse side of the plate open the windows made under the areas of the cutting parts of the micro blades, using liquid chemical etching to form a recess made in the form of a rectangular parallelepiped , the side walls of which are a family of crystallographic planes {101}, form with the bottom plane, which is crystallographic a flat plane (100), a right angle, on the surfaces of the obtained relief of the depression form layers of local silicon dioxide (SiO 2 -2) with a thickness of 2.2 ÷ 2.5 μm, carry out the formation of a second layer of silicon nitride (Si 3 N 4 - 2) and located underneath the silicon dioxide layer (SiO 2 -1) precision window located in the center of the smoothed profile layout area of the cutting edges of the relief, using the methods of the liquid chemical etching of monocrystalline silicon in a supersaturated solution of potassium hydroxide is formed V-SHAPED groove side walls which constitute a family of crystallographic planes {111}, at the intersection with the crystallographic plane (100) local secure layers of silicon dioxide (SiO 2 -2) forms a cutting edge with an apex angle of 54,75 °, plasma chemical etching methods with operating side of the plate is carried out removing a second layer of silicon nitride (Si 3 N 4 -2) and lying underneath the layers of silicon dioxide (SiO 2 -1), exposing the monocrystalline silicon region immediately adjacent to the location area V-shaped channel ki and loops regions dividing tracks by liquid chemical monocrystalline silicon etching etchant composition HNO 3: HF: CH3COOH = 3: 1: 1 is carried out formation of the profile of the smoothed relief cutting edges and reliefs loops regions dividing tracks, thermal methods is carried formation areas p ++ -type of conductivity in the volumes of material of single-crystal silicon adjacent to the surfaces of the formed reliefs with a depth of occurrence of pn junctions of 0.2 ÷ 0.5 μm and a concentration of and dopant than 10 20 atm / cm 3, performing the function areas stop diffusion in the formation of reliefs loops regions dividing tracks restriction in terms of physical mikrolezvy structures formed on the back side of the wafer using the methods of the liquid chemical monocrystalline silicon etching in a supersaturated solution of sodium potassium, the side walls of which are a family of crystallographic planes {101} and are located vertically relative to the crystallographic planes (100), the etching process is carried out until the bottom of the closed contours of the regions of the dividing paths closes with the p ++ regions - such as the conductivity of stop diffusion of the reliefs of the closed contours of the regions of the dividing paths of the working side of the plate, the local silicon dioxide layers are removed by liquid chemical etching (SiO 2 -2) from the relief of the cutting part of the micro-blade, removing the first (Si 3 N 4 -1) and second (Si 3 N 4 -2) layers of silicon nitride, as well as layers of silicon dioxide (SiO 2 -1) from the rest of the relief micro blades carry out the formation on the surfaces of the formed reliefs of protective and hardening coatings based on films of silicon dioxide (SiO 2 ) and other chemical compounds with thermal anneals that improve the mechanical properties of the physical structures of micro blades, after which the beam jumpers connecting the physical structures of micro blades at specified points are removed.