RU2014105877A - METHOD FOR FORMING A BIDOMAIN STRUCTURE IN PLATES OF FERROELECTRICIAN SINGLE CRYSTALS - Google Patents

METHOD FOR FORMING A BIDOMAIN STRUCTURE IN PLATES OF FERROELECTRICIAN SINGLE CRYSTALS Download PDF

Info

Publication number
RU2014105877A
RU2014105877A RU2014105877/05A RU2014105877A RU2014105877A RU 2014105877 A RU2014105877 A RU 2014105877A RU 2014105877/05 A RU2014105877/05 A RU 2014105877/05A RU 2014105877 A RU2014105877 A RU 2014105877A RU 2014105877 A RU2014105877 A RU 2014105877A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
ferroelectric
single crystal
plate
light
bidomain
Prior art date
Application number
RU2014105877/05A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2566142C2 (en
Inventor
Михаил Давыдович Малинкович
Александр Сергеевич Быков
Седрак Гургенович Григорян
Роман Николаевич Жуков
Дмитрий Александрович Киселев
Илья Викторович Кубасов
Юрий Николаевич Пархоменко
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
Publication of RU2014105877A publication Critical patent/RU2014105877A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2566142C2 publication Critical patent/RU2566142C2/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/02—Heat treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

1. Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов сегнетоэлектриков, заключающийся в образовании в пластине монокристалла сегнетоэлектрика двух монодоменных областей с противоположным направлением векторов поляризации доменов и бидоменной границей, который включает бесконтактное размещение пластины монокристалла сегнетоэлектрика с плоскопараллельными гранями в бескислородной среде рабочего пространства камеры установки фотонного отжига между двумя светопоглощающими экранами, при этом большие грани пластины монокристалла сегнетоэлектрика расположены параллельно продольным осям светопоглощающих экранов, последующее формирование в камере установки фотонного отжига двух встречных параллельных световых потоков, направленных перпендикулярно большим граням пластины монокристалла сегнетоэлектрика и продольным осям светопоглощающих экранов, причем мощность каждого светового потока задают из условий обеспечения полного прогрева пластины монокристалла сегнетоэлектрика в диапазоне температур не менее температуры Кюри и не более температуры плавления сегнетоэлектрика, дальнейший прогрев пластины монокристалла сегнетоэлектрика при заданных условиях и ее охлаждение.2. Способ по п.1, в котором пластину монокристалла сегнетоэлектрика охлаждают с заданным градиентом температуры, меняющейся от минимального значения на противоположных больших гранях пластины монокристалла сегнетоэлектрика до максимального значения в области формирования бидоменной границы, например, с градиентом температуры 10°C/ мм.3. Способ по п.1, в котором пластину монокристалла сегнетоэлектрика охлажд1. The method of forming a bidomain structure in the plates of single crystals of ferroelectrics, which consists in the formation in the plate of a single crystal of a ferroelectric two mono-domain regions with the opposite direction of the polarization vectors of the domains and the bidomena boundary, which includes the non-contact placement of the plate of a single crystal of a ferroelectric with plane-parallel faces in an oxygen-free workspace setup between two light-absorbing screens, while large faces face In this case, the ferroelectric single crystal is parallel to the longitudinal axes of the light-absorbing screens, the subsequent formation of two counterpropagating parallel light fluxes directed perpendicularly to the large faces of the ferroelectric single-crystal plate and the longitudinal axes of the light-absorbing screens in the photon annealing chamber, and the power of each light flux is set from the conditions for ensuring full heating of the single crystal wafer of the single crystal in temperature range not less than Curie temperature and not more than tempera melting tours of a ferroelectric, further heating of the plate of a single crystal of a ferroelectric under given conditions and its cooling. 2. The method according to claim 1, wherein the ferroelectric single crystal plate is cooled with a predetermined temperature gradient, varying from a minimum value on opposite large faces of the ferroelectric single crystal plate to a maximum value in the region of formation of the bidomain boundary, for example, with a temperature gradient of 10 ° C / mm. The method according to claim 1, in which the plate of a single crystal of a ferroelectric cooling

Claims (7)

1. Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов сегнетоэлектриков, заключающийся в образовании в пластине монокристалла сегнетоэлектрика двух монодоменных областей с противоположным направлением векторов поляризации доменов и бидоменной границей, который включает бесконтактное размещение пластины монокристалла сегнетоэлектрика с плоскопараллельными гранями в бескислородной среде рабочего пространства камеры установки фотонного отжига между двумя светопоглощающими экранами, при этом большие грани пластины монокристалла сегнетоэлектрика расположены параллельно продольным осям светопоглощающих экранов, последующее формирование в камере установки фотонного отжига двух встречных параллельных световых потоков, направленных перпендикулярно большим граням пластины монокристалла сегнетоэлектрика и продольным осям светопоглощающих экранов, причем мощность каждого светового потока задают из условий обеспечения полного прогрева пластины монокристалла сегнетоэлектрика в диапазоне температур не менее температуры Кюри и не более температуры плавления сегнетоэлектрика, дальнейший прогрев пластины монокристалла сегнетоэлектрика при заданных условиях и ее охлаждение.1. The method of forming a bidomain structure in the plates of single crystals of ferroelectrics, which consists in the formation in the plate of a single crystal of a ferroelectric two mono-domain regions with the opposite direction of the polarization vectors of the domains and the bidomena boundary, which includes the non-contact placement of the plate of a single crystal of a ferroelectric with plane-parallel faces in an oxygen-free workspace setup between two light-absorbing screens, while large faces face In this case, the ferroelectric single crystal is parallel to the longitudinal axes of the light-absorbing screens, the subsequent formation of two counterpropagating parallel light fluxes directed perpendicularly to the large faces of the ferroelectric single-crystal plate and the longitudinal axes of the light-absorbing screens in the photon annealing chamber, and the power of each light flux is set from the conditions for ensuring full heating of the single crystal wafer of the single crystal in temperature range not less than Curie temperature and not more than tempera melting tours of a ferroelectric, further heating of the plate of a single crystal of a ferroelectric under given conditions and its cooling. 2. Способ по п.1, в котором пластину монокристалла сегнетоэлектрика охлаждают с заданным градиентом температуры, меняющейся от минимального значения на противоположных больших гранях пластины монокристалла сегнетоэлектрика до максимального значения в области формирования бидоменной границы, например, с градиентом температуры 10°C/ мм.2. The method according to claim 1, in which the plate of a single crystal of a ferroelectric is cooled with a predetermined temperature gradient, changing from a minimum value on opposite large faces of the plate of a single crystal of a ferroelectric to a maximum value in the region of formation of the bidomain boundary, for example, with a temperature gradient of 10 ° C / mm. 3. Способ по п.1, в котором пластину монокристалла сегнетоэлектрика охлаждают с заданным градиентом температуры, меняющейся от максимального значения на противоположных больших гранях пластины монокристалла сегнетоэлектрика до минимального значения в области формирования бидоменной границы, например, с градиентом температуры 3°C/ мм.3. The method according to claim 1, in which the ferroelectric single crystal plate is cooled with a predetermined temperature gradient, varying from a maximum value on opposite large faces of the ferroelectric single crystal plate to a minimum value in the region of the bidomain boundary formation, for example, with a temperature gradient of 3 ° C / mm. 4. Способ по п.1, в котором пластина монокристалла сегнетоэлектрика выполнена из монокристалла ниобата лития LiNbO3.4. The method according to claim 1, in which the plate of a single crystal of a ferroelectric is made of a single crystal of lithium niobate LiNbO 3 . 5. Способ по п.1, в котором бесконтактное размещение пластины монокристалла сегнетоэлектрика обеспечивается путем помещения брусков, выполненных из сапфира.5. The method according to claim 1, in which the non-contact placement of a single crystal ferroelectric plate is provided by placing bars made of sapphire. 6. Способ по п.1, в котором светопоглощающие экраны выполнены в виде пластин из кристаллического кремния.6. The method according to claim 1, in which the light-absorbing screens are made in the form of plates of crystalline silicon. 7. Способ по п.1, в котором месторасположение и форма границы бидоменной структуры формируется за счет изменения интенсивности и мощности светового потока. 7. The method according to claim 1, in which the location and the shape of the border of the bidomain structure is formed by changing the intensity and power of the light flux.
RU2014105877/05A 2013-12-12 2013-12-12 Method of forming bidomain structure in ferrielectric monocrystal plates RU2566142C2 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/RU2013/001115 WO2015088371A1 (en) 2013-12-12 2013-12-12 Method of synthesizing a bi-domain structure in ferroelectric single crystal wafers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014105877A true RU2014105877A (en) 2015-08-27
RU2566142C2 RU2566142C2 (en) 2015-10-20

Family

ID=53371540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014105877/05A RU2566142C2 (en) 2013-12-12 2013-12-12 Method of forming bidomain structure in ferrielectric monocrystal plates

Country Status (3)

Country Link
EA (1) EA032620B1 (en)
RU (1) RU2566142C2 (en)
WO (1) WO2015088371A1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110670134B (en) * 2019-09-20 2021-04-23 南开大学 Preparation method of p-type and n-type conductive lithium niobate nanowires
RU196011U1 (en) * 2019-12-13 2020-02-13 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Three-axis positioning device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5756263A (en) * 1995-05-30 1998-05-26 Eastman Kodak Company Method of inverting ferroelectric domains by application of controlled electric field
WO2009015474A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Ye Hu Method of ferroelectronic domain inversion and its applications
RU2492283C2 (en) * 2011-12-08 2013-09-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Method for formation of bidomain structure in single-crystal plates

Also Published As

Publication number Publication date
RU2566142C2 (en) 2015-10-20
EA032620B1 (en) 2019-06-28
EA201600460A1 (en) 2017-01-30
WO2015088371A1 (en) 2015-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015188083A5 (en) Imaging apparatus and electronic apparatus
RU2014105877A (en) METHOD FOR FORMING A BIDOMAIN STRUCTURE IN PLATES OF FERROELECTRICIAN SINGLE CRYSTALS
WO2017045310A1 (en) Lead chlorate infrared nonlinear optical crystal, and preparation method and use thereof
TWI657172B (en) Method for synthesizing a perovskite single crystal
RU2005135646A (en) CRIGEL FOR A DEVICE FOR OBTAINING A BLOCK OF CRYSTAL MATTER AND METHOD FOR PRODUCING IT
JP2014007398A5 (en) Method for manufacturing semiconductor device
Liu et al. Crystal growth and efficient second-harmonic-generation of the monoclinic LaCa 4 O (BO 3) 3 crystal
WO2015070589A1 (en) Manufacturing method for polycrystalline silicon thin-film substrate
US20150340382A1 (en) Display substrate and manufacturing method thereof, display device
CN203834053U (en) Device for annealing compound semiconductor material
RU2011149970A (en) METHOD FOR FORMING A BIDOMAIN STRUCTURE IN MONOCRYSTAL PLATES
JP6785573B2 (en) A method for manufacturing a substrate having a coating and a substrate having a corresponding coating.
CN103757687A (en) New-structure crystal growth container
RU185533U1 (en) ELECTRO-OPTICAL MODULATOR ON KTiOPO4 CRYSTALS FOR LASERS WITH HIGH MEDIUM POWER
JP2012133344A5 (en)
JP2015050616A (en) Quartz wafer
Komatsu et al. KNbO3 plate crystal grown by micro-pulling-down method from stoichiometric melt
RU2016119274A (en) Faraday isolator with crystal magneto-optical rotator for high power lasers
JP2015012142A (en) Laser crystal
Jia et al. Research on defects and domain characteristics of MgO-doped near-stoichiometric lithium tantalate in room-temperature polarization process
KR101293167B1 (en) Methods for light source thermal annealing at high pressure and light source thermal annealing apparatus thereof
RU2014150782A (en) METHOD FOR ALLOYING SEMICONDUCTOR PLATES
WO2015029569A1 (en) Artificial crystal growth method
Martynyuk-Lototska et al. Acoustic, elastic and acoustooptic properties of Tl3AsSe3 crystals: acoustic isotropic point
Ariga et al. Fabrication of walk-off compensating wavelength-conversion devices with stacks of multiple plates by use of room-temperature bonding