RU2013157047A - Способ получения проводящих сетчатых микро- и наноструктур и структура для его реализации - Google Patents
Способ получения проводящих сетчатых микро- и наноструктур и структура для его реализации Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013157047A RU2013157047A RU2013157047/07A RU2013157047A RU2013157047A RU 2013157047 A RU2013157047 A RU 2013157047A RU 2013157047/07 A RU2013157047/07 A RU 2013157047/07A RU 2013157047 A RU2013157047 A RU 2013157047A RU 2013157047 A RU2013157047 A RU 2013157047A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- carrier layer
- conductive
- detachable
- Prior art date
Links
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
1. Способ получения проводящих микро - и наноструктур, включающий следующие шаги:a. на первой подложке располагают несущий слой, выполненный в виде перколированной сетки, средняя ширина дорожек которой лежит в диапазоне 10 нм-50 мкм, средняя толщина указанных дорожек в диапазоне 10 нм-10 мкм; средняя величина ячеек сетки в диапазоне 100 нм-10 мм, который имеет в своем составе, по меньшей мере, один слой, выполненный как минимум из одного металлического или неметаллического проводящего материала или комбинации данных материалов;b. формируют на несущем слое, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой при помощи гальванического осаждения или электрофореза, в частности диэлектрофореза, или каталитического или термического осаждения из жидкой или газовой фазы;c. соединяют вторую подложку с, по меньшей мере, одной областью отсоединяемого проводящего слоя, расположенного на несущем слое первой подложки;d. отделяют вторую подложку, причем, по меньшей мере, часть отсоединяемого проводящего слоя отделяется от несущего слоя и остается на второй подложке в виде, по меньшей мере, части проводящей сетки.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что на поверхности несущего слоя создают дополнительный проводящий или диэлектрический слой, обеспечивающий снижение адгезии к отсоединяемому слою.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что на несущем слое формируют, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой посредством реакции серебряного или медного зеркала с нагревом несущего слоя, протекающим через него электрическим током или посредством нагрева несущего слоя внешним источником тепла.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что на нес
Claims (24)
1. Способ получения проводящих микро - и наноструктур, включающий следующие шаги:
a. на первой подложке располагают несущий слой, выполненный в виде перколированной сетки, средняя ширина дорожек которой лежит в диапазоне 10 нм-50 мкм, средняя толщина указанных дорожек в диапазоне 10 нм-10 мкм; средняя величина ячеек сетки в диапазоне 100 нм-10 мм, который имеет в своем составе, по меньшей мере, один слой, выполненный как минимум из одного металлического или неметаллического проводящего материала или комбинации данных материалов;
b. формируют на несущем слое, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой при помощи гальванического осаждения или электрофореза, в частности диэлектрофореза, или каталитического или термического осаждения из жидкой или газовой фазы;
c. соединяют вторую подложку с, по меньшей мере, одной областью отсоединяемого проводящего слоя, расположенного на несущем слое первой подложки;
d. отделяют вторую подложку, причем, по меньшей мере, часть отсоединяемого проводящего слоя отделяется от несущего слоя и остается на второй подложке в виде, по меньшей мере, части проводящей сетки.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что на поверхности несущего слоя создают дополнительный проводящий или диэлектрический слой, обеспечивающий снижение адгезии к отсоединяемому слою.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что на несущем слое формируют, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой посредством реакции серебряного или медного зеркала с нагревом несущего слоя, протекающим через него электрическим током или посредством нагрева несущего слоя внешним источником тепла.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что на несущем слое формируют, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой посредством приложения к несущему слою электрического потенциала и гальванического осаждения металла из содержащего катионы осаждаемого металла электролита.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что на несущем слое формируют, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой посредством приложения к несущему слою переменного электрического потенциала и последующего диэлектрофореза нанопроволок из содержащего нанопроволоки коллоидного раствора.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что после диэлектрофореза нанопроволок из содержащего нанопроволоки коллоидного раствора осуществляют гальваническое осаждение металла из содержащего катионы осаждаемого металла электролита.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что на несущем слое формируют, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой посредством синтеза графена, и/или углеродных нанотрубок, и/или графита в рамках реакции химического осаждения из газовой фазы, при этом, по меньшей мере, часть несущего слоя выполнена из материла, являющегося катализатором для синтеза графена, и/или углеродных нанотрубок, и/или графита методом химического осаждения из газовой фазы.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что при соединении второй подложки с, по меньшей мере, одной областью отсоединяемого проводящего слоя, расположенного на первой подложке, осуществляют нагрев несущего слоя посредством протекающего через него электрического тока.
9. Способ по любому из пп.1-8, отличающийся тем, что после отделения второй подложки от первой подложки указанная, по меньшей мере, часть проводящей сетки дополнительно обрабатывают посредством гальванического осаждения или травления, электрофореза, в частности диэлектрофореза, каталитического или термического осаждения из жидкой или газовой фазы, жидкостного или газофазного травления.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что на несущем слое формируют, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой посредством приложения к несущему слою переменного электрического потенциала и последующего диэлектрофореза нанопроволок из содержащего нанопроволоки коллоидного раствора, а в качестве дополнительной обработки используют гальваническое осаждение металла.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что в качестве нанопроволок используют углеродные нанотрубки и/или серебряные наностержни.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве второй подложки используют диэлектрическую подложку, которая содержит на своей поверхности слой проводящих наночастиц или нанопроволок.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве второй подложки используют диэлектрическую подложку, на которой формируют слой наночастиц или нанопроволок после разделения второй подложки с первой подложкой, поверх, по меньшей мере, части проводящей сетки, перенесенной на вторую подложку.
14. Способ по любому из п.12 или 13, отличающийся тем, что в качестве нанопроволок используют углеродные нанотрубки и/или серебряные наностержни.
15. Способ по п.1, отличающийся тем, что после отделения второй подложки от первой подложки указанную часть проводящей сетки механически снимают с указанной второй подложки с образованием свободной от подложки проводящей сетки.
16. Способ по п.9, отличающийся тем, что после отделения второй подложки от первой подложки указанную часть проводящей сетки механически снимают с указанной второй подложки с образованием свободной от подложки проводящей сетки.
17. Структура для формирования микро- и наноструктурированных проводящих покрытий способом по пп.1-16, представляющая собой подложку, на которой в форме перколированной сетки, средняя ширина дорожек которой лежит в диапазоне 10 нм-50 мкм, средняя толщина указанных дорожек в диапазоне 10 нм-10 мкм; средняя величина ячеек сетки в диапазоне 100 нм-10 мм, расположен несущий слой, состоящий, по меньшей мере, из одного слоя, выполненного, по меньшей мере, из одного металлического или неметаллического проводящего материала или комбинации данных материалов, на указанном несущем слое расположен, по меньшей мере, один отсоединяемый слой.
18. Структура по п.17, отличающаяся тем, что отсоединяемый слой выполнен из проводящего материала посредством гальванического осаждения или электрофореза, в частности диэлектрофореза, или каталитического или термического осаждения из жидкой или газовой фазы.
19. Структура по п.17, отличающаяся тем, чт, на поверхности несущего слоя дополнительно сформирован проводящий или диэлектрический слой, обеспечивающий снижение адгезии к отсоединяемому слою.
20. Структура по п.17, отличающаяся тем, что на несущем слое сформирован, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой нанопроволок.
21. Структура по п.20, отличающаяся тем, что в качестве нанопроволок использованы углеродные нанотрубки и/или серебряные наностержни.
22. Структура по п.17, отличающаяся тем, что на несущем слое сформирован, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой из графена, и/или углеродных нанотрубок, и/или графита, при этом, по меньшей мере, часть несущего слоя выполнена из материла, являющегося катализатором для синтеза графен, и/или углеродных нанотрубок, и/или графита.
23. Структура по п.17, отличающаяся тем, что на несущем слое сформирован, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой из металла.
24. Структура по п.23, отличающаяся тем, что отсоединяемый слой выполнен посредством гальванического или термического осаждения.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013157047/07A RU2593463C2 (ru) | 2013-12-23 | 2013-12-23 | Способ получения проводящих сетчатых микро- и наноструктур и структура для его реализации |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013157047/07A RU2593463C2 (ru) | 2013-12-23 | 2013-12-23 | Способ получения проводящих сетчатых микро- и наноструктур и структура для его реализации |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013157047A true RU2013157047A (ru) | 2015-06-27 |
| RU2593463C2 RU2593463C2 (ru) | 2016-08-10 |
Family
ID=53497211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013157047/07A RU2593463C2 (ru) | 2013-12-23 | 2013-12-23 | Способ получения проводящих сетчатых микро- и наноструктур и структура для его реализации |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2593463C2 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11063120B2 (en) | 2017-12-29 | 2021-07-13 | Texas Instruments Incorporated | Metal-graphene structures forming a lattice of interconnected segments |
| RU2758792C2 (ru) * | 2016-07-28 | 2021-11-01 | Люмет Текнолоджи Лтд. | Нанесение электрических проводников солнечного элемента |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180326452A1 (en) | 2017-05-10 | 2018-11-15 | Metamaterial Technologies Usa, Inc. | Self-cleanable transparent conductive surface/film |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2368565C2 (ru) * | 2006-12-26 | 2009-09-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Проводящая молекулярная структура и способ ее создания |
| CN105171985A (zh) * | 2008-01-22 | 2015-12-23 | 罗利诗公司 | 大面积纳米图案化方法和设备 |
| DE102008034616A1 (de) * | 2008-07-25 | 2010-02-04 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Prägefolie und deren Verwendung sowie Verfahren zur Herstellung von Strukturelementen aus Kupfer |
-
2013
- 2013-12-23 RU RU2013157047/07A patent/RU2593463C2/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2758792C2 (ru) * | 2016-07-28 | 2021-11-01 | Люмет Текнолоджи Лтд. | Нанесение электрических проводников солнечного элемента |
| US11570902B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-01-31 | Lumet Technologies, LTD. | Flexible membrane for applying a pattern to a substrate |
| US11832395B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-11-28 | Landa Labs (2012) Ltd. | Application of electrical conductors to an electrically insulating substrate |
| US11063120B2 (en) | 2017-12-29 | 2021-07-13 | Texas Instruments Incorporated | Metal-graphene structures forming a lattice of interconnected segments |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2593463C2 (ru) | 2016-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Su et al. | High-quality thin graphene films from fast electrochemical exfoliation | |
| Sarma et al. | Electrocatalysis on edge-rich spiral WS2 for hydrogen evolution | |
| Vicarelli et al. | Controlling defects in graphene for optimizing the electrical properties of graphene nanodevices | |
| Li et al. | Edge-enriched 2D MoS2 thin films grown by chemical vapor deposition for enhanced catalytic performance | |
| Cui et al. | Synthesis of ultrathin copper nanowires using tris (trimethylsilyl) silane for high-performance and low-haze transparent conductors | |
| Shi et al. | Scalable seashell-based chemical vapor deposition growth of three-dimensional graphene foams for oil–water separation | |
| Shao et al. | Shape-engineered synthesis of atomically thin 1T-SnS2 catalyzed by potassium halides | |
| Chu et al. | Spray-deposited large-area copper nanowire transparent conductive electrodes and their uses for touch screen applications | |
| Parvez et al. | Exfoliation of graphite into graphene in aqueous solutions of inorganic salts | |
| Sun et al. | Direct chemical vapor deposition-derived graphene glasses targeting wide ranged applications | |
| Xue et al. | Low temperature growth of highly nitrogen-doped single crystal graphene arrays by chemical vapor deposition | |
| Behranginia et al. | Highly efficient hydrogen evolution reaction using crystalline layered three-dimensional molybdenum disulfides grown on graphene film | |
| Chen et al. | Highly conductive and flexible paper of 1D silver-nanowire-doped graphene | |
| Ganguly et al. | Probing the thermal deoxygenation of graphene oxide using high-resolution in situ X-ray-based spectroscopies | |
| Gerein et al. | Effect of ac electrodeposition conditions on the growth of high aspect ratio copper nanowires in porous aluminum oxide templates | |
| Zuo et al. | Metal (Ag, Pt)–MoS2 hybrids greenly prepared through photochemical reduction of femtosecond laser pulses for SERS and HER | |
| Morin et al. | Screw dislocation-driven growth of two-dimensional nanoplates | |
| Hu et al. | Oxidation-sulfidation approach for vertically growing MoS2 nanofilms catalysts on molybdenum foils as efficient HER catalysts | |
| Ho et al. | Self-crack-filled graphene films by metallic nanoparticles for high-performance graphene heterojunction solar cells. | |
| KR102203157B1 (ko) | 기판들 간의 필름들의 전사를 위한 방법 및 장치 | |
| Ganapathi et al. | Anodic aluminum oxide template assisted synthesis of copper nanowires using a galvanic displacement process for electrochemical denitrification | |
| Zaretski et al. | Metal-assisted exfoliation (MAE): green, roll-to-roll compatible method for transferring graphene to flexible substrates | |
| KR20140044795A (ko) | 그래핀의 생산 | |
| Tarish et al. | Synchronous formation of ZnO/ZnS core/shell nanotube arrays with removal of template for meliorating photoelectronic performance | |
| JP2012025652A (ja) | 金属ピンが設けられたグラフェンシートを備える構造の製造方法、その方法により得られる構造、およびその構造の利用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20161224 |