RU2013154948A - Способ обнаружения дефектов на поверхности ферромагнитных материалов и изделий и устройство для его осуществления - Google Patents

Abstract

1. Способ обнаружения дефектов на поверхности ферромагнитных материалов и изделий, предусматривающий подвод к объекту контроля магнитного поля и регистрацию электрических сигналов, обусловленных магнитным потоком рассеяния, возникающим на дефекте, отличающийся тем, что намагничивание объекта контроля или его части производят однополярными или двух полярными импульсами магнитного поля, и дополнительно осуществляют акустическую задержку электрических сигналов, обусловленных взаимодействием магнитных импульсов с дефектом, причем минимальное значение этой задержки должно удовлетворять условию: τ≥То, где То - эффективная длительность импульса магнитного поля, приложенного к исследуемой области объекта контроля, причем в качестве, по крайней мере, части звукопровода акустической линии задержки используют сам объект контроля.2. Способ обнаружения дефектов на поверхности ферромагнитных материалов и изделий по п.1, отличающийся тем, что акустическую задержку осуществляют путем трансформации части энергии магнитных импульсов, взаимодействующих с дефектом, в энергию Рэлеевской упругой волны, распространяющейся по поверхности объекта контроля на некоторое расстояние R, и приема ее с помощью ультразвукового преобразователя, причем регистрацию электрических сигналов, обусловленных взаимодействием магнитных импульсов с дефектом, осуществляют, как правило, на частоте, в N раз превышающей основную частоту спектра импульса магнитного поля, прикладываемого к объекту контроля, где N=2,3,4,…3. Устройство для обнаружения дефектов на поверхности ферромагнитных материалов и изделий, содержащее располагающиеся вбл�

Claims (4)

1. Способ обнаружения дефектов на поверхности ферромагнитных материалов и изделий, предусматривающий подвод к объекту контроля магнитного поля и регистрацию электрических сигналов, обусловленных магнитным потоком рассеяния, возникающим на дефекте, отличающийся тем, что намагничивание объекта контроля или его части производят однополярными или двух полярными импульсами магнитного поля, и дополнительно осуществляют акустическую задержку электрических сигналов, обусловленных взаимодействием магнитных импульсов с дефектом, причем минимальное значение этой задержки должно удовлетворять условию: τ_мин≥То, где То - эффективная длительность импульса магнитного поля, приложенного к исследуемой области объекта контроля, причем в качестве, по крайней мере, части звукопровода акустической линии задержки используют сам объект контроля.

2. Способ обнаружения дефектов на поверхности ферромагнитных материалов и изделий по п.1, отличающийся тем, что акустическую задержку осуществляют путем трансформации части энергии магнитных импульсов, взаимодействующих с дефектом, в энергию Рэлеевской упругой волны, распространяющейся по поверхности объекта контроля на некоторое расстояние R, и приема ее с помощью ультразвукового преобразователя, причем регистрацию электрических сигналов, обусловленных взаимодействием магнитных импульсов с дефектом, осуществляют, как правило, на частоте, в N раз превышающей основную частоту спектра импульса магнитного поля, прикладываемого к объекту контроля, где N=2,3,4,…

3. Устройство для обнаружения дефектов на поверхности ферромагнитных материалов и изделий, содержащее располагающиеся вблизи объекта контроля источник магнитного поля и приемный элемент, соединенный с регистрирующим устройством, отличающееся тем, что приемный элемент размещен за пределами зоны взаимодействия источника импульсного магнитного поля с дефектом, а именно на расстоянии R, минимальное значение Rmin которого определяется по формуле: Rmin=То∙С, где То - длительность магнитного импульса, С - скорость ультразвуковой волны, возбужденной источником магнитного поля в объекте контроля при взаимодействии импульса магнитного поля с дефектом.

4. Устройство для обнаружения дефектов на поверхности ферромагнитных материалов и изделий по п.3, отличающееся тем, что в качестве приемного элемента может быть использован ультразвуковой преобразователь, например, ЭМАП, или пьезоэлектрический преобразователь, или устройство с применением лазерной техники, причем регистрирующее устройство настроено на частоту, как правило, вдвое превышающую основную частоту спектра импульса магнитного поля, подводимого к объекту контроля.