RU2013125222A - Свч аттенюатор - Google Patents

Abstract

СВЧ аттенюатор, содержащий диэлектрическую подложку, три резистора, соединенные между собой в виде симметричной Т-образной структуры, в которой значения крайних резисторов равны друг другу, а значение среднего резистора выбрано из условия обеспечения режима согласования, отличающийся тем, что все резисторы выполнены в виде резистивной пленки, нанесенной на одну сторону диэлектрическую подложки, на другой стороне которой расположено металлизированное основание, при этом все пленочные резисторы представляют собой отрезки микрополосковых линий передачи одинаковой длины с продольными диссипативными потерями, а крайние резисторы симметричной Т-образной структуры соединены между собой отрезком микрополосковой линии передачи без диссипативных потерь, длина которого равна длине крайних резисторов симметричной Т-образной структуры и к середине которого подключен один конец среднего резистора симметричной Т-образной структуры, другой конец которого соединен с металлизированным основанием, при этом волновые сопротивления отрезков линий передачи с продольными диссипативными потерями связаны между собой соотношением,где ρ<ρ - характеристическое сопротивление крайних резисторов симметричной Т-образной структуры, выполненных в виде отрезка микрополосковой линии передачи с продольными диссипативными потерями;ρ>ρ - характеристическое сопротивление микрополоскового отрезка линии передачи без диссипативных потерь, соединяющего крайние резисторы симметричной Т-образной структуры, и характеристическое сопротивление среднего резистора симметричной Т-образной структуры, выполненного в виде отрезка мик�

Claims (1)

1. СВЧ аттенюатор, содержащий диэлектрическую подложку, три резистора, соединенные между собой в виде симметричной Т-образной структуры, в которой значения крайних резисторов равны друг другу, а значение среднего резистора выбрано из условия обеспечения режима согласования, отличающийся тем, что все резисторы выполнены в виде резистивной пленки, нанесенной на одну сторону диэлектрическую подложки, на другой стороне которой расположено металлизированное основание, при этом все пленочные резисторы представляют собой отрезки микрополосковых линий передачи одинаковой длины с продольными диссипативными потерями, а крайние резисторы симметричной Т-образной структуры соединены между собой отрезком микрополосковой линии передачи без диссипативных потерь, длина которого равна длине крайних резисторов симметричной Т-образной структуры и к середине которого подключен один конец среднего резистора симметричной Т-образной структуры, другой конец которого соединен с металлизированным основанием, при этом волновые сопротивления отрезков линий передачи с продольными диссипативными потерями связаны между собой соотношением

   $${\rho }_1\cdot {\rho }_2=\frac{{\alpha }_2}{{\alpha }_1}\cdot \frac{{\rho }^2}{k}$$

   

   ,

   где ρ₁<ρ - характеристическое сопротивление крайних резисторов симметричной Т-образной структуры, выполненных в виде отрезка микрополосковой линии передачи с продольными диссипативными потерями;

   ρ₂>ρ - характеристическое сопротивление микрополоскового отрезка линии передачи без диссипативных потерь, соединяющего крайние резисторы симметричной Т-образной структуры, и характеристическое сопротивление среднего резистора симметричной Т-образной структуры, выполненного в виде отрезка микрополосковой линии передачи с продольными диссипативными потерями;

   α₁ - значение первого элемента нормированного низкочастотного П-образного фильтра третьего порядка;

   α₂ - значение второго элемента нормированного низкочастотного П-образного фильтра третьего порядка;

   ρ - характеристическое сопротивление аттенюатора, равное сопротивлению согласованной нагрузки для аттенюатора;

   k - значение корректирующего коэффициента, равного 1,39 и учитывающего влияние скачков характеристического сопротивления микрополосковых отрезков линий передачи от ρ₁ до ρ₂.