RU2013100521A - СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ p-n-ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ - Google Patents
СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ p-n-ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013100521A RU2013100521A RU2013100521/28A RU2013100521A RU2013100521A RU 2013100521 A RU2013100521 A RU 2013100521A RU 2013100521/28 A RU2013100521/28 A RU 2013100521/28A RU 2013100521 A RU2013100521 A RU 2013100521A RU 2013100521 A RU2013100521 A RU 2013100521A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- aluminum
- crystals
- junctions
- surface protection
- crystal
- Prior art date
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Способ защиты поверхности кристаллов р-n переходов на основе алюминия, включающий защиту поверхности р-n переходов, отличающийся тем, что процесс ведут в печи на основе окиси алюминия в виде порошка при температуре 1050°С, температура кристалла -850°С, а в качестве несущего агента служит галоген HBr, расстояние между источником окиси алюминия и кристалла равно 15 см, при этом толщина пленки окиси алюминия δ=0,9±0,1 мкм.
Claims (1)
- Способ защиты поверхности кристаллов р-n переходов на основе алюминия, включающий защиту поверхности р-n переходов, отличающийся тем, что процесс ведут в печи на основе окиси алюминия в виде порошка при температуре 1050°С, температура кристалла -850°С, а в качестве несущего агента служит галоген HBr, расстояние между источником окиси алюминия и кристалла равно 15 см, при этом толщина пленки окиси алюминия δ=0,9±0,1 мкм.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013100521/28A RU2534390C2 (ru) | 2013-01-09 | 2013-01-09 | СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ p-n ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013100521/28A RU2534390C2 (ru) | 2013-01-09 | 2013-01-09 | СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ p-n ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013100521A true RU2013100521A (ru) | 2014-07-20 |
| RU2534390C2 RU2534390C2 (ru) | 2014-11-27 |
Family
ID=51215010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013100521/28A RU2534390C2 (ru) | 2013-01-09 | 2013-01-09 | СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ p-n ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2534390C2 (ru) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2370852C1 (ru) * | 2008-07-17 | 2009-10-20 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | МЕТОД ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ p-n-ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ЛЕГКОПЛАВКОГО СТЕКЛА |
| RU2009149647A (ru) * | 2009-12-30 | 2011-07-10 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Универс | Способ защиты кристаллов на основе легкоплавкого стекла |
-
2013
- 2013-01-09 RU RU2013100521/28A patent/RU2534390C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2534390C2 (ru) | 2014-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SG11201509734YA (en) | Semiconductor wafer protective film and method of manufacturing semiconductor device | |
| KR102180168B9 (ko) | 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프 및 반도체 웨이퍼의 가공 방법 | |
| TWI563542B (en) | Approach of controlling the wafer and the thin film surface temperature | |
| BR112014031627A2 (pt) | superfícies nanotexturizadas antineblina e artigos contendo os mesmos | |
| AR096030A1 (es) | Capa de protección ante la oxidación sobre la base de cromo | |
| EP3613082A4 (en) | AIR AND DIAMOND BRIDGE FOR THERMAL MANAGEMENT OF HIGH POWER DEVICES | |
| TWI560256B (en) | Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer and method manufacturing the same | |
| JP2014241409A5 (ja) | 酸化物半導体膜の作製方法 | |
| KR102276146B9 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 | |
| PH12016501670B1 (en) | Protective film-forming film and method of manufacturing semiconductor chip with protective film | |
| SG10201913156WA (en) | Device substrate with high thermal conductivity and method of manufacturing the same | |
| JP2014007398A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| EP2941786A4 (en) | SYSTEM AND METHOD FOR THE THERMAL MANAGEMENT OF HIGH-TEMPERATURE PROCESSES FOR TEMPERATURE-SENSITIVE SUBSTRATES | |
| SG11202010428UA (en) | Device and method for attaching protective tape to semiconductor wafer | |
| RU2013100521A (ru) | СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ p-n-ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ | |
| CL2017001187A1 (es) | Método para preparar contendores pet que tienen un recubrimiento de barrera de dióxido de silicio | |
| RU2013101309A (ru) | СПОСОБ ЗАЩИТЫ p-n-ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ОКИСИ БЕРИЛЛИЯ | |
| RU2013100520A (ru) | Способ формирования диэлектрической пленки | |
| RU2013100523A (ru) | Способ защиты p-n переходов на основе окиси титана | |
| RU2013134683A (ru) | Способ подготовки изделий перед нанесением адгезивного слоя либо защитного покрытия | |
| RU2013101311A (ru) | СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ p-n-ПЕРЕХОДОВ | |
| RU2017136489A (ru) | Способ защиты кремниевых структур на основе свинцово-силикатного стекла | |
| UA108145U (uk) | СПОСІБ ВИГОТОВЛЕННЯ ГЕТЕРОШАРІВ CdTe ГЕКСАГОНАЛЬНОЇ МОДИФІКАЦІЇ | |
| RU2013137978A (ru) | Способ защиты кристаллов на основе легкоплавкого стекла | |
| PH22017000515Y1 (en) | Composite release tape |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150110 |