UA108145U - СПОСІБ ВИГОТОВЛЕННЯ ГЕТЕРОШАРІВ CdTe ГЕКСАГОНАЛЬНОЇ МОДИФІКАЦІЇ - Google Patents

СПОСІБ ВИГОТОВЛЕННЯ ГЕТЕРОШАРІВ CdTe ГЕКСАГОНАЛЬНОЇ МОДИФІКАЦІЇ

Info

Publication number
UA108145U
UA108145U UAU201511636U UAU201511636U UA108145U UA 108145 U UA108145 U UA 108145U UA U201511636 U UAU201511636 U UA U201511636U UA U201511636 U UAU201511636 U UA U201511636U UA 108145 U UA108145 U UA 108145U
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
cdte
hexagonal modification
manufacturing
hetero layers
layers
Prior art date
Application number
UAU201511636U
Other languages
English (en)
Inventor
Віктор Петровіч Махній
Михайло Михайлович Сльотов
Олексій Михайлович Сльотов
Original Assignee
Чернівецький Національний Університет Імені Юрія Федьковича
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Чернівецький Національний Університет Імені Юрія Федьковича filed Critical Чернівецький Національний Університет Імені Юрія Федьковича
Priority to UAU201511636U priority Critical patent/UA108145U/uk
Publication of UA108145U publication Critical patent/UA108145U/uk

Links

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Спосіб виготовлення гетерошарів CdTe гексагональної модифікації, що включає підготовку базової підкладинки та її відпал у парі ізовалентної домішки, причому підкладинкою слугує пластинка α-CdSe, відпал якої проводиться у парі Те при температурі 600-.
UAU201511636U 2015-11-25 2015-11-25 СПОСІБ ВИГОТОВЛЕННЯ ГЕТЕРОШАРІВ CdTe ГЕКСАГОНАЛЬНОЇ МОДИФІКАЦІЇ UA108145U (uk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201511636U UA108145U (uk) 2015-11-25 2015-11-25 СПОСІБ ВИГОТОВЛЕННЯ ГЕТЕРОШАРІВ CdTe ГЕКСАГОНАЛЬНОЇ МОДИФІКАЦІЇ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201511636U UA108145U (uk) 2015-11-25 2015-11-25 СПОСІБ ВИГОТОВЛЕННЯ ГЕТЕРОШАРІВ CdTe ГЕКСАГОНАЛЬНОЇ МОДИФІКАЦІЇ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA108145U true UA108145U (uk) 2016-07-11

Family

ID=56562459

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAU201511636U UA108145U (uk) 2015-11-25 2015-11-25 СПОСІБ ВИГОТОВЛЕННЯ ГЕТЕРОШАРІВ CdTe ГЕКСАГОНАЛЬНОЇ МОДИФІКАЦІЇ

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA108145U (uk)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3533836A4 (en) HEAT-CONDUCTING SILICONE COMPOSITION, SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT
EP3385353A4 (en) COMPOSITION FOR ETCHING AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR CONSTRUCTION ELEMENT THEREWITH
FR3029682B1 (fr) Substrat semi-conducteur haute resistivite et son procede de fabrication
EP3349238A4 (en) METHOD FOR PRODUCING A NITRIDE SUBSTRATE SUBSTRATE, NITRIDE SUBSTRATE SUBSTRATE AND DEVICE FOR HEATING THE SAME
EP3018701A4 (en) Method for fabrication of semiconductor part, circuit substrate and electronic device comprising semiconductor part, and method for dicing of substrate
EP3206227A4 (en) Heat dissipation substrate and method for manufacturing said heat dissipation substrate
EP3226294A4 (en) Half-bridge power semiconductor module and method for manufacturing same
KR20180084762A (ko) 비정질 투명 도전성 필름, 그리고, 결정질 투명 도전성 필름 및 그 제조 방법
EP3204966A4 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
EP3026716A4 (en) Semiconductor light emitting element and method for manufacturing same
EP3007209A4 (en) Method for manufacturing sic single-crystal substrate for epitaxial sic wafer, and sic single-crystal substrate for epitaxial sic wafer
FR3010233B1 (fr) Structure semiconductrice a zones d'emission commutables, procede de fabrication d'une telle structure et dispositif semiconducteur comportant une telle structure
EP3057144A4 (en) Method for producing substrate for semiconductor light emitting elements, method for manufacturing semiconductor light emitting element, substrate for semiconductor light emitting elements, and semiconductor light emitting element
SG10201913156WA (en) Device substrate with high thermal conductivity and method of manufacturing the same
EP3242339A4 (en) Organic semiconductor composition and method for manufacturing organic semiconductor element
EP3010037A4 (en) Silicon carbide semiconductor device manufacturing method
EP3366817A4 (en) BASE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING BASE SUBSTRATE, AND PROCESS FOR MANUFACTURING GROUP 13 NITRIDE CRYSTAL
SG11201506429SA (en) Epitaxial silicon wafer and method for manufacturing same
EP3101160A4 (en) Semiconductor substrate manufacturing method
EP2955743A4 (en) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE OF SILICON CARBIDE
EP3246959A4 (en) Compound semiconductor thermoelectric material and method for manufacturing same
EP3712703A4 (en) COOLING DEVICE, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE, AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS
EP3141635A4 (en) Semiconductor substrate, epitaxial wafer, and method for manufacturing epitaxial wafer
EP3416203A4 (en) CERAMIC PLATE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
GB2542316B (en) Manufacturing method and structure of oxide semiconductor TFT substrate