RU2012148945A

RU2012148945A - Способ электрохимической рентгеновской бесконтактной литографии

Info

Publication number: RU2012148945A
Application number: RU2012148945/28A
Authority: RU
Inventors: Кирилл Сергеевич Напольский; Андрей Анатольевич Елисеев; Нина Александровна Саполетова; Дмитрий Игоревич Петухов; Анатолий Александрович СНИГИРЕВ; Ираида Ивановна СНИГИРЕВА
Original assignee: Общество с Ограниченной Ответственностью "Фабрика новых материалов"
Priority date: 2012-11-19
Filing date: 2012-11-19
Publication date: 2014-05-27
Also published as: RU2529592C2

Abstract

1. Способ электрохимической рентгеновской бесконтактной литографии, заключающийся в проведении гальванической обработки материала при одновременном облучении поверхности рабочего электрода рентгеновским излучением.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что поток рентгеновского излучения составляет более 10фотонов/(с·см).3. Способ по п.2, отличающийся тем, что энергия фотоном рентгеновского излучения составляет более 50 эВ.4. Способ по п.3, отличающийся тем, что геометрия создаваемой на поверхности электрода структуры определяется распределением интенсивности рентгеновского излучения.5. Способ по п.4, отличающийся тем, что модуляция интенсивности задается с помощью фазового, амплитудного или амплитудно-фазового шаблона (маски).6. Способ по п.5, отличающийся тем, что маску располагают на некотором расстоянии от структурируемой поверхности.7. Способ по п.1, отличающийся тем, что рабочий электрод выступает в качестве катода или анода.8. Способ по п.7, отличающийся тем, что используются потенциостатические, гальваностатические и потенциодинамические режимы осаждения/растворения.9. Способ по п.7, отличающийся тем, что используются водные, органические и водно-органические электролиты.

Claims

1. Способ электрохимической рентгеновской бесконтактной литографии, заключающийся в проведении гальванической обработки материала при одновременном облучении поверхности рабочего электрода рентгеновским излучением.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что поток рентгеновского излучения составляет более 10¹³ фотонов/(с·см²).

3. Способ по п.2, отличающийся тем, что энергия фотоном рентгеновского излучения составляет более 50 эВ.

4. Способ по п.3, отличающийся тем, что геометрия создаваемой на поверхности электрода структуры определяется распределением интенсивности рентгеновского излучения.

5. Способ по п.4, отличающийся тем, что модуляция интенсивности задается с помощью фазового, амплитудного или амплитудно-фазового шаблона (маски).

6. Способ по п.5, отличающийся тем, что маску располагают на некотором расстоянии от структурируемой поверхности.

7. Способ по п.1, отличающийся тем, что рабочий электрод выступает в качестве катода или анода.

8. Способ по п.7, отличающийся тем, что используются потенциостатические, гальваностатические и потенциодинамические режимы осаждения/растворения.

9. Способ по п.7, отличающийся тем, что используются водные, органические и водно-органические электролиты.