RU2012124397A - Способ получения полупроводниковых наночастиц - Google Patents

Способ получения полупроводниковых наночастиц Download PDF

Info

Publication number
RU2012124397A
RU2012124397A RU2012124397/28A RU2012124397A RU2012124397A RU 2012124397 A RU2012124397 A RU 2012124397A RU 2012124397/28 A RU2012124397/28 A RU 2012124397/28A RU 2012124397 A RU2012124397 A RU 2012124397A RU 2012124397 A RU2012124397 A RU 2012124397A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
formation
sample
semiconductor nanoparticles
producing semiconductor
pbte
Prior art date
Application number
RU2012124397/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2517781C2 (ru
Inventor
Александр Анатольевич Антипов
Стелла Владимировна Кутровская
Алексей Олегович Кучерик
Антон Владиславович Осипов
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ) filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ)
Priority to RU2012124397/28A priority Critical patent/RU2517781C2/ru
Publication of RU2012124397A publication Critical patent/RU2012124397A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2517781C2 publication Critical patent/RU2517781C2/ru

Links

Landscapes

  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

Способ получения полупроводниковых наночастиц на основе халькогенидов металлов, отличающийся тем, что полупроводниковый образец (например, кристалл халькогенида свинца - PbTe, PbS, PbSe) помещают в инертную (во избежание образования оксидов) жидкую фазу (например, глицерин), лазерное излучение фокусируют со стороны раствора на границе раздела образец-жидкость с диаметром пятна от 50 мкм до 100 мкм варьируя, мощностью в диапазоне от 4 Вт до 10 Вт без образования оптического пробоя.

Claims (1)

  1. Способ получения полупроводниковых наночастиц на основе халькогенидов металлов, отличающийся тем, что полупроводниковый образец (например, кристалл халькогенида свинца - PbTe, PbS, PbSe) помещают в инертную (во избежание образования оксидов) жидкую фазу (например, глицерин), лазерное излучение фокусируют со стороны раствора на границе раздела образец-жидкость с диаметром пятна от 50 мкм до 100 мкм варьируя, мощностью в диапазоне от 4 Вт до 10 Вт без образования оптического пробоя.
RU2012124397/28A 2012-06-13 2012-06-13 Способ получения полупроводниковых наночастиц RU2517781C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012124397/28A RU2517781C2 (ru) 2012-06-13 2012-06-13 Способ получения полупроводниковых наночастиц

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012124397/28A RU2517781C2 (ru) 2012-06-13 2012-06-13 Способ получения полупроводниковых наночастиц

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012124397A true RU2012124397A (ru) 2013-12-20
RU2517781C2 RU2517781C2 (ru) 2014-05-27

Family

ID=49784528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012124397/28A RU2517781C2 (ru) 2012-06-13 2012-06-13 Способ получения полупроводниковых наночастиц

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2517781C2 (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2587537C1 (ru) * 2015-04-10 2016-06-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ) Способ осаждения полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца из коллоидных растворов
RU2630342C1 (ru) * 2015-12-21 2017-09-07 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Способ извлечения углеродных нанотрубок из дисперсного углерод-катализаторного композита

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5231047A (en) * 1991-12-19 1993-07-27 Energy Conversion Devices, Inc. High quality photovoltaic semiconductor material and laser ablation method of fabrication same
RU2417155C2 (ru) * 2009-01-22 2011-04-27 Закрытое акционерное общество "Объединенная компания высокорискового инновационного финансирования ОК ВИНФИН" Способ получения наноразмерных частиц, наноструктуирования, упрочнения поверхности и устройство для его реализации
RU130402U1 (ru) * 2012-10-19 2013-07-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ) Устройство для получения коллоидного раствора наночастиц в жидкости методом лазерной абляции

Also Published As

Publication number Publication date
RU2517781C2 (ru) 2014-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013110380A5 (ja) 酸化物半導体膜の作製方法及び半導体装置の作製方法
WO2014161534A3 (de) Verfahren und vorrichtung zum einbringen von durchbrechungen in ein substrat sowie ein derart hergestelltes substrat
EP3029394A4 (en) Photovoltaic power generation device and method using optical beam uniformly condensed by using plane mirrors and cooling method by direct contact
MA40654A1 (fr) Capteur solaire
EA201690433A1 (ru) Способ получения подложки, снабженной покрытием, содержащим несплошной тонкий металлический слой
GB201205591D0 (en) Apparatus and methods for additive-layer manufacturing of an article
IN2014KN02882A (ru)
MX2016003664A (es) Dispositivo y procedimiento de marcado laser de una lentilla oftalmica con un pulso laser de longitud de onda y energia por pulsos seleccionados.
WO2012032064A3 (en) Chalcopyrite-type semiconductor photovoltaic device
FR3025055B1 (fr) Dispositif electrochimique pour le stockage de l'energie electrique et la production d'hydrogene, et procede de production d'hydrogene
EP2962537A4 (en) COMPACT, HIGH INTENSITY, HIGH YIELD LASER DIODE ATTACK CIRCUIT
BR112015009488B8 (pt) Método de preparação de nanopartículas de óxido de ferro (iii), nanopartículas de óxido de ferro (iii), material para anodo, anodo e dispositivo eletroquímico
RU2012124397A (ru) Способ получения полупроводниковых наночастиц
WO2014130429A3 (en) Caged platinum nanoclusters for anticancer chemotherapeutics
FR3001180B1 (fr) Dispositif de laminage, procede de laminage, film d'electrolyte ainsi obtenu et ensemble de stockage d'energie forme a partir d'au moins un film ainsi lamine
EP3029742A4 (en) Metal chalcogenide nanoparticles for preparing light absorption layer of solar cell, and preparation method therefor
JP2015012261A5 (ru)
TW201612325A (en) Complexed nanoparticle material, composition and use comprising the same for heating liquid
EP2927909A4 (en) APPARATUS FOR QUANTUM BEAM GENERATION, METHOD FOR QUANTUM MOLDING AND DEVICE FOR LASER FUSION
EA201990014A1 (ru) Узел токоподводящего наконечника с жидкостным охлаждением для наплавления металла
MA42307A (fr) Dispositif électrochimique pour le stockage de l'énergie électrique
RU2014145309A (ru) Электрохимический способ получения наноразмерных структур оксида титана (iv)
EP2709154A3 (en) Semiconductor Device and Method for Making the Same
WO2014042531A3 (en) Double tilt holder and multicontact device
RU2012104895A (ru) Способ изготовления нанотехнологического штрих-кода для металлических изделий

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170614