RU2012120813A - Устройство для защиты интегральных микросхем от тиристорного эффекта - Google Patents
Устройство для защиты интегральных микросхем от тиристорного эффекта Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012120813A RU2012120813A RU2012120813/08A RU2012120813A RU2012120813A RU 2012120813 A RU2012120813 A RU 2012120813A RU 2012120813/08 A RU2012120813/08 A RU 2012120813/08A RU 2012120813 A RU2012120813 A RU 2012120813A RU 2012120813 A RU2012120813 A RU 2012120813A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- output
- resistor
- transistor
- comparator
- diode
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
1. Устройство для защиты интегральных микросхем от тиристорного эффекта, содержащее датчик тока, резистивный мост, состоящий из первого и второго резистивных делителей, состоящих соответственно из последовательно включенных первого и второго резисторов и третьего и четвертого резисторов, при этом первый резистивный делитель включен между первым выводом датчика тока и общей шиной, второй резистивный делитель - между вторым выводом датчика тока и общей шиной, компаратор напряжения, генератор импульсной последовательности с большой скважностью, выход которого подключен к S-входу RS-триггера, мощный p-n-р транзистор, база которого подключена к инверсному выходу RS-триггера, первый n-p-n транзистор, база которого подключена к прямому выходу RS-триггера, а эмиттер - к общей шине, отличающееся тем, что в него введены пятый, шестой, седьмой, восьмой, девятый и десятый резисторы, второй n-p-n транзистор, первый, второй и третий конденсаторы, первый, второй, третий, четвертый, пятый и шестой диоды, при этом входная клемма устройства соединена с первым выводом пятого резистора, коллектором второго n-р-n транзистора и с эмиттером мощного p-n-р транзистора, неинвертирующий вход компаратора соединен со средней точкой первого резистивного делителя, инвертирующий вход компаратора - со средней точкой второго резистивного делителя, между входами компаратора подключен первый конденсатор, шестой резистор подключен между вторым выводом пятого резистора и общей шиной, база второго n-p-n транзистора подключена к точке соединения пятого и шестого резисторов, первый диод анодом подсоединен к эмиттеру второго n-р-n транзистора, а катодом - к инвер�
Claims (2)
1. Устройство для защиты интегральных микросхем от тиристорного эффекта, содержащее датчик тока, резистивный мост, состоящий из первого и второго резистивных делителей, состоящих соответственно из последовательно включенных первого и второго резисторов и третьего и четвертого резисторов, при этом первый резистивный делитель включен между первым выводом датчика тока и общей шиной, второй резистивный делитель - между вторым выводом датчика тока и общей шиной, компаратор напряжения, генератор импульсной последовательности с большой скважностью, выход которого подключен к S-входу RS-триггера, мощный p-n-р транзистор, база которого подключена к инверсному выходу RS-триггера, первый n-p-n транзистор, база которого подключена к прямому выходу RS-триггера, а эмиттер - к общей шине, отличающееся тем, что в него введены пятый, шестой, седьмой, восьмой, девятый и десятый резисторы, второй n-p-n транзистор, первый, второй и третий конденсаторы, первый, второй, третий, четвертый, пятый и шестой диоды, при этом входная клемма устройства соединена с первым выводом пятого резистора, коллектором второго n-р-n транзистора и с эмиттером мощного p-n-р транзистора, неинвертирующий вход компаратора соединен со средней точкой первого резистивного делителя, инвертирующий вход компаратора - со средней точкой второго резистивного делителя, между входами компаратора подключен первый конденсатор, шестой резистор подключен между вторым выводом пятого резистора и общей шиной, база второго n-p-n транзистора подключена к точке соединения пятого и шестого резисторов, первый диод анодом подсоединен к эмиттеру второго n-р-n транзистора, а катодом - к инвертирующему входу компаратора, второй диод подсоединен анодом к инвертирующему входу компаратора, а катодом - к неинвертирующему входу компаратора, первый вывод питания компаратора подключен к входной клемме, а второй вывод питания компаратора соединен с общей шиной, первый вывод датчика тока соединен с коллектором р-n-р транзистора, второй вывод датчика тока соединен с выходом устройства, между первым выводом датчика тока и общей шиной подключен второй конденсатор, седьмой резистор подключен между входной клеммой и выходом компаратора, катод третьего диода соединен с выходом компаратора, а анод этого диода - с анодом четвертого диода, катод последнего соединен с анодом пятого диода, катод которого соединен с R - входом RS - триггера, восьмой резистор подключен между входной клеммой и точкой соединения анодов третьего и четвертого диодов, между упомянутой точкой соединения диодов и общей шиной подключены последовательно соединенные третий конденсатор и девятый резистор, катод шестого диода соединен с катодом четвертого диода, а анод - с клеммой "Вх. имп.», между коллектором мощного p-n-р транзистора и коллектором первого n-p-n транзистора подключен десятый резистор.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что RS-триггер содержит первый и второй диоды, первый и второй p-n-р транзисторы, причем между базой и шиной питания каждого из этих транзисторов подключены соответственно первый и второй резисторы тепловой утечки, а эмиттер второго p-n-р транзистора подключен к шине питания, первый, второй и третий n-p-n транзисторы, причем между базой и общей шиной каждого из упомянутых транзисторов включены соответственно третий, четвертый и пятый резисторы тепловой утечки, эмиттеры первого и третьего n-p-n транзисторов подключены к общей шине, база первого n-р-n транзистора через шестой резистор соединена с входом R RS-триггера, коллекторы первого и второго n-p-n транзисторов соединены между собой, при этом через седьмой резистор они подключены к базе первого p-n-р транзистора, а через восьмой резистор - к базе второго p-n-р транзистора, коллектор третьего n-р-n транзистора через девятый резистор соединен с коллектором первого р-n-р транзистора, база третьего n-p-n транзистора через десятый резистор соединена с входом S RS-триггера, коллектор второго p-n-р транзистора соединен с инверсным выходом RS-триггера и через одиннадцатый резистор - с общей шиной, анод первого диода соединен с шиной питания, а катод - с эмиттером первого р-n-р транзистора, катод второго диода соединен с общей шиной, а его анод - с эмиттером второго n-р-n транзистора, между катодом первого диода и анодом второго диода подключен двенадцатый резистор, коллектор первого р-n-р транзистора через тринадцатый резистор соединен с прямым выходом RS-триггера, а между последним и общей шиной подключен четырнадцатый резистор.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2012120813/08A RU2510893C2 (ru) | 2012-05-22 | 2012-05-22 | Устройство для защиты интегральных микросхем от тиристорного эффекта |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2012120813/08A RU2510893C2 (ru) | 2012-05-22 | 2012-05-22 | Устройство для защиты интегральных микросхем от тиристорного эффекта |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2012120813A true RU2012120813A (ru) | 2013-11-27 |
RU2510893C2 RU2510893C2 (ru) | 2014-04-10 |
Family
ID=49624937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2012120813/08A RU2510893C2 (ru) | 2012-05-22 | 2012-05-22 | Устройство для защиты интегральных микросхем от тиристорного эффекта |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2510893C2 (ru) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2661282C1 (ru) * | 2017-08-23 | 2018-07-13 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Устройство защиты полупроводниковых микросборок от тиристорного эффекта |
RU2716030C1 (ru) * | 2019-05-07 | 2020-03-05 | Закрытое акционерное общество "Орбита" | Способ и устройство защиты программируемых интегральных микросхем, например микроконтроллеров, от тиристорного эффекта |
RU2749017C1 (ru) * | 2020-08-14 | 2021-06-03 | Акционерное общество "Орбита" | Устройство защиты программируемых микроконтроллеров от тиристорного эффекта |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3489512B2 (ja) * | 1999-11-24 | 2004-01-19 | 日本電気株式会社 | ラッチアップ防止回路 |
RU2305894C2 (ru) * | 2005-08-17 | 2007-09-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт точных приборов | Устройство для защиты интегральных микросхем при попадании в них тяжелых заряженных частиц |
RU2405247C1 (ru) * | 2009-03-13 | 2010-11-27 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" | Устройство защиты цифровых микросхем |
-
2012
- 2012-05-22 RU RU2012120813/08A patent/RU2510893C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2510893C2 (ru) | 2014-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Sadik et al. | Experimental investigations of static and transient current sharing of parallel-connected silicon carbide MOSFETs | |
US9954429B2 (en) | Converter and voltage clamp circuit therein | |
JP6398949B2 (ja) | 半導体素子の駆動装置 | |
JP2015082810A5 (ru) | ||
RU2012120813A (ru) | Устройство для защиты интегральных микросхем от тиристорного эффекта | |
Rabkowski et al. | A 6kW, 200kHz boost converter with parallel-connected SiC bipolar transistors | |
RU2005126061A (ru) | Устройство для защиты интегральных микросхем при попадании в них тяжелых заряженных частиц | |
RU2013127913A (ru) | Составной транзистор с малой выходной емкостью | |
Fukui et al. | Half-wave class DE low dv/dt rectifier | |
Frankeser et al. | Comparison of drivers for sic-bjts, si-igbts and sic-mosfets | |
RU2012139007A (ru) | Составной транзистор | |
UA125586U (uk) | Джерело опорної напруги | |
RU2013116177A (ru) | Сверхбыстродействующий параллельный дифференциальный аналого-цифровой преобразователь | |
RU2013119662A (ru) | Сверхбыстродействующий параллельный аналого-цифровой преобразователь с дифференциальным входом | |
RU2012132585A (ru) | Избирательный усилитель свч диапазона | |
RU2012152240A (ru) | Избирательный усилитель с расширенным частотным диапазоном | |
RU2013132285A (ru) | Преобразователь напряжения | |
UA127218U (uk) | Двополюсне джерело струму | |
UA101020U (ru) | Логический элемент | |
UA128146U (uk) | Двополюсне джерело струму | |
RU2011141692A (ru) | Стабилизатор постоянного напряжения | |
RU2014134946A (ru) | Диод синхронного выпрямления (варианты) | |
UA128149U (uk) | Двополюсне джерело струму | |
UA102621U (xx) | Логічний елемент | |
UA126663U (uk) | Двополюсне джерело струму |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170523 |