RU2012120813A - Устройство для защиты интегральных микросхем от тиристорного эффекта - Google Patents

Устройство для защиты интегральных микросхем от тиристорного эффекта Download PDF

Info

Publication number
RU2012120813A
RU2012120813A RU2012120813/08A RU2012120813A RU2012120813A RU 2012120813 A RU2012120813 A RU 2012120813A RU 2012120813/08 A RU2012120813/08 A RU 2012120813/08A RU 2012120813 A RU2012120813 A RU 2012120813A RU 2012120813 A RU2012120813 A RU 2012120813A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
output
resistor
transistor
comparator
diode
Prior art date
Application number
RU2012120813/08A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2510893C2 (ru
Inventor
Илья Гаврилович Фильцер
Original Assignee
Илья Гаврилович Фильцер
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Илья Гаврилович Фильцер filed Critical Илья Гаврилович Фильцер
Priority to RU2012120813/08A priority Critical patent/RU2510893C2/ru
Publication of RU2012120813A publication Critical patent/RU2012120813A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2510893C2 publication Critical patent/RU2510893C2/ru

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

1. Устройство для защиты интегральных микросхем от тиристорного эффекта, содержащее датчик тока, резистивный мост, состоящий из первого и второго резистивных делителей, состоящих соответственно из последовательно включенных первого и второго резисторов и третьего и четвертого резисторов, при этом первый резистивный делитель включен между первым выводом датчика тока и общей шиной, второй резистивный делитель - между вторым выводом датчика тока и общей шиной, компаратор напряжения, генератор импульсной последовательности с большой скважностью, выход которого подключен к S-входу RS-триггера, мощный p-n-р транзистор, база которого подключена к инверсному выходу RS-триггера, первый n-p-n транзистор, база которого подключена к прямому выходу RS-триггера, а эмиттер - к общей шине, отличающееся тем, что в него введены пятый, шестой, седьмой, восьмой, девятый и десятый резисторы, второй n-p-n транзистор, первый, второй и третий конденсаторы, первый, второй, третий, четвертый, пятый и шестой диоды, при этом входная клемма устройства соединена с первым выводом пятого резистора, коллектором второго n-р-n транзистора и с эмиттером мощного p-n-р транзистора, неинвертирующий вход компаратора соединен со средней точкой первого резистивного делителя, инвертирующий вход компаратора - со средней точкой второго резистивного делителя, между входами компаратора подключен первый конденсатор, шестой резистор подключен между вторым выводом пятого резистора и общей шиной, база второго n-p-n транзистора подключена к точке соединения пятого и шестого резисторов, первый диод анодом подсоединен к эмиттеру второго n-р-n транзистора, а катодом - к инвер�

Claims (2)

1. Устройство для защиты интегральных микросхем от тиристорного эффекта, содержащее датчик тока, резистивный мост, состоящий из первого и второго резистивных делителей, состоящих соответственно из последовательно включенных первого и второго резисторов и третьего и четвертого резисторов, при этом первый резистивный делитель включен между первым выводом датчика тока и общей шиной, второй резистивный делитель - между вторым выводом датчика тока и общей шиной, компаратор напряжения, генератор импульсной последовательности с большой скважностью, выход которого подключен к S-входу RS-триггера, мощный p-n-р транзистор, база которого подключена к инверсному выходу RS-триггера, первый n-p-n транзистор, база которого подключена к прямому выходу RS-триггера, а эмиттер - к общей шине, отличающееся тем, что в него введены пятый, шестой, седьмой, восьмой, девятый и десятый резисторы, второй n-p-n транзистор, первый, второй и третий конденсаторы, первый, второй, третий, четвертый, пятый и шестой диоды, при этом входная клемма устройства соединена с первым выводом пятого резистора, коллектором второго n-р-n транзистора и с эмиттером мощного p-n-р транзистора, неинвертирующий вход компаратора соединен со средней точкой первого резистивного делителя, инвертирующий вход компаратора - со средней точкой второго резистивного делителя, между входами компаратора подключен первый конденсатор, шестой резистор подключен между вторым выводом пятого резистора и общей шиной, база второго n-p-n транзистора подключена к точке соединения пятого и шестого резисторов, первый диод анодом подсоединен к эмиттеру второго n-р-n транзистора, а катодом - к инвертирующему входу компаратора, второй диод подсоединен анодом к инвертирующему входу компаратора, а катодом - к неинвертирующему входу компаратора, первый вывод питания компаратора подключен к входной клемме, а второй вывод питания компаратора соединен с общей шиной, первый вывод датчика тока соединен с коллектором р-n-р транзистора, второй вывод датчика тока соединен с выходом устройства, между первым выводом датчика тока и общей шиной подключен второй конденсатор, седьмой резистор подключен между входной клеммой и выходом компаратора, катод третьего диода соединен с выходом компаратора, а анод этого диода - с анодом четвертого диода, катод последнего соединен с анодом пятого диода, катод которого соединен с R - входом RS - триггера, восьмой резистор подключен между входной клеммой и точкой соединения анодов третьего и четвертого диодов, между упомянутой точкой соединения диодов и общей шиной подключены последовательно соединенные третий конденсатор и девятый резистор, катод шестого диода соединен с катодом четвертого диода, а анод - с клеммой "Вх. имп.», между коллектором мощного p-n-р транзистора и коллектором первого n-p-n транзистора подключен десятый резистор.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что RS-триггер содержит первый и второй диоды, первый и второй p-n-р транзисторы, причем между базой и шиной питания каждого из этих транзисторов подключены соответственно первый и второй резисторы тепловой утечки, а эмиттер второго p-n-р транзистора подключен к шине питания, первый, второй и третий n-p-n транзисторы, причем между базой и общей шиной каждого из упомянутых транзисторов включены соответственно третий, четвертый и пятый резисторы тепловой утечки, эмиттеры первого и третьего n-p-n транзисторов подключены к общей шине, база первого n-р-n транзистора через шестой резистор соединена с входом R RS-триггера, коллекторы первого и второго n-p-n транзисторов соединены между собой, при этом через седьмой резистор они подключены к базе первого p-n-р транзистора, а через восьмой резистор - к базе второго p-n-р транзистора, коллектор третьего n-р-n транзистора через девятый резистор соединен с коллектором первого р-n-р транзистора, база третьего n-p-n транзистора через десятый резистор соединена с входом S RS-триггера, коллектор второго p-n-р транзистора соединен с инверсным выходом RS-триггера и через одиннадцатый резистор - с общей шиной, анод первого диода соединен с шиной питания, а катод - с эмиттером первого р-n-р транзистора, катод второго диода соединен с общей шиной, а его анод - с эмиттером второго n-р-n транзистора, между катодом первого диода и анодом второго диода подключен двенадцатый резистор, коллектор первого р-n-р транзистора через тринадцатый резистор соединен с прямым выходом RS-триггера, а между последним и общей шиной подключен четырнадцатый резистор.
RU2012120813/08A 2012-05-22 2012-05-22 Устройство для защиты интегральных микросхем от тиристорного эффекта RU2510893C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012120813/08A RU2510893C2 (ru) 2012-05-22 2012-05-22 Устройство для защиты интегральных микросхем от тиристорного эффекта

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012120813/08A RU2510893C2 (ru) 2012-05-22 2012-05-22 Устройство для защиты интегральных микросхем от тиристорного эффекта

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012120813A true RU2012120813A (ru) 2013-11-27
RU2510893C2 RU2510893C2 (ru) 2014-04-10

Family

ID=49624937

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012120813/08A RU2510893C2 (ru) 2012-05-22 2012-05-22 Устройство для защиты интегральных микросхем от тиристорного эффекта

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2510893C2 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2661282C1 (ru) * 2017-08-23 2018-07-13 Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") Устройство защиты полупроводниковых микросборок от тиристорного эффекта
RU2716030C1 (ru) * 2019-05-07 2020-03-05 Закрытое акционерное общество "Орбита" Способ и устройство защиты программируемых интегральных микросхем, например микроконтроллеров, от тиристорного эффекта
RU2749017C1 (ru) * 2020-08-14 2021-06-03 Акционерное общество "Орбита" Устройство защиты программируемых микроконтроллеров от тиристорного эффекта

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3489512B2 (ja) * 1999-11-24 2004-01-19 日本電気株式会社 ラッチアップ防止回路
RU2305894C2 (ru) * 2005-08-17 2007-09-10 Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт точных приборов Устройство для защиты интегральных микросхем при попадании в них тяжелых заряженных частиц
RU2405247C1 (ru) * 2009-03-13 2010-11-27 Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" Устройство защиты цифровых микросхем

Also Published As

Publication number Publication date
RU2510893C2 (ru) 2014-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Sadik et al. Experimental investigations of static and transient current sharing of parallel-connected silicon carbide MOSFETs
US9954429B2 (en) Converter and voltage clamp circuit therein
JP6398949B2 (ja) 半導体素子の駆動装置
JP2015082810A5 (ru)
RU2012120813A (ru) Устройство для защиты интегральных микросхем от тиристорного эффекта
Rabkowski et al. A 6kW, 200kHz boost converter with parallel-connected SiC bipolar transistors
RU2005126061A (ru) Устройство для защиты интегральных микросхем при попадании в них тяжелых заряженных частиц
RU2013127913A (ru) Составной транзистор с малой выходной емкостью
Fukui et al. Half-wave class DE low dv/dt rectifier
Frankeser et al. Comparison of drivers for sic-bjts, si-igbts and sic-mosfets
RU2012139007A (ru) Составной транзистор
UA125586U (uk) Джерело опорної напруги
RU2013116177A (ru) Сверхбыстродействующий параллельный дифференциальный аналого-цифровой преобразователь
RU2013119662A (ru) Сверхбыстродействующий параллельный аналого-цифровой преобразователь с дифференциальным входом
RU2012132585A (ru) Избирательный усилитель свч диапазона
RU2012152240A (ru) Избирательный усилитель с расширенным частотным диапазоном
RU2013132285A (ru) Преобразователь напряжения
UA127218U (uk) Двополюсне джерело струму
UA101020U (ru) Логический элемент
UA128146U (uk) Двополюсне джерело струму
RU2011141692A (ru) Стабилизатор постоянного напряжения
RU2014134946A (ru) Диод синхронного выпрямления (варианты)
UA128149U (uk) Двополюсне джерело струму
UA102621U (xx) Логічний елемент
UA126663U (uk) Двополюсне джерело струму

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170523