RU2013127913A - Составной транзистор с малой выходной емкостью - Google Patents

Составной транзистор с малой выходной емкостью Download PDF

Info

Publication number
RU2013127913A
RU2013127913A RU2013127913/08A RU2013127913A RU2013127913A RU 2013127913 A RU2013127913 A RU 2013127913A RU 2013127913/08 A RU2013127913/08 A RU 2013127913/08A RU 2013127913 A RU2013127913 A RU 2013127913A RU 2013127913 A RU2013127913 A RU 2013127913A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
base
output
emitter
input
Prior art date
Application number
RU2013127913/08A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2536672C1 (ru
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко
Петр Сергеевич Будяков
Анна Витальевна Бугакова
Николай Владимирович Бутырлагин
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority to RU2013127913/08A priority Critical patent/RU2536672C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2536672C1 publication Critical patent/RU2536672C1/ru
Publication of RU2013127913A publication Critical patent/RU2013127913A/ru

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

1. Составной транзистор с малой выходной емкостью, содержащий выходной транзистор (1), база которого связана с эмиттером входного транзистора (2), коллектор подключен к коллектору входного транзистора (2) и связан с эквивалентным коллекторным выводом (3) составного транзистора, база входного транзистора (2) соединена с эквивалентным базовым выводом (4) составного транзистора, а эмиттер выходного транзистора (1) связан с эквивалентным эмиттерным выводом (5) составного транзистора, причем между коллектором и базой выходного транзистора (1) включена первая (6) паразитная емкость коллектор-база, а между коллектором и базой входного транзистора (2) включена вторая (7) паразитная емкость коллектор-база, отличающийся тем, что база выходного транзистора (1) связана с эмиттером входного транзистора (2) через неинвертирующий усилитель тока (8).2. Составной транзистор с малой выходной емкостью по п.1, отличающийся тем, что неинвертирующий усилитель тока (8) выполнен на основе вспомогательного транзистора (9), параллельно эмиттерно-базовому переходу которого включен дополнительный p-n переход (10), причем база вспомогательного транзистора (9), являющаяся входом неинвертирующего усилителя тока (8), соединена через дополнительный источник опорного тока (11) с шиной источника питания (12), а эмиттер вспомогательного транзистора (9) является выходом неинвертирующего усилителя тока (8) и соединен с эмиттером входного транзистора (2).3. Составной транзистор с малой выходной емкостью по п.1, отличающийся тем, что неинвертирующий усилитель тока (8) выполнен в виде токового зеркала (13), базовый вход (14) которого соединен с базой выходного транзистора (1), а эм�

Claims (3)

1. Составной транзистор с малой выходной емкостью, содержащий выходной транзистор (1), база которого связана с эмиттером входного транзистора (2), коллектор подключен к коллектору входного транзистора (2) и связан с эквивалентным коллекторным выводом (3) составного транзистора, база входного транзистора (2) соединена с эквивалентным базовым выводом (4) составного транзистора, а эмиттер выходного транзистора (1) связан с эквивалентным эмиттерным выводом (5) составного транзистора, причем между коллектором и базой выходного транзистора (1) включена первая (6) паразитная емкость коллектор-база, а между коллектором и базой входного транзистора (2) включена вторая (7) паразитная емкость коллектор-база, отличающийся тем, что база выходного транзистора (1) связана с эмиттером входного транзистора (2) через неинвертирующий усилитель тока (8).
2. Составной транзистор с малой выходной емкостью по п.1, отличающийся тем, что неинвертирующий усилитель тока (8) выполнен на основе вспомогательного транзистора (9), параллельно эмиттерно-базовому переходу которого включен дополнительный p-n переход (10), причем база вспомогательного транзистора (9), являющаяся входом неинвертирующего усилителя тока (8), соединена через дополнительный источник опорного тока (11) с шиной источника питания (12), а эмиттер вспомогательного транзистора (9) является выходом неинвертирующего усилителя тока (8) и соединен с эмиттером входного транзистора (2).
3. Составной транзистор с малой выходной емкостью по п.1, отличающийся тем, что неинвертирующий усилитель тока (8) выполнен в виде токового зеркала (13), базовый вход (14) которого соединен с базой выходного транзистора (1), а эмиттерный выход (15) является выходом неинвертирующего усилителя тока (8) и соединен с эмиттером входного транзистора (2), причем статический режим токового зеркала (13) устанавливается первым (16) источником опорного тока, связанным с базовым входом (14) токового зеркала (13), а статический режим входного транзистора (2) устанавливается вторым (17) источником опорного тока, связанным с эмиттерным выходом (15) токового зеркала (13).
RU2013127913/08A 2013-06-18 2013-06-18 Составной транзистор с малой выходной емкостью RU2536672C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013127913/08A RU2536672C1 (ru) 2013-06-18 2013-06-18 Составной транзистор с малой выходной емкостью

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013127913/08A RU2536672C1 (ru) 2013-06-18 2013-06-18 Составной транзистор с малой выходной емкостью

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2536672C1 RU2536672C1 (ru) 2014-12-27
RU2013127913A true RU2013127913A (ru) 2014-12-27

Family

ID=53278428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013127913/08A RU2536672C1 (ru) 2013-06-18 2013-06-18 Составной транзистор с малой выходной емкостью

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2536672C1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2710846C1 (ru) * 2019-08-21 2020-01-14 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Составной транзистор на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
RU2727704C1 (ru) * 2020-02-06 2020-07-23 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Составной транзистор на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
RU199328U1 (ru) * 2020-03-11 2020-08-28 Максим Игоревич Кузьменко Составной транзистор

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3579286B2 (ja) * 1999-03-11 2004-10-20 株式会社東芝 アクティブフィルタ回路
US6611172B1 (en) * 2001-06-25 2003-08-26 Sirenza Microdevices, Inc. Thermally distributed darlington amplifier
US6756840B1 (en) * 2003-01-23 2004-06-29 Stmicroelectronics, Inc. Circuit and method for mirroring current
RU2277752C2 (ru) * 2003-06-04 2006-06-10 Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса (ЮРГУЭС) Широкополосный усилитель
RU2367996C1 (ru) * 2008-02-21 2009-09-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Токовое зеркало
RU2396697C2 (ru) * 2008-03-13 2010-08-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Высокочастотный дифференциальный усилитель

Also Published As

Publication number Publication date
RU2536672C1 (ru) 2014-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013127913A (ru) Составной транзистор с малой выходной емкостью
RU2016119940A (ru) Схема защиты для полупроводникового переключающего элемента и устройство преобразования мощности
RU2012139007A (ru) Составной транзистор
RU2013101657A (ru) Выходной каскад усилителя мощности на основе комплементарных транзисторов
RU2013119661A (ru) Операционный усилитель с парафазным выходом
RU2012140888A (ru) Rs-триггер с многозначным внутренним представлением сигналов
RU2008110769A (ru) Мультидифференциальный усилитель
RU2013116179A (ru) Трансрезистивный усилитель с парафазным выходом для преобразования сигналов лавинных фотодиодов
RU2013125848A (ru) Измеритель вибрации
RU2008102792A (ru) Активная нагрузка дифференциальных усилителей
RU2012152240A (ru) Избирательный усилитель с расширенным частотным диапазоном
RU2013116177A (ru) Сверхбыстродействующий параллельный дифференциальный аналого-цифровой преобразователь
RU2008115083A (ru) Дифференциальный усилитель с низкоомными входами
RU2008106717A (ru) Токовое зеркало
RU2012158272A (ru) Источник опорного напряжения
RU2014115341A (ru) Электронная индуктивная цепь для источника электропитания системы интеркома с двухпроводной шиной и устройство
RU2010135840A (ru) Триггер
RU2011141692A (ru) Стабилизатор постоянного напряжения
RU2012137330A (ru) Избирательный усилитель
RU2012150541A (ru) Устройство для выделения модуля разности двух входных токов
RU2012145480A (ru) Источник опорного напряжения
RU2012132585A (ru) Избирательный усилитель свч диапазона
RU2008109771A (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
RU2012146761A (ru) Комплементарный дифференциальный усилитель с расширенным диапазоном активной работы
RU2013109816A (ru) Быстродействующий аттенюатор для входных цепей аналого-цифровых интерфейсов

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150619