RU2012106938A - Малоотражающее покрытие на основе омега-частиц и способ его изготовления - Google Patents

Abstract

1. Малоотражающее покрытие в виде трех слоев: первый слой - поглотитель, два последующих слоя - решетки из резонансных элементов в диэлектриках, отличающееся тем, что слои образованы плоскими омега-частицами во взаимно ортогональных плоскостях, со средним радиусоми расстоянием между соседними центрами, где λ- центральная длина волны диапазона ЭМВ, падающих на защищаемый объект; ε - относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика во втором и третьем слоях.2. Способ создания малоотражающего покрытия, отличающийся тем, что наносятся три слоя: первый слой из поглотителя непосредственно на защищаемом объекте, второй и третий слои из диэлектриков с решетками с взаимно перпендикулярными ориентациями резонансных элементов; при формировании трехмерных решеток во втором и третьем слоях предварительно созданы одинаковые гибкие диэлектрические прямые параллелепипеды с ширинами, равными длине между соседними центрами частиц, высотами не менее размера плоских частиц; длины параллелепипедов определены размерами защищаемого объекта на одной из граней прямых диэлектрических параллелепипедов, определяющих высоту второго и третьего слоев; изготовлены двухмерные решетки из плоских омега-частиц с одинаковой перпендикулярной ориентацией разрывов по отношению к одному из ребер этих граней; при создании второго слоя грани этих гибких параллелепипедов с двухмерными решетками последовательно приклеены в горизонтальных плоскостях к противоположным граням по отношению к граням с двухмерными решетками следующего прямого диэлектрического параллелепипеда с одновременным приклеиванием перпендикулярной грани пр

Claims (2)

1. Малоотражающее покрытие в виде трех слоев: первый слой - поглотитель, два последующих слоя - решетки из резонансных элементов в диэлектриках, отличающееся тем, что слои образованы плоскими омега-частицами во взаимно ортогональных плоскостях, со средним радиусом $$а=\frac{{\lambda }_n}{2\pi \sqrt{\epsilon }}$$

и расстоянием между соседними центрами $$d\le \frac{{\lambda }_n}{2\sqrt{\epsilon }}$$

, где λ_n - центральная длина волны диапазона ЭМВ, падающих на защищаемый объект; ε - относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика во втором и третьем слоях.

2. Способ создания малоотражающего покрытия, отличающийся тем, что наносятся три слоя: первый слой из поглотителя непосредственно на защищаемом объекте, второй и третий слои из диэлектриков с решетками с взаимно перпендикулярными ориентациями резонансных элементов; при формировании трехмерных решеток во втором и третьем слоях предварительно созданы одинаковые гибкие диэлектрические прямые параллелепипеды с ширинами, равными длине между соседними центрами частиц, высотами не менее размера плоских частиц; длины параллелепипедов определены размерами защищаемого объекта на одной из граней прямых диэлектрических параллелепипедов, определяющих высоту второго и третьего слоев; изготовлены двухмерные решетки из плоских омега-частиц с одинаковой перпендикулярной ориентацией разрывов по отношению к одному из ребер этих граней; при создании второго слоя грани этих гибких параллелепипедов с двухмерными решетками последовательно приклеены в горизонтальных плоскостях к противоположным граням по отношению к граням с двухмерными решетками следующего прямого диэлектрического параллелепипеда с одновременным приклеиванием перпендикулярной грани прямого диэлектрического параллелепипеда к слою поглотителя, чтобы ориентация разрывов в разорванных кольцах частиц была направлена к направлению падения волны; при создании третьего слоя гибкие диэлектрические прямые параллелепипеды точно также последовательно склеены между собой в вертикальных областях и одновременно приклеены к поверхности второго слоя.