RU2011134604A - Комплект светодиодной выводной рамки, светодиодная группа, использующая данную рамку, и способ изготовления светодиодной группы - Google Patents
Комплект светодиодной выводной рамки, светодиодная группа, использующая данную рамку, и способ изготовления светодиодной группы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011134604A RU2011134604A RU2011134604/28A RU2011134604A RU2011134604A RU 2011134604 A RU2011134604 A RU 2011134604A RU 2011134604/28 A RU2011134604/28 A RU 2011134604/28A RU 2011134604 A RU2011134604 A RU 2011134604A RU 2011134604 A RU2011134604 A RU 2011134604A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- sealing layer
- led
- electrodes
- phosphor
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 12
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims abstract 4
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 claims abstract 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 27
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 8
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
1. Комплект выводной рамки содержащий теплорассеивающую базу;множество электродов, расположенных вокруг теплорассеивающей базы;изоляционную поддерживающую часть, которая окружает теплорассеивающую базу и множество электродов, соединяя теплорассеивающую базу со множеством электродов; по крайней мере два кольцевых выступа, образованных вдоль окружного периметра на верхней поверхности изоляционной поддерживающей части, и по крайней мере одну кольцевую канавку, образованную между по меньшей мере двумя кольцевыми выступами.2. Комплект выводной рамки по п.1, в котором изоляционная поддерживающая часть состоит из полифтальамидного (РРА) пластика.3. Комплект выводной рамки по п.1, в котором множество электродов расположены так, что первая концевая часть электродов находится против стороны теплорассеивающей базы, а вторая концевая часть электродов выступает из внешней стороны изоляционной поддерживающей части.4. Комплект выводной рамки по п.1, в котором теплорассеивающая база включает в себя отражающую чашу, причем нижняя поверхность отражающей чаши покрыта светоотражающим материалом.5. Комплект выводной рамки по п.1, в котором каждый из по крайней мере двух кольцевых выступов содержит острый верхний край и наклонные боковые стороны.6. Комплект выводной рамки по п.1, в котором теплорассеивающая база, множество электродов и изоляционная поддерживающая часть формируются как единое целое с помощью литья под давлением.7. Комплект выводной рамки по п.1, в котором кольцевые выступы и кольцевая канавка сформированы на верхней поверхности изоляционной поддерживающей части с помощью процесса литьевого формования.8. Св�
Claims (25)
1. Комплект выводной рамки содержащий теплорассеивающую базу;
множество электродов, расположенных вокруг теплорассеивающей базы;
изоляционную поддерживающую часть, которая окружает теплорассеивающую базу и множество электродов, соединяя теплорассеивающую базу со множеством электродов; по крайней мере два кольцевых выступа, образованных вдоль окружного периметра на верхней поверхности изоляционной поддерживающей части, и по крайней мере одну кольцевую канавку, образованную между по меньшей мере двумя кольцевыми выступами.
2. Комплект выводной рамки по п.1, в котором изоляционная поддерживающая часть состоит из полифтальамидного (РРА) пластика.
3. Комплект выводной рамки по п.1, в котором множество электродов расположены так, что первая концевая часть электродов находится против стороны теплорассеивающей базы, а вторая концевая часть электродов выступает из внешней стороны изоляционной поддерживающей части.
4. Комплект выводной рамки по п.1, в котором теплорассеивающая база включает в себя отражающую чашу, причем нижняя поверхность отражающей чаши покрыта светоотражающим материалом.
5. Комплект выводной рамки по п.1, в котором каждый из по крайней мере двух кольцевых выступов содержит острый верхний край и наклонные боковые стороны.
6. Комплект выводной рамки по п.1, в котором теплорассеивающая база, множество электродов и изоляционная поддерживающая часть формируются как единое целое с помощью литья под давлением.
7. Комплект выводной рамки по п.1, в котором кольцевые выступы и кольцевая канавка сформированы на верхней поверхности изоляционной поддерживающей части с помощью процесса литьевого формования.
8. Светодиодная группа, содержащая комплект выводной рамки по любому из пп.1-7.
9. Светодиодная группа по п.8, в которой светодиодная группа включает в себя по крайней мере одну светодиодную матрицу, прикрепленную к нижней поверхности теплорассеивающей базы; множество проводов, электрически соединяющих, по крайней мере, одну светодиодную матрицу со множеством электродов; также структуру герметизирующего слоя, которая формируется для покрытия светодиодной матрицы и содержит, по меньшей мере, один слой, имеющий выпуклую внешнюю поверхность, причем по крайней мере один край слоя структуры герметизирующего слоя доходит до соответствующего одного из по меньшей мере двух кольцевых выступов.
10. Светодиодная группа по п.9, в которой светодиодная матрица содержит по меньшей мере один элемент из группы, состоящей из УФ-светодиода, синего светодиода, зеленого светодиода и красного светодиода.
11. Светодиодная группа по п.9, в которой структура герметизирующего слоя содержит, по меньшей мере, один прозрачный герметизирующий слой.
12. Светодиодная группа по п.9, в которой кривизна верхней поверхности по крайней мере одного слоя определяется путем корректировки количества материала, наносимого на по крайней мере один слой структуры герметизирующего слоя.
13. Светодиодная группа по п.9, в которой структура герметизирующего слоя включает в себя первый герметизирующий слой, который является прозрачным и формируется для непосредственного покрытия светодиодной матрицы; люминофорный слой, покрывающий первый герметизирующий слой, а также оптико-линзовый слой, покрывающий люминофорный слой.
14. Светодиодная группа по п.13, в которой эффективный показатель преломления первого герметизирующего слоя меньше, чем эффективный показатель преломления люминофорного слоя в диапазоне длины волны видимого света.
15. Светодиодная группа по п.13, в которой структура герметизирующего слоя дополнительно содержит второй герметизирующий слой, который является прозрачным и образован между первым герметизирующим слоем и люминофорным слоем.
16. Светодиодная группа по п.15, в которой эффективный показатель преломления второго герметизирующего слоя меньше чем эффективный показатель преломления первого герметизирующего слоя и эффективного показателя преломления люминофорного слоя в диапазоне длины волны видимого света.
17. Светодиодная группа по п.16, в которой люминофорный слой сформирован путем равномерного подмешивания люминофорного материала в стекло, поликарбонат (ПК), полиметилметакрилат (ПММА) или силиконовую смолу.
18. Светодиодная группа по п.17, в которой люминофорный материал излучает видимый свет под действием ультрафиолетового света, синего света, или зеленого света.
19. Светодиодная группа по п.18, в которой люминофорный материал содержит, по меньшей мере, один люминофорный материал, который излучает видимый свет различной длины волны под действием ультрафиолетового света, синего света или зеленого света.
20. Способ изготовления светодиодной группы, включающий следующие шаги:
берут комплект светодиодной рамки, содержащий теплорассеивающую базу; множество электродов, расположенных вокруг теплорассеивающей базы; изоляционную поддерживающую часть, которая окружает теплорассеивающую базу и множество электродов для соединения теплорассеивающей базы и множества электродов; по крайней мере два кольцевых выступа, образованных вдоль периметра верхней поверхности изоляционной поддерживающей части, и, по крайней мере, одну кольцевую канавку, образованную между двумя из по меньшей мере двух кольцевых выступов;
присоединяют, по меньшей мере, одну светодиодную матрицу к нижней поверхности теплорассеивающей базы; электрически подсоединеняют светодиодную матрицу и множество электродов, а также формируют по крайней мере один слой, имеющий выпуклую внешнюю поверхность, для покрытия светодиодной матрицы, где край по крайней мере одного слоя структуры герметизирующего слоя доходит до соответствующего одного из по меньшей мере двух кольцевых выступов.
21. Способ по п.20, в котором формирование структуры герметизирующего слоя включает в себя следующие шаги:
наносят прозрачный жидкий полимер на теплорассеивающую базу для покрытия светодиодной матрицы;
формируют первый герметизирующий слой, подвергая затвердеванию прозрачный жидкий полимер, в котором первый герметизирующий слой имеет выпуклую внешнюю поверхность, образованную поверхностным натяжением в остром верхнем крае кольцевого выступа среди множества кольцевых выступов.
22. Способ по п.21, дополнительно включающий следующие шаги:
наносят прозрачный жидкий полимер поверх первого герметизирующего слоя для покрытия первого герметизирующего слоя;
формируют второй герметизирующий слой, подвергая затвердеванию жидкий прозрачный полимер первого герметизирующего слоя;
наносят прозрачный жидкий полимер на второй герметизирующий слой для покрытия второго герметизирующего слоя, в котором люминофорный материал равномерно смешан с жидким прозрачным полимером;
формируют люминофорный слой, подвергая затвердеванию жидкий прозрачный полимер, к которому подмешан люминофорный материал;
наносят прозрачный жидкий полимер на люминофорный слой для покрытия люминофорного слоя и формируют оптико-линзовый слой, подвергая затвердеванию жидкий прозрачный смоляной материал на люминофорном слое.
23. Способ по п.22, в котором второй герметизирующий слой имеет выпуклую внешнюю поверхность, образованную поверхностным натяжением в остром верхнем крае одного кольцевого выступа среди множества кольцевых выступов, люминофорный слой имеет выпуклую внешнюю поверхность, образованную поверхностным натяжением в остром верхнем крае другого кольцевого выступа среди множества кольцевых выступов, и оптико-линзовый слой имеет выпуклую внешнюю поверхность, образованную поверхностным натяжением в остром верхнем крае другого кольцевого выступа среди множества кольцевых выступов.
24. Способ по п.21, дополнительно включающий следующие шаги: наносят прозрачный жидкий полимер, в который равномерно подмешан люминофорный материал, поверх первого герметизирующего слоя для покрытия первого герметизирующего слоя; формируют люминофорный слой путем подвергания затвердеванию жидкого прозрачного полимера, в который подмешан люминофорный материал; наносят прозрачный жидкий полимер на люминофорный слой для покрытия люминофорного слоя; формируют оптико-линзовый слой, подвергая затвердеванию жидкий прозрачный полимер на люминофорном слое.
25. Способ по п.24, в котором люминофорный слой имеет выпуклую внешнюю поверхность, образованную поверхностным натяжением в остром верхнем крае другого кольцевого выступа среди множества кольцевых выступов, и оптико-линзовый слой имеет выпуклую внешнюю поверхность, образованную поверхностным натяжением в остром верхнего крае другого кольцевого выступа среди множества кольцевых выступов.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/381,409 | 2009-03-10 | ||
| US12/381,408 | 2009-03-10 | ||
| US12/381,409 US8039862B2 (en) | 2009-03-10 | 2009-03-10 | White light emitting diode package having enhanced white lighting efficiency and method of making the same |
| US12/381,408 US8058667B2 (en) | 2009-03-10 | 2009-03-10 | Leadframe package for light emitting diode device |
| PCT/KR2010/001134 WO2010104276A2 (en) | 2009-03-10 | 2010-02-24 | Led leadframe package, led package using the same, and method of manufacturing the led package |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011134604A true RU2011134604A (ru) | 2013-04-20 |
| RU2488195C2 RU2488195C2 (ru) | 2013-07-20 |
Family
ID=42728911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011134604/28A RU2488195C2 (ru) | 2009-03-10 | 2010-02-24 | Комплект светодиодной выводной рамки, светодиодная группа, использующая данную рамку, и способ изготовления светодиодной группы |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2406835A4 (ru) |
| JP (1) | JP2012520565A (ru) |
| KR (1) | KR101111256B1 (ru) |
| CN (1) | CN102318091A (ru) |
| AU (1) | AU2010221920A1 (ru) |
| RU (1) | RU2488195C2 (ru) |
| SG (1) | SG173518A1 (ru) |
| TW (1) | TW201044646A (ru) |
| WO (1) | WO2010104276A2 (ru) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102130236A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-07-20 | 北京大学深圳研究生院 | 一种led芯片的封装方法及封装器件 |
| TW201238086A (en) * | 2011-03-03 | 2012-09-16 | Lextar Electronics Corp | Chip package structure |
| CN102185042A (zh) * | 2011-03-28 | 2011-09-14 | 北京大学深圳研究生院 | Led封装方法、封装器件、光调节方法及系统 |
| US9159886B2 (en) | 2011-04-19 | 2015-10-13 | Intellectual Discovery Co., Ltd. | Lighting apparatus with a carrier layer |
| US8721097B2 (en) * | 2011-05-19 | 2014-05-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | LED lamp with improved light output |
| TWI418742B (zh) * | 2011-06-30 | 2013-12-11 | Lextar Electronics Corp | 發光元件的封裝結構 |
| KR101148780B1 (ko) * | 2011-11-16 | 2012-05-24 | 김종율 | 엘이디 패키지 및 이의 제조방법 |
| KR101287484B1 (ko) * | 2012-03-07 | 2013-07-19 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| KR20130103080A (ko) * | 2012-03-09 | 2013-09-23 | 서울반도체 주식회사 | Ｌｅｄ 조명장치 |
| KR20130110997A (ko) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | 서울반도체 주식회사 | Ｌｅｄ용 렌즈 및 그 제조방법 |
| TWI489657B (zh) * | 2012-04-12 | 2015-06-21 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體封裝件 |
| TWI474517B (zh) * | 2012-05-28 | 2015-02-21 | Lextar Electronics Corp | 發光裝置及其製造方法 |
| KR101321101B1 (ko) * | 2012-06-01 | 2013-10-23 | 주식회사 코스텍시스 | 기판 및 이를 이용한 소자 패키지 |
| CN103515517B (zh) * | 2012-06-20 | 2016-03-23 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管模组 |
| CN103515502A (zh) * | 2012-06-29 | 2014-01-15 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管装置 |
| KR101504309B1 (ko) * | 2013-08-27 | 2015-03-20 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자 패키지 및 이를 갖는 백라이트 유닛 |
| US9608177B2 (en) | 2013-08-27 | 2017-03-28 | Lumens Co., Ltd. | Light emitting device package and backlight unit having the same |
| KR102188500B1 (ko) | 2014-07-28 | 2020-12-09 | 삼성전자주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 조명장치 |
| JP6730017B2 (ja) | 2014-11-10 | 2020-07-29 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ、及びこれを含む照明システム |
| KR20160149363A (ko) | 2015-06-17 | 2016-12-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| CN106784260A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-05-31 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种直下式led背光源的制作方法 |
| KR102261288B1 (ko) * | 2017-03-14 | 2021-06-04 | 현대자동차 주식회사 | 자동차 외장용 발광다이오드 패키지 |
| CN109585632B (zh) * | 2019-02-14 | 2019-07-30 | 旭宇光电（深圳）股份有限公司 | 大功率远程荧光粉型白光led散热封装 |
| JP7445120B2 (ja) * | 2020-02-21 | 2024-03-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN112467010B (zh) * | 2020-11-13 | 2022-03-22 | 中山市聚明星电子有限公司 | 二极管封装工艺及封装二极管 |
| KR102338707B1 (ko) * | 2021-06-14 | 2021-12-13 | 주식회사 소룩스 | 광원 및 조명장치 |
| KR102634521B1 (ko) | 2023-10-31 | 2024-02-07 | 장연식 | 통증 완화 약물 주입시스템 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2231951C2 (ru) * | 2001-10-31 | 2004-07-10 | Салдаев Александр Макарович | Система капельного орошения |
| JP4211359B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2009-01-21 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4174823B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2008-11-05 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置 |
| DE112004000864B4 (de) * | 2003-05-28 | 2014-12-31 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Licht abstrahlende Dioden - Baugruppe und Licht abstrahlendes Diodensystem mit mindestens zwei Wärmesenken |
| RU2267188C2 (ru) * | 2003-06-23 | 2005-12-27 | Федорова Галина Владимировна | Светодиодное полупроводниковое устройство в корпусе для поверхностного монтажа |
| JP2005026400A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| US7279346B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-10-09 | Cree, Inc. | Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another |
| US20060012298A1 (en) * | 2004-07-14 | 2006-01-19 | Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. | LED chip capping construction |
| KR100709890B1 (ko) * | 2004-09-10 | 2007-04-20 | 서울반도체 주식회사 | 다중 몰딩수지를 갖는 발광다이오드 패키지 |
| KR100579397B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2006-05-12 | 서울반도체 주식회사 | 리드프레임과 직접 연결된 히트싱크를 채택하는 발광다이오드 패키지 |
| WO2006065007A1 (en) * | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method |
| RU2355068C1 (ru) * | 2004-12-16 | 2009-05-10 | Сеул Семикондактор Ко., Лтд. | Рамка с выводами, имеющая поддерживающее теплоотвод кольцо, способ изготовления корпуса светоизлучающего диода с ее использованием и корпус светоизлучающего диода, изготовленный этим способом |
| US8106584B2 (en) * | 2004-12-24 | 2012-01-31 | Kyocera Corporation | Light emitting device and illumination apparatus |
| KR101161384B1 (ko) * | 2005-03-29 | 2012-07-02 | 서울반도체 주식회사 | 직렬접속된 발광셀 어레이를 갖는 발광다이오드 칩을탑재한 발광다이오드 패키지 |
| EP1864339A4 (en) * | 2005-03-11 | 2010-12-29 | Seoul Semiconductor Co Ltd | LIGHT-EMITTING DIODE DIODE WITH PHOTO-EMITTING CELL MATRIX |
| CN100435361C (zh) * | 2005-05-31 | 2008-11-19 | 新灯源科技有限公司 | 半导体发光元件封装结构 |
| US20070001182A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | 3M Innovative Properties Company | Structured phosphor tape article |
| US7365371B2 (en) * | 2005-08-04 | 2008-04-29 | Cree, Inc. | Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants |
| MY152857A (en) * | 2005-09-01 | 2014-11-28 | Dominant Opto Tech Sdn Bhd | Surface mount optoelectronic component with lens |
| US8044418B2 (en) * | 2006-07-13 | 2011-10-25 | Cree, Inc. | Leadframe-based packages for solid state light emitting devices |
| US20080029775A1 (en) * | 2006-08-02 | 2008-02-07 | Lustrous Technology Ltd. | Light emitting diode package with positioning groove |
| EP2120271A4 (en) * | 2007-03-01 | 2015-03-25 | Nec Lighting Ltd | LED ARRANGEMENT AND LIGHTING DEVICE |
| JP4689637B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2011-05-25 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置 |
-
2010
- 2010-02-24 RU RU2011134604/28A patent/RU2488195C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-02-24 EP EP10750967.1A patent/EP2406835A4/en not_active Withdrawn
- 2010-02-24 KR KR1020107005556A patent/KR101111256B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-02-24 CN CN2010800077963A patent/CN102318091A/zh active Pending
- 2010-02-24 SG SG2011055852A patent/SG173518A1/en unknown
- 2010-02-24 JP JP2011553937A patent/JP2012520565A/ja active Pending
- 2010-02-24 WO PCT/KR2010/001134 patent/WO2010104276A2/en active Application Filing
- 2010-02-24 AU AU2010221920A patent/AU2010221920A1/en not_active Abandoned
- 2010-03-04 TW TW99106287A patent/TW201044646A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG173518A1 (en) | 2011-09-29 |
| AU2010221920A1 (en) | 2011-09-29 |
| JP2012520565A (ja) | 2012-09-06 |
| RU2488195C2 (ru) | 2013-07-20 |
| EP2406835A4 (en) | 2013-09-18 |
| TW201044646A (en) | 2010-12-16 |
| WO2010104276A3 (en) | 2010-11-25 |
| KR20100106297A (ko) | 2010-10-01 |
| KR101111256B1 (ko) | 2012-02-22 |
| CN102318091A (zh) | 2012-01-11 |
| EP2406835A2 (en) | 2012-01-18 |
| WO2010104276A2 (en) | 2010-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2011134604A (ru) | Комплект светодиодной выводной рамки, светодиодная группа, использующая данную рамку, и способ изготовления светодиодной группы | |
| US8039862B2 (en) | White light emitting diode package having enhanced white lighting efficiency and method of making the same | |
| JP5632824B2 (ja) | Ｌｅｄダイ上のオーバーモールドレンズ | |
| KR100665222B1 (ko) | 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 | |
| CN102509759B (zh) | 发光装置以及光源模块 | |
| US8882304B2 (en) | Illuminating device and packaging method thereof | |
| TWI426206B (zh) | 發光二極體裝置 | |
| KR20170135689A (ko) | 발광 장치 및 그 제조 방법 | |
| RU2005132409A (ru) | Светоизлучающее устройство и способ его изготовления | |
| JP5436677B2 (ja) | 複数の半導体素子を有する注封された光電モジュール、ならびに、光電モジュールの製造方法 | |
| TW201037853A (en) | Method for forming an LED lens structure and related structure | |
| KR102476140B1 (ko) | 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈 | |
| JP5073242B2 (ja) | 光源装置の製造方法 | |
| JP2004343149A (ja) | 発光素子および発光素子の製造方法 | |
| JP2007123943A (ja) | 発光装置 | |
| TWM436795U (en) | Planar light source module | |
| KR100990636B1 (ko) | 측면방출 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 | |
| KR100978566B1 (ko) | 측면방출 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 | |
| KR101850430B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
| KR101830716B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
| KR20150102441A (ko) | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 | |
| TWI311382B (en) | Light emitting diode and method for making the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE Effective date: 20140121 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190225 |