RU2010363C1 - Device for controlling permanent memory - Google Patents

Device for controlling permanent memory Download PDF

Info

Publication number
RU2010363C1
RU2010363C1 SU4944919A RU2010363C1 RU 2010363 C1 RU2010363 C1 RU 2010363C1 SU 4944919 A SU4944919 A SU 4944919A RU 2010363 C1 RU2010363 C1 RU 2010363C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
output
input
control
key
level
Prior art date
Application number
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Ю.П. Бохонов
А.П. Попов
С.В. Кожеуров
Original Assignee
Объединение "Вега" - Малоярославецкий приборный завод
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Объединение "Вега" - Малоярославецкий приборный завод filed Critical Объединение "Вега" - Малоярославецкий приборный завод
Priority to SU4944919 priority Critical patent/RU2010363C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2010363C1 publication Critical patent/RU2010363C1/en

Links

Landscapes

  • Storage Device Security (AREA)

Abstract

FIELD: computer technology. SUBSTANCE: AND gate 13, the fifth switch 16, the second comparison unit 15 which has to be current comparator, are brought into the device additionally. Output stage leakage current may be put under control in the third condition. Unit 5 provides logic operation of the device. When signal is detected in control output 14 of the device, the error is indicated and process of programming is interrupted. EFFECT: improved precision of control after effect of higher voltage programming pulses. 1 dwg

Description

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для контроля правильности программирования микросхем памяти в программаторах. The invention relates to computer technology and can be used to control the correct programming of memory chips in programmers.

Устройство, аналогичное изобретению, производят контроль амплитуды и длительности программирующих импульсов. Кроме того, использование аналого-цифрового преобразователя для измерения уровней выходных сигналов позволяет проводить отбраковку запрограммированных микросхем по заданным уровням выходных сигналов. При этом отбраковка может быть осуществлена при изменении напряжения питания микросхем в заданном поле допуска. К недостаткам относится то, что контроль по заданным уровням выходных сигналов осуществляется без подключения к запрограммированной микросхеме нагрузки, и то, что для ППЗУ с выходом типа три состояния (ЗС) не предусмотрена возможность контроля третьего состояния. A device similar to the invention controls the amplitude and duration of programming pulses. In addition, the use of an analog-to-digital converter for measuring the levels of output signals allows the rejection of programmed microcircuits according to specified levels of output signals. In this case, rejection can be carried out by changing the supply voltage of the microcircuits in a given tolerance field. The disadvantages include the fact that monitoring at given levels of output signals is carried out without connecting to a programmed load microcircuit, and that for an EPROM with a three-state type output (ZS), it is not possible to control a third state.

На чертеже представлены схема предлагаемого устройства и логические выражения, поясняющие работу блока управления. The drawing shows a diagram of the proposed device and logical expressions explaining the operation of the control unit.

Устройство для контроля постоянной памяти содержит первый 1, второй 2, третий 3 и четвертый 4 ключи, блок 5 управления, первую шину 6 питания, первый 7, второй 8 и третий 9 ограничительные элементы, информационный вход-выход 10, первый блок 11 сравнения, первую группу 12 управляющих входов, элемент ИЛИ 13, контрольный выход 14, второй блок 15 сравнения, пятый ключ 16 и вторую группу 17 управляющих входов. The device for monitoring permanent memory contains the first 1, second 2, third 3 and fourth 4 keys, a control unit 5, a first power bus 6, a first 7, a second 8 and a third 9 restrictive elements, information input-output 10, the first comparison unit 11, the first group of 12 control inputs, the OR element 13, the control output 14, the second comparison unit 15, the fifth key 16 and the second group of 17 control inputs.

Устройство работает следующим образом. The device operates as follows.

Для того, чтобы микросхема постоянной памяти выполняла определенную функцию в каком-либо устройстве, в нее должна быть записана определенная информация. Для этого формируются импульсы программирования требуемой амплитуды и длительности, которые подаются в режиме программирования на информационный вход микросхемы. После программирования необходимо произвести контроль микросхемы, чтобы убедиться в правильности записанной информации, в соответствии уровней считанных сигналов требуемым величинам, в сохранности выходных каскадов микросхем, которые могут быть нарушены при программировании повышенным напряжением. In order for the permanent memory chip to perform a specific function in any device, certain information must be recorded in it. For this, programming pulses of the required amplitude and duration are generated, which are supplied in the programming mode to the information input of the microcircuit. After programming, it is necessary to check the microcircuit to make sure that the recorded information is correct, that the read signal levels correspond to the required values, that the output stages of the microcircuits are safe, which can be violated when programming with high voltage.

Поскольку предлагаемое устройство предназначено для формирования импульсов программирования и для контроля микросхемы после программирования, то оно работает в двух режимах: формирование и контроль. В общем случае эти режимы следуют один за другим, т. е. после записи кода в какой-либо разряд микросхемы проводится контроль этого разряда. Если результаты контроля удовлетворительны, то производится запись кода в следующий разряд, а затем его контроль. Действия повторяются до тех пор, пока вся микросхема памяти (или требуемая ее часть) не будет запрограммирована и проконтролирована. Если результаты контроля оказываются неудовлетворительными, то дальнейшее программирование этой микросхемы можно не продолжать, а саму микросхему следует забраковать. Since the proposed device is designed to generate programming pulses and to control the microcircuit after programming, it works in two modes: shaping and control. In the general case, these modes follow one after another, i.e., after the code is written to any bit of the microcircuit, this discharge is monitored. If the control results are satisfactory, then the code is written to the next bit, and then its control. The actions are repeated until the entire memory chip (or its required part) is programmed and monitored. If the results of the control turn out to be unsatisfactory, then further programming of this microcircuit may not be continued, and the microcircuit itself should be discarded.

Схема и логические выражения на чертеже дают представление о работе устройства. The diagram and logical expressions in the drawing give an idea of the operation of the device.

На первом входе блока 5 управления при программировании и контроле устанавливается уровень, соответствующий значению информационного бита. При программировании микросхем типа ОК или ЗС на втором входе блока 5 управления устанавливается уровень "1", а при контроле - уровень "0". At the first input of the control unit 5, during programming and control, a level corresponding to the value of the information bit is set. When programming microcircuits like OK or ZS, the level “1” is set at the second input of the control unit 5, and the level “0” is set during control.

При программировании и контроле микросхем, имеющих выход типа ОК, на третьем входе блока 5 управления устанавливается уровень "0", а при программировании и контроле микросхем с выходом типа ЗС - уровень "1". When programming and monitoring microcircuits having an output of type OK, the level “0” is set at the third input of the control unit 5, and when programming and monitoring microcircuits with an output of type ЗС - level “1”.

Контроль третьего состояния происходит, если на втором и четвертом входах блока 5 управления установлен уровень "0". Если на втором входе установлен уровень "1", а на четвертом - уровень "0", то происходит сброс в исходное состояние всего устройства. The control of the third state occurs if the level "0" is set at the second and fourth inputs of the control unit 5. If the second input is set to "1", and the fourth - level "0", then the entire device is reset.

При программировании и контроле микросхема памяти подключается своим информационным выводом к информационному входу-выходу 10 устройства. When programming and monitoring, the memory chip is connected with its information output to the information input-output 10 of the device.

Режим формирования импульсов программирования. В этом режиме на информационном входе-выходе 10 устройства необходимо сформировать импульс программирующего напряжения, величина которого зависит от записываемого кода числа (0 или 1) и типа запоминающей микросхемы. При этом на втором входе блока 5 управления устанавливается уровень "1", что соответствует режиму записи кода числа в микросхему памяти. Programming pulse generation mode. In this mode, it is necessary to form a pulse of programming voltage at the information input-output 10 of the device, the magnitude of which depends on the recorded code of the number (0 or 1) and the type of memory chip. At the same time, the level “1” is set at the second input of the control unit 5, which corresponds to the recording mode of the number code in the memory chip.

Перед началом работы устройства и до подачи программирующего напряжения на информационный вход-выход 10 устройства все его элементы устанавливаются в исходное состояние. При этом ключ 3 открыт уровнем "1", поступающим с третьего выхода блока 5 управления, а ключи 1, 2, 4 и 16 закрыты уровнем "0", поступающим на управляющие входы ключей с первого, второго, четвертого и пятого выходов блока управления соответственно (так как на втором входе блока управления установлен уровень "1", а на четвертом входе - уровень "0"). Таким образом, информационный вход-выход 10 оказывается подключенным к шине нулевого потенциала. Before starting the operation of the device and before applying the programming voltage to the information input-output 10 of the device, all its elements are set to their original state. In this case, the key 3 is opened by the level "1", coming from the third output of the control unit 5, and the keys 1, 2, 4 and 16 are closed by the level "0", coming to the control inputs of the keys from the first, second, fourth and fifth outputs of the control unit, respectively (since at the second input of the control unit the level is set to "1", and at the fourth input it is set to level "0"). Thus, the information input-output 10 is connected to the bus zero potential.

При подаче на шину 6 питания соответствующего типу микросхемы памяти программирующего напряжения на четвертом входе блока 5 управления устанавливается уровень "1". При этом ключ 3 закрывается, отключая информационный вход-выход 10 устройства от шины нулевого потенциала. Теперь состояние ключа 1 зависит от уровня сигнала на первом входе блока 5 управления. Если на первый вход блока 5 управления поступает код числа, соответствующий уровню "1", то ключ 1 открывается и напряжение с шины 6 питания через ограничительный элемент 7 поступает на информационный вход-выход 10 устройства. Если на первый вход блока управления поступает код числа, соответствующий уровень "0", то ключ 1 закрыт, а ключ 3 открыт. При этом информационный вход-выход 10 устройства подключен к шине нулевого потенциала. Таким образом, в зависимости от кода числа, поступающего на первый вход блока 5 управления, на информационном входе-выходе 10 устройства присутствует либо нулевой уровень, либо соответствующий уровень программирующего напряжения. Длительность импульсов программирования, формируемых на входе-выходе 10 устройства, определяется длительностью сигналов, поступающих на второй вход блока 5 управления. When applying to the bus 6 power corresponding to the type of memory chip programming voltage at the fourth input of the control unit 5, the level is set to "1". In this case, the key 3 is closed, disconnecting the information input-output 10 of the device from the zero potential bus. Now the state of the key 1 depends on the signal level at the first input of the control unit 5. If the number code corresponding to level "1" is supplied to the first input of the control unit 5, then the key 1 is opened and the voltage from the power bus 6 through the restrictive element 7 is supplied to the information input-output 10 of the device. If the number code corresponding to the level “0” is received at the first input of the control unit, then key 1 is closed and key 3 is open. In this case, the information input-output 10 of the device is connected to the bus of zero potential. Thus, depending on the code of the number entering the first input of the control unit 5, either the zero level or the corresponding level of programming voltage is present at the information input-output 10 of the device. The duration of the programming pulses generated at the input-output 10 of the device is determined by the duration of the signals supplied to the second input of the control unit 5.

Режим контроля. В этом режиме к входу-выходу 10 устройства необходимо подключить соответствующие ограничительные элементы, которые задают предельные токи нагрузки для данного типа микросхемы памяти. При этом производится оценка уровней сигналов, считанных из микросхемы памяти, и проверяется сохранность выходных каскадов микросхем, которые могут быть нарушены при программировании. В этом режиме на втором входе блока 5 управления устанавливается уровень "0", что соответствует режиму считывания из микросхемы памяти. Так как в устройстве режим контроля следует за режимом формирования и служит для проверки результата записи в данный разряд микросхемы памяти, то код числа, установившийся на первом входе блока 5 управления в режиме формирования, продолжает оставаться таким же в режиме контроля. Control mode. In this mode, it is necessary to connect the corresponding limiting elements to the input-output 10 of the device, which specify the maximum load currents for this type of memory chip. In this case, the levels of the signals read from the memory microcircuit are estimated, and the safety of the output stages of the microcircuits that can be violated during programming is checked. In this mode, the level “0” is set at the second input of the control unit 5, which corresponds to the reading mode from the memory chip. Since the control mode in the device follows the formation mode and serves to verify the result of writing to a given bit of the memory microcircuit, the number code established at the first input of the control unit 5 in the formation mode continues to remain the same in the control mode.

Рассмотрим работу устройства при контроле микросхемы памяти с выходом типа ОК. При контроле кода 0 открывается ключ 2 уровнем "1", поступающим на управляющий вход ключа. При этом к информационному входу-выходу 10 устройства подключается ограничительный элемент 8, который задает предельный ток нагрузки при считывании кода 0. Сигнал с выхода микросхемы памяти через информационный вход-выход 10 и открытый ключ 16 (так как на пятом выходе блока 5 управления уровень "1", разрешающий одновременно работу и блоку 11 сравнения) поступает на вход блока 11 сравнения, где он сравнивается с опорным напряжением, поступающим по шине 12 от источника опорного напряжения. На выходе блока сравнения формируется сигнал результата сравнения, который через элемент ИЛИ 13 поступает на контрольный выход 14 устройства. Если уровень сигнала, поступающего из микросхемы памяти, превышает уровень опорного напряжения, то на контрольном выходе 14 устройства появляется сигнал ошибки нулевого уровня. При контроле кода 1 открыты ключи 2 и 16 (аналогично описанному) и ключ 4 уровнем "1", поступающим с четвертого выхода блока 5 управления. При этом с помощью этих ключей к информационному входу-выходу 10 устройства подключаются ограничительные элементы 8 и 9. Если токи утечки микросхемы памяти оказываются больше допустимых, то уровень сигнала с микросхемы меньше опорного напряжения, что фиксируется блоком 11 сравнения, и на контрольном выходе 14 устройства появляется сигнал ошибки нулевого уровня. Consider the operation of the device when monitoring a memory chip with an output of type OK. When monitoring code 0, key 2 is opened with level "1", which is received at the control input of the key. In this case, a limiting element 8 is connected to the information input-output 10 of the device, which sets the maximum load current when reading code 0. The signal from the output of the memory chip through the information input-output 10 and the public key 16 (since the level 1 ", which allows simultaneous operation of the comparison unit 11) is fed to the input of the comparison unit 11, where it is compared with the reference voltage supplied via the bus 12 from the reference voltage source. The output of the comparison unit generates a signal of the result of the comparison, which through the element OR 13 enters the control output 14 of the device. If the level of the signal coming from the memory chip exceeds the level of the reference voltage, then a zero level error signal appears at the control output 14 of the device. When monitoring code 1, keys 2 and 16 are open (similar to that described) and key 4 with level "1", coming from the fourth output of control unit 5. In this case, using these keys, limiting elements 8 and 9 are connected to the information input-output 10 of the device. If the leakage currents of the memory microcircuit are more than acceptable, then the signal level from the microcircuit is lower than the reference voltage, which is recorded by the comparison unit 11, and on the control output 14 of the device a zero level error signal appears.

Рассмотрим работу устройства при контроле микросхем памяти с выходом типа ЗС. Здесь контроль осуществляется в два этапа: контроль уровней выходных сигналов микросхемы памяти и контроль третьего состояния. Consider the operation of the device when monitoring memory chips with an output of type ZS. Here, control is carried out in two stages: control of the output signals of the memory microcircuit and control of the third state.

При контроле кода 0 открывается ключ 2, так как на первом и втором входах блока 5 управления установлен уровень "0", а на третьем и четвертом входах - уровень "1" (см. логические выражения на чертеже). При этом к информационному входу-выходу 10 устройства подключается ограничительный элемент 8, который задает предельное значение тока нагрузки, при контроле кода 1 открывается ключ 4 (аналогично описанному) и с его помощью к информационному входу-выходу устройства подключается ограничительный элемент 9. Контроль сигналов, поступающих с выхода микросхемы памяти, и формирование сигнала ошибки осуществляются так же, как и при контроле микросхем с выходом типа ОК. When monitoring code 0, key 2 is opened, since the level “0” is set at the first and second inputs of the control unit 5, and level “1” is set at the third and fourth inputs (see logical expressions in the drawing). In this case, a limit element 8 is connected to the information input-output 10 of the device, which sets the limit value of the load current, when controlling code 1, the key 4 is opened (similar to that described) and with its help a limit element 9 is connected to the information input-output of the device 9. Signal control, coming from the output of the memory chip, and the formation of an error signal is carried out in the same way as in the control of chips with an output of type OK.

Контроль третьего состояния осуществляется, когда на втором и четвертом входах блока 5 управления устанавливается уровень "0", а на третьем входе - уровень "1". При этом на шестом выходе блока 5 управления установлен уровень "1", а на всех остальных выходах - уровень "0". Таким образом, все ключи закрыты, блок 11 сравнения находится в нерабочем состоянии, а блок 15 сравнения - в рабочем. Вывод микросхемы памяти через информационный вход-выход 10 устройства подключен только к блоку 15 сравнения. Ток утечки микросхемы памяти поступает на вход блока 15 сравнения, представляющего собой компаратор тока, для сравнения с опорным значением, поступающим по шине 17 от источника опорного тока. Если ток, поступающий от микросхемы памяти, превышает уровень опорного, то сигнал ошибки уровня "1" с выхода блока 15 сравнения через элемент ИЛИ 13 поступает на контрольный выход 14 устройства. The third state is monitored when the level “0” is set at the second and fourth inputs of the control unit 5, and the level “1” is set at the third input. At the same time, the level “1” is set at the sixth output of the control unit 5, and the level “0” is set at all other outputs. Thus, all keys are closed, the comparison unit 11 is inoperative, and the comparison unit 15 is in operation. The output of the memory chip through the information input-output 10 of the device is connected only to the block 15 comparison. The leakage current of the memory chip is supplied to the input of the comparison unit 15, which is a current comparator, for comparison with the reference value supplied via the bus 17 from the reference current source. If the current coming from the memory microcircuit exceeds the reference level, then the level 1 error signal from the output of the comparison unit 15 through the OR element 13 is fed to the control output 14 of the device.

(56) Авторское свидетельство СССР N 1381593, кл. G 11 C 29/00, 1987. (56) Copyright certificate of the USSR N 1381593, cl. G 11 C 29/00, 1987.

Авторское свидетельство СССР N 1324068, кл. G 11 C 29/00, 1987. USSR copyright certificate N 1324068, cl. G 11 C 29/00, 1987.

Claims (1)

УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПОСТОЯННОЙ ПАМЯТИ , содеpжащее пеpвый, втоpой, тpетий и четвеpтый ключи, пеpвые упpавляющие входы котоpых соединены соответственно с пеpвым, втоpым, тpетьим и четвеpтым выходом блока упpавления, выходы тpетьего и четвеpтого ключа соединены с шиной нулевого потенциала, втоpые входы пеpвого и втоpого ключа соединены соответственно с пеpвой и втоpой шиной питания, а выходы пеpвого и втоpого ключа - с пеpвыми выводами соответственно пеpвого и втоpого огpаничительных элементов, втоpые выводы котоpых соединены между собой, а также с втоpым входом тpетьего ключа и пеpвым выводом тpетьего огpаничительного элемента и является инфоpмационным входом/выходом устpойства, втоpой вывод тpетьего огpаничительного элемента соединен с втоpым входом четвеpтого ключа, пеpвый вход блока упpавления соединен с пеpвым входом пеpвого блока сpавнения, гpуппа входов котоpого является пеpвой гpуппой упpавляющих входов устpойства, отличающееся тем, что с целью повышения точности контpоля, в него введены пятый ключ, втоpой блок сpавнения и элемент ИЛИ, выход котоpого является контpольным выходом устpойства, а входы соединены с выходами пеpвого и втоpого блоков сpавнения, пеpвый вход втоpого блока сpавнения и пеpвый вход пятого ключа соединены с инфоpмационным входом/выходом устpойства, а выход пятого ключа - с втоpым входом пеpвого блока сpавнения, пятый выход блока упpавления соединен с втоpым упpавляющим входом пятого ключа и тpетьим входом пеpвого блока сpавнения, шестой выход блока упpавления соединен с втоpым входом втоpого блока сpавнения, гpуппа входов котоpого является втоpой гpуппой упpавляющих входов устpойства. A device for monitoring the read-only memory containing the first, second, third and fourth keys, the first control inputs of which are connected respectively to the first, second, third and fourth outputs of the third, third and fourth key outputs the key are connected respectively to the first and second power bus, and the outputs of the first and second key to the first conclusions of the first and second limiting elements, respectively, the second conclusions of which are interconnected, as well as with the third input of the third key and the first output of the third limiting element is the information input / output of the device, the second output of the third limiting element is connected to the second input of the fourth key, the first input of the control unit is connected to the first input of the second devices, characterized in that in order to increase the accuracy of the control, the fifth key, the second comparison unit and the OR element, the output of which is the control output of the device, are entered into it two, and the inputs are connected to the outputs of the first and second comparison blocks, the first input of the second comparison block and the first input of the fifth key are connected to the information input / output of the device, and the output of the fifth key is connected to the second input of the first comparison block, the fifth output of the control block the control input of the fifth key and the third input of the first comparison unit, the sixth output of the control unit is connected to the second input of the second comparison unit, the input group of which is the second group of control inputs of the device.
SU4944919 1991-05-20 1991-05-20 Device for controlling permanent memory RU2010363C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4944919 RU2010363C1 (en) 1991-05-20 1991-05-20 Device for controlling permanent memory

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4944919 RU2010363C1 (en) 1991-05-20 1991-05-20 Device for controlling permanent memory

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2010363C1 true RU2010363C1 (en) 1994-03-30

Family

ID=21578993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4944919 RU2010363C1 (en) 1991-05-20 1991-05-20 Device for controlling permanent memory

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2010363C1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR19980052418A (en) Repair Fuse Initialization Circuit Using Flash Memory Cell
KR20000069734A (en) A microcontroller having special mode enable detection circuitry and a method of operation therefore
RU2010363C1 (en) Device for controlling permanent memory
JPH04178580A (en) Self diagnostic device for semiconductor memory
US5065047A (en) Digital circuit including fail-safe circuit
JPH01502534A (en) 3-state circuit test equipment
US4384353A (en) Method and means for internal error check in a digital memory
US5442310A (en) Circuitry and method for reset discrimination
US4689791A (en) Device for translating a test sequence to a burn-in sequence for a logic circuit and/or a digital circuit, a method for burn-in operation of a logic circuit and/or a digital circuit
US5159574A (en) Address transition detection circuit
EP0595748A1 (en) Power up detection circuits
JP3074015B2 (en) Semiconductor device
SU1324068A1 (en) Device for monitoring permanent memory
JP2830799B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
KR100618688B1 (en) Power up circuit
JPH08279281A (en) Timing circuit
KR960016498B1 (en) Non-volatile memory device
EP0279993B1 (en) A circuit for removing unwanted temporal portions of a voltage varying signal
SU1166180A1 (en) Versions of device for checking memory integrated circuits
SU651351A1 (en) Arrangement for checking logic units
KR100238933B1 (en) Test pattern generator
RU2168856C1 (en) Staticproof ring counter
SU408282A1 (en) MULTI-CHANNEL DEVICE FOR INTEGRAL CHECK CONTROL
SU1297118A1 (en) Device for writing and checking programmable read-only memory
JP3292307B2 (en) IC test equipment