Claims (23)
1. Полупроводниковый дисковый лазер, содержащий активную пластину с зеркальным покрытием на первой поверхности, закрепленной на первой хладопроводящей подложке, внешнее зеркало обратной связи и лазер накачки, причем активная пластина находится между зеркальным покрытием и внешним зеркалом обратной связи которые являются элементами оптического резонатора дискового лазера, а лазер накачки, имеет свой устойчивый оптический резонатор и длина волны его излучения короче длины волны излучения дискового лазера, отличающийся тем, что активная пластина дискового лазера является одним из отражающих элементов устойчивого оптического резонатора лазера накачки, причем при отражении генерируемого в лазере накачки излучения от активной пластины часть излучения частично поглощается в активной пластине, тем самым возбуждая дисковый лазер.1. A semiconductor disk laser containing an active plate with a mirror coating on the first surface mounted on the first cold-conducting substrate, an external feedback mirror and a pump laser, the active plate being between the mirror coating and the external feedback mirror which are elements of an optical resonator of a disk laser, and the pump laser has its own stable optical resonator and the wavelength of its radiation is shorter than the radiation wavelength of the disk laser, characterized in that it is active The disk laser plate is one of the reflective elements of a stable optical cavity of the pump laser, and when the radiation generated in the pump laser is reflected from the active plate, a part of the radiation is partially absorbed in the active plate, thereby exciting the disk laser.
2. Полупроводниковый дисковый лазер по п.1, отличающийся тем, что активная пластина обращена к первой хладопроводящей подложке своей первой стороной с зеркальным покрытием, которое выполнено высокоотражающим на длине волны излучения дискового лазера и длине волны излучения лазера накачки, а на вторую поверхность активной пластины нанесено дополнительное покрытие, высокопропускающее на длине волны излучения дискового лазера и пропускающее, по меньшей мере, частично на длине волны излучения лазера накачки.2. The semiconductor disk laser according to claim 1, characterized in that the active plate faces the first cold-conducting substrate with its first side with a mirror coating, which is made highly reflective at the radiation wavelength of the disk laser and the wavelength of the pump laser, and on the second surface of the active plate an additional coating is applied which is highly transmittable at a wavelength of radiation from a disk laser and which transmits at least partially at a wavelength of radiation of a pump laser.
3. Полупроводниковый дисковый лазер по п.1, отличающийся тем, что активная пластина обращена к первой хладопроводящей подложке своей второй стороной, на которую нанесено дополнительное дихроическое зеркальной покрытие, высокопропускающее излучение дискового лазера и высокоотражающее излучение лазера накачки, а зеркальное покрытие на первой стороне активной области выполнено высокоотражающим на длине волны излучения дискового лазера и пропускающим, по меньшей мере, частично на длине волны излучения лазера накачки.3. The semiconductor disk laser according to claim 1, characterized in that the active plate faces the first cold-conducting substrate with its second side, which is coated with an additional dichroic mirror coating, high transmission radiation from the disk laser and highly reflective radiation from the pump laser, and the mirror coating on the first side of the active The area is highly reflective at a wavelength of radiation from a disk laser and transmits at least partially at a wavelength of radiation of a pump laser.
4. Полупроводниковый дисковый лазер по любому из пп.2 и 3, отличающийся тем, что лазер накачки содержит матрицу активных элементов, а устойчивый оптический резонатор имеет оптическую ось, вдоль которой последовательно расположены первое зеркало обратной связи, матрица активных элементов, первая линза с просветляющими покрытиями, активная пластина дискового лазера, вторая линза с просветляющими покрытиями и второе общее зеркало обратной связи, причем точка пересечения оптической оси с первой поверхностью активной пластины, преломляющей оптическую ось, находится вблизи задней фокальной плоскости первой линзы и вблизи передней фокальной плоскости второй линзы.4. A semiconductor disk laser according to any one of claims 2 and 3, characterized in that the pump laser contains a matrix of active elements, and a stable optical resonator has an optical axis along which the first feedback mirror, the matrix of active elements, the first lens with antireflective are sequentially arranged coatings, an active plate of a disk laser, a second lens with antireflection coatings and a second common feedback mirror, the point of intersection of the optical axis with the first surface of the active plate refracting pticheskuyu axis located near the rear focal plane of the first lens and the vicinity of the front focal plane of the second lens.
5. Полупроводниковый дисковый лазер по любому из пп.2 и 3, отличающийся тем, что лазер накачки содержит матрицу поверхностно излучающих полупроводниковых элементов с продольной инжекционной накачкой, а устойчивый оптический резонатор имеет оптическую ось, вдоль которой последовательно расположены первое зеркало обратной связи, матрица поверхностно излучающих полупроводниковых элементов, первая линза с просветляющими покрытиями, активная пластина дискового лазера, вторая линза с просветляющими покрытиями и второе общее зеркало обратной связи, причем точка пересечения оптической оси с первой поверхностью активной пластины, преломляющей оптическую ось, находится вблизи задней фокальной плоскости первой линзы и вблизи передней фокальной плоскости второй линзы.5. A semiconductor disk laser according to any one of claims 2 and 3, characterized in that the pump laser contains a matrix of surface-emitting semiconductor elements with longitudinal injection pumping, and a stable optical resonator has an optical axis along which the first feedback mirror is arranged in series, the matrix is surface emitting semiconductor elements, the first lens with antireflection coatings, the active plate of a disk laser, the second lens with antireflection coatings and a second common mirror contact, and the point of intersection of the optical axis with the first surface of the active plate refracting the optical axis is located near the rear focal plane of the first lens and near the front focal plane of the second lens.
6. Полупроводниковый дисковый лазер по п.2, отличающийся тем, что лазер накачки содержит лазерную электронно-лучевую трубку с электронно-оптической осью, содержащую в вакуумированной колбе с выходным оптическим окном последовательно расположенные вдоль электронно-оптической оси источник электронов, систему электродов для формирования электронного пучка, вторую активную пластину с высокоотражающим зеркальным покрытием на первой ее поверхности, закрепленную на второй хладопроводящей подложке, а также системы фокусировки и отклонения электронного пучка, размещенные вне вакуумированной колбы; устойчивый оптический резонатор имеет оптическую ось, вдоль которой последовательно размещены вторая активная пластина с высокоотражающим зеркальным покрытием внутри вакуумируемой колбы и первая линза с просветляющими покрытиями, активная пластина дискового лазера, вторая линза с просветляющими покрытиями и второе внешнее зеркало обратной связи, размещенные вне вакуумируемой колбы; причем точка пересечения оптической оси с первой поверхностью активной пластины, преломляющей оптическую ось, находится вблизи задней фокальной плоскости первой линзы и вблизи передней фокальной плоскости второй линзы.6. The semiconductor disk laser according to claim 2, characterized in that the pump laser comprises a laser cathode ray tube with an electron-optical axis, comprising, in a vacuum flask with an output optical window, an electron source and an electrode system sequentially arranged along the electron-optical axis electron beam, a second active plate with a highly reflective mirror coating on its first surface, mounted on a second cold-conducting substrate, as well as focusing and deflection systems electrons beam placed outside a vacuum flask; a stable optical resonator has an optical axis along which a second active plate with a highly reflective mirror coating inside the evacuated flask and a first lens with antireflective coatings, an active disk laser plate, a second lens with antireflective coatings and a second external feedback mirror located outside the evacuated flask are sequentially placed; moreover, the point of intersection of the optical axis with the first surface of the active plate refracting the optical axis is located near the rear focal plane of the first lens and near the front focal plane of the second lens.
7. Полупроводниковый дисковый лазер по п.3, отличающийся тем, что лазер накачки содержит лазерную электронно-лучевую трубку с электронно-оптической осью, содержащую в вакуумированной колбе с выходным оптическим окном последовательно расположенные вдоль электронно-оптической оси источник электронов, систему электродов для формирования электронного пучка, вторую активную пластину с высокоотражающим зеркальным покрытием на первой ее поверхности, закрепленную на второй хладопроводящей подложке, а также системы фокусировки и отклонения электронного пучка, размещенные вне вакуумированной колбы; устойчивый оптический резонатор имеет оптическую ось, вдоль которой последовательно размещены вторая активная пластина с высокоотражающим зеркальным покрытием внутри вакуумируемой колбы и первая линза с просветляющими покрытиями, активная пластина дискового лазера, вторая линза с просветляющими покрытиями и второе внешнее зеркало обратной связи, размещенные вне вакуумируемой колбы; причем точка пересечения оптической оси с первой поверхностью активной пластины, преломляющей оптическую ось, находится вблизи задней фокальной плоскости первой линзы и вблизи передней фокальной плоскости второй линзы.7. The semiconductor disk laser according to claim 3, characterized in that the pump laser comprises a laser cathode ray tube with an electron-optical axis, comprising, in a vacuum flask with an output optical window, an electron source and an electrode system sequentially arranged along the electron-optical axis electron beam, a second active plate with a highly reflective mirror coating on its first surface, mounted on a second cold-conducting substrate, as well as focusing and deflection systems electrons beam placed outside a vacuum flask; a stable optical resonator has an optical axis along which a second active plate with a highly reflective mirror coating inside the evacuated flask and a first lens with antireflective coatings, an active disk laser plate, a second lens with antireflective coatings and a second external feedback mirror located outside the evacuated flask are sequentially placed; moreover, the point of intersection of the optical axis with the first surface of the active plate refracting the optical axis is located near the rear focal plane of the first lens and near the front focal plane of the second lens.
8. Полупроводниковый дисковый лазер по п.2, отличающийся тем, что лазер накачки выполнен в виде первой и второй лазерных электронно-лучевых трубок с электронно-оптической осью, каждая из которых содержит в вакуумированной колбе с выходным оптическим окном последовательно расположенные вдоль электронно-оптической оси источник электронов, систему электродов для формирования электронного пучка, вторую активную пластину с высокоотражающим зеркальным покрытием на первой ее поверхности, закрепленную на второй хладопроводящей подложке, а также системы фокусировки и отклонения электронного пучка, размещенные вне вакуумированной колбы; устойчивый оптический резонатор имеет оптическую ось, вдоль которой последовательно размещены вторая активная пластина с высокоотражающим зеркальным покрытием первой лазерной электроннолучевой трубки, первая линза с просветляющими покрытиями, активная пластина дискового лазера, вторая линза с просветляющими покрытиями, вторая активная пластина с высокоотражающим зеркальным покрытием второй лазерной электроннолучевой трубки; причем точка пересечения оптической оси с первой поверхностью активной пластины, преломляющей оптическую ось, находится вблизи задней фокальной плоскости первой линзы и вблизи передней фокальной плоскости второй линзы, а системы отклонения электронных пучков обеспечивают оптическое сопряжение области возбуждения второй активной пластины первой лазерной электронно-лучевой трубки с областью возбуждения второй активной пластины второй лазерной электронно-лучевой трубки.8. The semiconductor disk laser according to claim 2, characterized in that the pump laser is made in the form of a first and second laser cathode ray tube with an electron-optical axis, each of which contains in a vacuum flask with an output optical window sequentially located along the electron-optical axis an electron source, an electrode system for forming an electron beam, a second active plate with a highly reflective mirror coating on its first surface, mounted on a second cold-conducting substrate, and that also focusing systems and deviations of the electron beam, placed outside the evacuated bulb; a stable optical resonator has an optical axis along which a second active plate with a highly reflective mirror coating of the first laser cathode ray tube, a first lens with antireflection coatings, an active disk laser plate, a second lens with antireflective coatings, a second active plate with a highly reflective mirror coating of the second laser electron beam are sequentially placed tubes; moreover, the point of intersection of the optical axis with the first surface of the active plate refracting the optical axis is located near the rear focal plane of the first lens and near the front focal plane of the second lens, and the electron beam deflection systems provide optical coupling of the excitation region of the second active plate of the first laser cathode ray tube with the excitation region of the second active plate of the second laser cathode ray tube.
9. Полупроводниковый дисковый лазер по п.3, отличающийся тем, что лазер накачки выполнен в виде первой и второй лазерных электронно-лучевых трубок с электронно-оптической осью, каждая из которых содержит в вакуумированной колбе с выходным оптическим окном последовательно расположенные вдоль электронно-оптической оси источник электронов, систему электродов для формирования электронного пучка, вторую активную пластину с высокоотражающим зеркальным покрытием на первой ее поверхности, закрепленную на второй хладопроводящей подложке, а также системы фокусировки и отклонения электронного пучка, размещенные вне вакуумированной колбы; устойчивый оптический резонатор имеет оптическую ось, вдоль которой последовательно размещены вторая активная пластина с высокоотражающим зеркальным покрытием первой лазерной электроннолучевой трубки, первая линза с просветляющими покрытиями, активная пластина дискового лазера, вторая линза с просветляющими покрытиями, вторая активная пластина с высокоотражающим зеркальным покрытием второй лазерной электроннолучевой трубки; причем точка пересечения оптической оси с первой поверхностью активной пластины, преломляющей оптическую ось, находится вблизи задней фокальной плоскости первой линзы и вблизи передней фокальной плоскости второй линзы, а системы отклонения электронных пучков обеспечивают оптическое сопряжение области возбуждения второй активной пластины первой лазерной электронно-лучевой трубки с областью возбуждения второй активной пластины второй лазерной электронно-лучевой трубки.9. The semiconductor disk laser according to claim 3, characterized in that the pump laser is made in the form of first and second laser cathode ray tubes with an electron-optical axis, each of which contains in a vacuum flask with an output optical window sequentially located along the electron-optical axis an electron source, an electrode system for forming an electron beam, a second active plate with a highly reflective mirror coating on its first surface, mounted on a second cold-conducting substrate, and that also focusing systems and deviations of the electron beam, placed outside the evacuated bulb; a stable optical resonator has an optical axis along which a second active plate with a highly reflective mirror coating of the first laser cathode ray tube, a first lens with antireflection coatings, an active disk laser plate, a second lens with antireflective coatings, a second active plate with a highly reflective mirror coating of the second laser electron beam are sequentially placed tubes; moreover, the point of intersection of the optical axis with the first surface of the active plate refracting the optical axis is located near the rear focal plane of the first lens and near the front focal plane of the second lens, and the electron beam deflection systems provide optical coupling of the excitation region of the second active plate of the first laser cathode ray tube with the excitation region of the second active plate of the second laser cathode ray tube.
10. Полупроводниковый дисковый лазер по п.8, отличающийся тем, что первая и вторая лазерные электронно-лучевые трубки помещены в единую вакуумируемую колбу с единым выходным окном, вторая активная пластина первой лазерной электронно-лучевой трубки и вторая активная пластина второй лазерной электроннолучевой трубки являются единой второй активной пластиной, закрепленной на единой второй хладопроводящей подложке, а первая и вторая линзы совмещены в единой линзе с просветляющими покрытиями.10. The semiconductor disk laser according to claim 8, characterized in that the first and second laser cathode ray tubes are placed in a single evacuated flask with a single exit window, the second active plate of the first laser cathode ray tube and the second active plate of the second laser cathode ray tube a single second active plate mounted on a single second cold-conducting substrate, and the first and second lenses are combined in a single lens with antireflection coatings.
11. Полупроводниковый дисковый лазер по п.9, отличающийся тем, что первая и вторая лазерные электронно-лучевые трубки помещены в единую вакуумируемую колбу с единым выходным окном, вторая активная пластина первой лазерной электронно-лучевой трубки и вторая активная пластина второй лазерной электроннолучевой трубки являются единой второй активной пластиной, закрепленной на единой второй хладопроводящей подложке, а первая и вторая линзы совмещены в единой линзе с просветляющими покрытиями.11. The semiconductor disk laser according to claim 9, characterized in that the first and second laser cathode ray tubes are placed in a single evacuated flask with a single output window, the second active plate of the first laser cathode ray tube and the second active plate of the second laser cathode ray tube a single second active plate mounted on a single second cold-conducting substrate, and the first and second lenses are combined in a single lens with antireflection coatings.
12. Полупроводниковый дисковый лазер по п.2, отличающийся тем, что лазер накачки содержит лазерную электронно-лучевую трубку, выполненную в виде вакуумируемой колбы с выходным оптическим окном и имеющую электронно-оптическую ось, вдоль которой последовательно расположены источник электронов, система электродов для формирования электронного пучка и вторая активная пластина с высокоотражающим зеркальным покрытием на первой поверхности, закрепленная на первой половине второй хладопроводящей подложки, у которой вторая половина имеет аналогичное высокоотражающее зеркальное покрытие, а также системы фокусировки и отклонения электронного пучка, размещенные вне трубки; устойчивый оптический резонатор имеет оптическую ось, вдоль которой последовательно размещены вторая хладопроводящая подложка со второй активной пластиной и высокоотражающим зеркальным покрытием на первой поверхности второй активной пластины и вне ее, линза с просветляющими покрытиями и активная пластина дискового лазера, первая поверхность которой находится вблизи задней фокальной плоскостью линзы; причем область напыления высокоотражающего зеркального покрытия на первой поверхности второй активной пластины имеет зеркально симметричную область напыления высокоотражающего зеркального покрытия на второй половине хладопроводящей подложки относительно оптической оси устойчивого оптического резонатора, и система отклонения электронного пучка обеспечивает расположение области возбуждения второй активной пластины в пределах области с высокоотражающим зеркальным покрытием на первой ее поверхности.12. The semiconductor disk laser according to claim 2, characterized in that the pump laser comprises a laser cathode ray tube made in the form of an evacuated bulb with an output optical window and having an electron optical axis along which an electron source is arranged in series, an electrode system for forming the electron beam and the second active plate with a highly reflective mirror coating on the first surface, mounted on the first half of the second cold-conducting substrate, in which the second half has an ogichnoe highly reflective mirror coating and the focusing system and deflecting the electron beam tube is placed; a stable optical resonator has an optical axis along which a second cold conductive substrate with a second active plate and a highly reflective mirror coating is placed on and off the first surface of the second active plate, an antireflection lens and an active disk laser plate, the first surface of which is located near the rear focal plane lenses; moreover, the deposition region of the highly reflective mirror coating on the first surface of the second active plate has a mirror symmetric region of the deposition of highly reflective mirror coating on the second half of the cold-conducting substrate relative to the optical axis of the stable optical resonator, and the electron beam deflection system ensures that the excitation region of the second active plate is located within the region with the highly reflective mirror coating on its first surface.
13. Полупроводниковый дисковый лазер по п.3, отличающийся тем, что лазер накачки содержит лазерную электронно-лучевую трубку, выполненную в виде вакуумируемой колбы с выходным оптическим окном и имеющую электронно-оптическую ось, вдоль которой последовательно расположены источник электронов, система электродов для формирования электронного пучка и вторая активная пластина с высокоотражающим зеркальным покрытием на первой поверхности, закрепленная на первой половине второй хладопроводящей подложки, у которой вторая половина имеет аналогичное высокоотражающее зеркальное покрытие, а также системы фокусировки и отклонения электронного пучка, размещенные вне трубки; устойчивый оптический резонатор имеет оптическую ось, вдоль которой последовательно размещены вторая хладопроводящая подложка со второй активной пластиной и высокоотражающим зеркальным покрытием на первой поверхности второй активной пластины и вне ее, линза с просветляющими покрытиями и активная пластина дискового лазера, первая поверхность которой находится вблизи задней фокальной плоскостью линзы; причем область напыления высокоотражающего зеркального покрытия на первой поверхности второй активной пластины имеет зеркально симметричную область напыления высокоотражающего зеркального покрытия на второй половине хладопроводящей подложки относительно оптической оси устойчивого оптического резонатора, и система отклонения электронного пучка обеспечивает расположение области возбуждения второй активной пластины в пределах области с высокоотражающим зеркальным покрытием на первой ее поверхности.13. The semiconductor disk laser according to claim 3, characterized in that the pump laser comprises a laser cathode ray tube made in the form of an evacuated bulb with an output optical window and having an electron optical axis along which an electron source is arranged in series, an electrode system for forming the electron beam and the second active plate with a highly reflective mirror coating on the first surface, mounted on the first half of the second cold-conducting substrate, in which the second half has an ogichnoe highly reflective mirror coating and the focusing system and deflecting the electron beam tube is placed; a stable optical resonator has an optical axis along which a second cold conductive substrate with a second active plate and a highly reflective mirror coating is placed on and off the first surface of the second active plate, an antireflection lens and an active disk laser plate, the first surface of which is located near the rear focal plane lenses; moreover, the deposition region of the highly reflective mirror coating on the first surface of the second active plate has a mirror symmetric region of the deposition of highly reflective mirror coating on the second half of the cold-conducting substrate relative to the optical axis of the stable optical resonator, and the electron beam deflection system ensures that the excitation region of the second active plate is located within the region with the highly reflective mirror coating on its first surface.
14. Полупроводниковый дисковый лазер по любому из пп.6, 7, 10, 11, 12 и 13, отличающийся тем, что вторая хладопроводящая подложка выполнена прозрачной, вторая активная пластина закреплена на второй хладопроводящей подложке своей второй стороной, выходное оптической окно расположено между второй активной пластиной и первой линзой, причем возбуждение второй активной пластины осуществляется через высокоотражающее зеркальное покрытие, нанесенное на первую ее поверхность.14. A semiconductor disk laser according to any one of claims 6, 7, 10, 11, 12 and 13, characterized in that the second refrigerant substrate is made transparent, the second active plate is mounted on the second refrigerant substrate with its second side, the output optical window is located between the second an active plate and a first lens, and the second active plate is excited through a highly reflective mirror coating deposited on its first surface.
15. Полупроводниковый дисковый лазер по любому из пп.6, 7, 10, 11, 12 и 13, отличающийся тем, что вторая хладопроводящая подложка выполнена прозрачной и является одновременно выходным оптическим окном вакуумируемой колбы с внешней поверхностью, имеющей просветляющее покрытие, вторая активная пластина закреплена на второй хладопроводящей подложке своей второй стороной, причем возбуждение второй активной пластины осуществляется через высокоотражающее зеркальное покрытие, нанесенное на первую ее поверхность.15. A semiconductor disk laser according to any one of claims 6, 7, 10, 11, 12 and 13, characterized in that the second cold conducting substrate is transparent and is at the same time the output optical window of the evacuated flask with an external surface having an antireflective coating, the second active plate mounted on the second cold conducting substrate with its second side, and the second active plate is excited through a highly reflective mirror coating deposited on its first surface.
16. Полупроводниковый дисковый лазер по любому из пп.6, 7, 10, 11, 12 и 13, отличающийся тем, что вторая хладопроводящая подложка выполнена прозрачной, имеет плоскую и выпуклую поверхности и является одновременно выходным окном вакуумируемой колбы и первой линзой, вторая активная пластина закреплена на плоской поверхности второй хладопроводящей подложке своей второй стороной, причем возбуждение второй активной пластины осуществляется через высокоотражающее зеркальное покрытие, нанесенное на первую ее поверхность.16. A semiconductor disk laser according to any one of claims 6, 7, 10, 11, 12 and 13, characterized in that the second cold conducting substrate is transparent, has a flat and convex surface and is simultaneously the exit window of the evacuated flask and the first lens, the second active the plate is fixed on a flat surface to the second cold conducting substrate with its second side, and the second active plate is excited through a highly reflective mirror coating deposited on its first surface.
17. Полупроводниковый дисковый лазер по любому из пп.6, 7, 10, 11, 12 и 13, отличающийся тем, что вторая активная пластина закреплена на второй хладопроводящей подложке своей первой стороной, выходное оптической окно расположено между второй активной пластиной и активной пластиной дискового лазера и имеет просветляющие покрытия, причем возбуждение второй активной пластины осуществляется через вторую ее поверхность.17. A semiconductor disk laser according to any one of claims 6, 7, 10, 11, 12 and 13, characterized in that the second active plate is mounted on the second cold-conducting substrate with its first side, the output optical window is located between the second active plate and the active disk plate of the laser and has antireflection coatings, and the second active plate is excited through its second surface.
18. Полупроводниковый дисковый лазер по любому из пп.6, 7, 10, 11, 12 и 13, отличающийся тем, что вторая активная пластина закреплена на второй хладопроводящей подложке своей первой стороной, выходное оптической окно вакуумируемой колбы является одновременно первой линзой, расположено между второй активной пластиной и активной пластиной дискового лазера и имеет просветляющие покрытия, причем возбуждение второй активной пластины осуществляется через вторую ее поверхность.18. A semiconductor disk laser according to any one of claims 6, 7, 10, 11, 12 and 13, characterized in that the second active plate is mounted on the second cold-conducting substrate with its first side, the output optical window of the evacuated bulb is simultaneously the first lens, located between the second active plate and the active plate of the disk laser and has antireflection coatings, and the second active plate is excited through its second surface.
19. Полупроводниковый дисковый лазер по п.1, отличающийся тем, что лазер накачки содержит лазерную электронно-лучевую трубку, выполненную в виде вакуумируемой колбы с выходным оптическим окном и имеющую электронно-оптическую ось, вдоль которой последовательно расположены источник электронов, система электродов для формирования электронного пучка и вторая активная пластина с высокоотражающим покрытием на первой своей поверхности, закрепленная на первой хладопроводящей подложке, а также системы фокусировки и отклонения электронного пучка, размещенные вне трубки; причем активная пластина дискового лазера закреплена в центральной части первой хладопроводящей подложки своей первой поверхностью с зеркальным покрытием, которое выполнено высокоотражающим для длины волны излучения лазера накачки и длины волны излучения дискового лазера; с одной стороны от этой пластины закреплена вторая активная пластина своей первой поверхностью с высокоотражающим зеркальным покрытием на длине волны излучения лазера накачки, а с другой стороны напылено высокоотражающее покрытие, аналогичное покрытию, нанесенному на первую поверхность второй активной пластины; на вторую поверхность второй активной пластины нанесено просветляющее покрытие, через которое электронный пучок возбуждает вторую активную пластину; на вторую поверхность активной пластины дискового лазера нанесено покрытие, высокопропускающее на длине волны излучения дискового лазера и пропускающее, по меньшей мере, частично на длине волны излучения лазера накачки, через которое осуществляется оптическая накачка дискового лазера; внешнее зеркало обратной связи дискового лазера выполнено в виде выходного окна вакуумируемой колбы, у которого поверхность, обращенная ко второй поверхности активной пластины дискового лазера, выполнена вогнутой и, на нее напылено зеркальное покрытие, высокоотражающее для длины волны излучения лазера накачки и частично пропускающее на длине волны излучения дискового лазера, по меньшей мере, в центральной части выходного окна; первые поверхности активной пластины дискового лазера и второй активной пластины, а также внешняя поверхность высокоотражающего зеркального покрытия, нанесенного на часть поверхности первой хладопроводящей подложки находятся вблизи фокальной плоскости внешнего зеркала; оптический резонатор дискового лазера и устойчивый оптический резонатор лазера накачки имеют единую оптическую ось, которая проходит через центральную часть первой хладопроводящей подложки, совпадая с ее нормалью; поверхность второй активной пластины имеет осесимметричную область с высокоотражающим зеркальным покрытием на поверхности первой хладопроводящей подложки вне этой пластины; форма вогнутой поверхности близка к параболоиду вращения вокруг оптической оси.19. The semiconductor disk laser according to claim 1, characterized in that the pump laser comprises a laser cathode ray tube made in the form of an evacuated bulb with an output optical window and having an electron optical axis along which an electron source is arranged in series, an electrode system for forming the electron beam and the second active plate with a highly reflective coating on its first surface, mounted on the first cold-conductive substrate, as well as focusing systems and deviations of the electron beam ka placed outside the tube; moreover, the active plate of the disk laser is fixed in the Central part of the first cold-conducting substrate with its first surface with a mirror coating, which is made highly reflective for the wavelength of the radiation of the pump laser and the radiation wavelength of the disk laser; on the one side of this plate, the second active plate is fixed with its first surface with a highly reflective mirror coating at the wavelength of the pump laser radiation, and on the other hand a highly reflective coating is sprayed, similar to the coating deposited on the first surface of the second active plate; an antireflection coating is applied to the second surface of the second active plate, through which the electron beam excites the second active plate; on the second surface of the active disk of the disk laser, a coating is applied that is highly transparent at the wavelength of the radiation of the disk laser and passes at least partially at the wavelength of the radiation of the pump laser, through which optical pumping of the disk laser is performed; the external feedback mirror of the disk laser is made in the form of an exit window of a vacuum flask, in which the surface facing the second surface of the active plate of the disk laser is concave and coated with a mirror coating, highly reflective for the pump laser radiation wavelength and partially transmitting at the wavelength radiation from a disk laser, at least in the central part of the output window; the first surfaces of the active plate of the disk laser and the second active plate, as well as the outer surface of the highly reflective mirror coating deposited on a part of the surface of the first cold conducting substrate, are located near the focal plane of the external mirror; the optical resonator of the disk laser and the stable optical resonator of the pump laser have a single optical axis that passes through the central part of the first cold-conducting substrate, coinciding with its normal; the surface of the second active plate has an axisymmetric region with a highly reflective mirror coating on the surface of the first cold conducting substrate outside the plate; the shape of the concave surface is close to the paraboloid of rotation around the optical axis.
20. Полупроводниковый дисковый лазер по п.1, отличающийся тем, что активная пластина выполнена из многослойной гетероструктуры с квантовыми ямами.20. The semiconductor disk laser according to claim 1, characterized in that the active plate is made of a multilayer heterostructure with quantum wells.
21. Полупроводниковый дисковый лазер по любому из пп.6, 7, 10, 11, 12, 13 и 19, отличающийся тем, что активная пластина дискового лазера и вторая активная пластина выполнены из многослойных гетероструктур с квантовыми ямами или квантовыми точками.21. A semiconductor disk laser according to any one of claims 6, 7, 10, 11, 12, 13 and 19, characterized in that the active plate of the disk laser and the second active plate are made of multilayer heterostructures with quantum wells or quantum dots.
22. Полупроводниковый дисковый лазер по любому из пп.1, 6, 7, 10, 11, 12, 13 и 19, отличающийся тем, что активная пластина дискового лазера и вторая активная пластина выполнены из многослойных гетероструктур с квантовыми ямами или квантовыми точками, причем слои гетероструктуры выполнены из соединений А2В6 или А3В5.22. The semiconductor disk laser according to any one of claims 1, 6, 7, 10, 11, 12, 13 and 19, characterized in that the active plate of the disk laser and the second active plate are made of multilayer heterostructures with quantum wells or quantum dots, moreover heterostructure layers are made of compounds A2B6 or A3B5.
23. Полупроводниковый дисковый лазер по любому из пп.6, 7, 10, 11, 12, и 13, отличающийся тем, что линзы выполнены с малой сферической аберрацией.23. A semiconductor disk laser according to any one of claims 6, 7, 10, 11, 12, and 13, characterized in that the lenses are made with small spherical aberration.
Данная работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, грант №10-02-00741.
This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, grant No. 10-02-00741.