RU2010109409A - DIGITAL OPTICAL SWITCH WITH FAST TIME CHARACTERISTIC AND LOW SWITCH VOLTAGE - Google Patents

DIGITAL OPTICAL SWITCH WITH FAST TIME CHARACTERISTIC AND LOW SWITCH VOLTAGE Download PDF

Info

Publication number
RU2010109409A
RU2010109409A RU2010109409/28A RU2010109409A RU2010109409A RU 2010109409 A RU2010109409 A RU 2010109409A RU 2010109409/28 A RU2010109409/28 A RU 2010109409/28A RU 2010109409 A RU2010109409 A RU 2010109409A RU 2010109409 A RU2010109409 A RU 2010109409A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
optical
output
branch
optical waveguide
electrode
Prior art date
Application number
RU2010109409/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2451959C2 (en
Inventor
Луиджи ПЬЕРНО (IT)
Луиджи ПЬЕРНО
Массимильяно ДИСПЕНЦА (IT)
Массимильяно ДИСПЕНЦА
Original Assignee
Селекс Системи Интеграти С.П.А. (It)
Селекс Системи Интеграти С.П.А.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Селекс Системи Интеграти С.П.А. (It), Селекс Системи Интеграти С.П.А. filed Critical Селекс Системи Интеграти С.П.А. (It)
Priority to RU2010109409/28A priority Critical patent/RU2451959C2/en
Publication of RU2010109409A publication Critical patent/RU2010109409A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2451959C2 publication Critical patent/RU2451959C2/en

Links

Landscapes

  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

1. Электрооптический переключатель (1), содержащий: ! - электрооптическую подложку (3) Х-среза; ! - Y-образный оптический волновод (2), сформированный в подложке (3) и включающий в себя входную ветвь (4), предназначенную для соединения с входным оптическим волноводом, и выходные ветви (5), предназначенные для соединения с соответствующими выходными оптическими волноводами; и ! - электропроводную электродную структуру (6, 7), сформированную на подложке (3) и расположенную так, чтобы быть функционально связанной с оптическим волноводом (2), чтобы вызывать избирательную подачу оптического сигнала, принимаемого на входном оптическом волноводе, к по меньшей мере одному из выходных оптических волноводов; в котором электродная структура (6, 7) включает в себя внутренний электрод (7), расположенный между выходными ветвями (5), по существу, на участке ответвления оптического волновода (2), и внешние электроды (6), расположенные с внешней стороны выходных ветвей (5), по противоположным сторонам внутреннего электрода (7); в котором электродная структура (6, 7) способна действовать, чтобы вызывать переключение электрооптического переключателя (1) между первым состоянием переключения, в котором передача оптической энергии повышается между входной ветвью (4) и первой из выходных ветвей (5) и, по существу, блокируется во второй из выходных ветвей (5), и вторым состоянием переключения, в котором передача оптической энергии повышается между входной ветвью (4) и второй выходной ветвью (5) и, по существу, блокируется в первой выходной ветви (5); ! отличающийся тем, что оптически прозрачная электропроводная пленка (9) расположена между каждым электродом (6, 7) и п 1. Electro-optical switch (1), containing:! - electro-optical substrate (3) X-section; ! - a Y-shaped optical waveguide (2) formed in the substrate (3) and including an input branch (4) for connecting to the input optical waveguide and output branches (5) for connecting to the corresponding output optical waveguides; and! - an electrically conductive electrode structure (6, 7) formed on the substrate (3) and positioned so as to be operably coupled to the optical waveguide (2) so as to selectively supply an optical signal received on the input optical waveguide to at least one of output optical waveguides; in which the electrode structure (6, 7) includes an internal electrode (7) located between the output branches (5), essentially, on the branch section of the optical waveguide (2), and external electrodes (6) located on the outside of the output branches (5), on opposite sides of the inner electrode (7); in which the electrode structure (6, 7) is able to act to cause the switching of the electro-optical switch (1) between the first switching state, in which the transmission of optical energy is increased between the input branch (4) and the first of the output branches (5) and, essentially, blocked in the second of the output branches (5), and the second switching state, in which the transmission of optical energy is increased between the input branch (4) and the second output branch (5) and essentially blocked in the first output branch (5); ! characterized in that the optically transparent conductive film (9) is located between each electrode (6, 7) and p

Claims (10)

1. Электрооптический переключатель (1), содержащий:1. Electro-optical switch (1), containing: - электрооптическую подложку (3) Х-среза;- electro-optical substrate (3) X-section; - Y-образный оптический волновод (2), сформированный в подложке (3) и включающий в себя входную ветвь (4), предназначенную для соединения с входным оптическим волноводом, и выходные ветви (5), предназначенные для соединения с соответствующими выходными оптическими волноводами; и- a Y-shaped optical waveguide (2) formed in the substrate (3) and including an input branch (4) for connecting to the input optical waveguide and output branches (5) for connecting to the corresponding output optical waveguides; and - электропроводную электродную структуру (6, 7), сформированную на подложке (3) и расположенную так, чтобы быть функционально связанной с оптическим волноводом (2), чтобы вызывать избирательную подачу оптического сигнала, принимаемого на входном оптическом волноводе, к по меньшей мере одному из выходных оптических волноводов; в котором электродная структура (6, 7) включает в себя внутренний электрод (7), расположенный между выходными ветвями (5), по существу, на участке ответвления оптического волновода (2), и внешние электроды (6), расположенные с внешней стороны выходных ветвей (5), по противоположным сторонам внутреннего электрода (7); в котором электродная структура (6, 7) способна действовать, чтобы вызывать переключение электрооптического переключателя (1) между первым состоянием переключения, в котором передача оптической энергии повышается между входной ветвью (4) и первой из выходных ветвей (5) и, по существу, блокируется во второй из выходных ветвей (5), и вторым состоянием переключения, в котором передача оптической энергии повышается между входной ветвью (4) и второй выходной ветвью (5) и, по существу, блокируется в первой выходной ветви (5);- an electrically conductive electrode structure (6, 7) formed on the substrate (3) and positioned so as to be operably coupled to the optical waveguide (2) so as to selectively supply an optical signal received on the input optical waveguide to at least one of output optical waveguides; in which the electrode structure (6, 7) includes an internal electrode (7) located between the output branches (5), essentially, on the branch section of the optical waveguide (2), and external electrodes (6) located on the outside of the output branches (5), on opposite sides of the inner electrode (7); in which the electrode structure (6, 7) is able to act to cause the switching of the electro-optical switch (1) between the first switching state, in which the transmission of optical energy is increased between the input branch (4) and the first of the output branches (5) and, essentially, blocked in the second of the output branches (5), and the second switching state, in which the transmission of optical energy is increased between the input branch (4) and the second output branch (5) and essentially blocked in the first output branch (5); отличающийся тем, что оптически прозрачная электропроводная пленка (9) расположена между каждым электродом (6, 7) и подложкой (3) и имеет такие размеры, что межпленочный промежуток (G1) между каждой парой соседних оптически прозрачных электропроводных пленок (9) меньше, чем межэлектродный промежуток (G0) между каждой парой соседних электродов (6, 7).characterized in that the optically transparent conductive film (9) is located between each electrode (6, 7) and the substrate (3) and has such dimensions that the inter-film gap (G 1 ) between each pair of adjacent optically transparent conductive films (9) is smaller, than the interelectrode gap (G 0 ) between each pair of adjacent electrodes (6, 7). 2. Устройство по п.1, в котором каждой оптически прозрачной электропроводной пленке (9) приданы такие размеры, чтобы в поперечном направлении частично покрыть соседнюю выходную ветвь (5) оптического волновода (2).2. The device according to claim 1, in which each optically transparent conductive film (9) is dimensioned to partially cover the adjacent output branch (5) of the optical waveguide (2) in the transverse direction. 3. Устройство по п.1, в котором каждая оптически прозрачная электропроводная пленка (9) в поперечном направлении находится на расстоянии от соседней выходной ветви (5) оптического волновода (2) для образования промежутка между ними.3. The device according to claim 1, in which each optically transparent conductive film (9) in the transverse direction is at a distance from the adjacent output branch (5) of the optical waveguide (2) to form a gap between them. 4. Устройство по любому из пп.1-3, в котором каждая оптически прозрачная электропроводная пленка (9) выступает в поперечном направлении от электрода (6, 7), находящегося выше, к соседней выходной ветви (5) оптического волновода (2).4. The device according to any one of claims 1 to 3, in which each optically transparent conductive film (9) protrudes in the transverse direction from the electrode (6, 7) located above to the adjacent output branch (5) of the optical waveguide (2). 5. Устройство по п.1, дополнительно содержащее:5. The device according to claim 1, additionally containing: - диэлектрический буферный слой (8), расположенный между каждой оптически прозрачной электропроводной пленкой (9) и соответствующим электродом (6, 7), находящимся выше; и- a dielectric buffer layer (8) located between each optically transparent conductive film (9) and the corresponding electrode (6, 7) located above; and - электрическое соединение между каждой оптически прозрачной электропроводной пленкой (9) и соответствующим электродом (6, 7), находящимся выше.- an electrical connection between each optically transparent conductive film (9) and the corresponding electrode (6, 7) located above. 6. Устройство по п.5, в котором оптически прозрачные электропроводные пленки (9) электрически соединены с соответствующими электродами (6, 7) через отверстия, образованные в диэлектрических буферных слоях (8).6. The device according to claim 5, in which the optically transparent conductive films (9) are electrically connected to the corresponding electrodes (6, 7) through openings formed in the dielectric buffer layers (8). 7. Устройство по п.5, в котором каждый буферный слой (8) выступает в поперечном направлении относительно соответствующего электрода (6, 7) к соответствующей соседней выходной ветви (5) оптического волновода (2) для образования промежутка между ними.7. The device according to claim 5, in which each buffer layer (8) protrudes in the transverse direction relative to the corresponding electrode (6, 7) to the corresponding adjacent output branch (5) of the optical waveguide (2) to form a gap between them. 8. Устройство по п.1, в котором электрооптическая подложка (3) имеет толщину 200-1000 мкм, электропроводные электроды (6, 7) имеют толщину 1-40 мкм, а оптически прозрачные электропроводные пленки (9) имеют толщину 50-300 нм.8. The device according to claim 1, in which the electro-optical substrate (3) has a thickness of 200-1000 μm, the conductive electrodes (6, 7) have a thickness of 1-40 μm, and the optically transparent conductive films (9) have a thickness of 50-300 nm . 9. Устройство по любому из пп.5-8, в котором диэлектрические буферные слои (8) имеют толщину 0,2-2 мкм.9. The device according to any one of claims 5 to 8, in which the dielectric buffer layers (8) have a thickness of 0.2-2 microns. 10. Устройство по п.1, в котором межпленочный промежуток (G1) находится в пределах от 4 до 20 мкм, а межэлектродный промежуток (G0) находится в пределах от 10 до 40 мкм. 10. The device according to claim 1, in which the inter-film gap (G 1 ) is in the range from 4 to 20 μm, and the interelectrode gap (G 0 ) is in the range from 10 to 40 μm.
RU2010109409/28A 2007-08-14 2007-08-14 Low switching voltage, fast time response digital optical switch RU2451959C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010109409/28A RU2451959C2 (en) 2007-08-14 2007-08-14 Low switching voltage, fast time response digital optical switch

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010109409/28A RU2451959C2 (en) 2007-08-14 2007-08-14 Low switching voltage, fast time response digital optical switch

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010109409A true RU2010109409A (en) 2011-09-20
RU2451959C2 RU2451959C2 (en) 2012-05-27

Family

ID=44758453

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010109409/28A RU2451959C2 (en) 2007-08-14 2007-08-14 Low switching voltage, fast time response digital optical switch

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2451959C2 (en)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4070092A (en) * 1976-09-22 1978-01-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Active waveguide branch with variable synchronism
RU2129721C1 (en) * 1997-11-20 1999-04-27 Майер Александр Александрович Method for switching and modulation of unidirectional parent-distribution waves and device which implements said method
EP0898197A1 (en) * 1997-08-19 1999-02-24 PIRELLI CAVI E SISTEMI S.p.A. Enhanced isolation digital optical switch

Also Published As

Publication number Publication date
RU2451959C2 (en) 2012-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105044931B (en) Silicon-based integrated difference electrooptic modulator and preparation method thereof
JP6314972B2 (en) Silicon-based electro-optic modulator
JP6193401B2 (en) Display device
CN113646693A (en) Optical modulator
CN1458545A (en) Wave guide path type liquid crystal light switch
JP6458603B2 (en) Optical device
WO2016084732A1 (en) Semiconductor device
CN108701701A (en) Photoelectric conversion device
US20210208429A1 (en) Waveguide component
JP2014197054A (en) Optical modulator
US8326096B2 (en) Low switching voltage, fast time response digital optical switch
WO2013147129A1 (en) Optical waveguide element
TW201441721A (en) Optic-electro modulator
RU2010109409A (en) DIGITAL OPTICAL SWITCH WITH FAST TIME CHARACTERISTIC AND LOW SWITCH VOLTAGE
US9274355B2 (en) Electro-optical modulator and method for making thereof
JP2013246320A (en) Semiconductor optical element and optical module
Samara-Rubio et al. A gigahertz silicon-on-insulator Mach-Zehnder modulator
CN110534521B (en) Non-volatile optical waveguide interference unit based on flash memory technology
CN108107608A (en) A kind of electrooptic modulator of the polarization insensitive based on transparent conductive oxide
CN108287417B (en) Wide-spectrum optical power beam splitter and power distribution method
JPS6070424A (en) Optical logical device
WO2023188199A1 (en) Optical waveguide element, and optical transmission apparatus and optical modulation device using optical waveguide element
TW201901979A (en) Semiconductor device
JPS5897994A (en) Switch for exchange
JP2010286756A (en) Liquid crystal display device

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190815