RU2008137490A - SOLAR ELEMENT AND METHOD AND SYSTEM FOR ITS MANUFACTURE - Google Patents

SOLAR ELEMENT AND METHOD AND SYSTEM FOR ITS MANUFACTURE Download PDF

Info

Publication number
RU2008137490A
RU2008137490A RU2008137490/02A RU2008137490A RU2008137490A RU 2008137490 A RU2008137490 A RU 2008137490A RU 2008137490/02 A RU2008137490/02 A RU 2008137490/02A RU 2008137490 A RU2008137490 A RU 2008137490A RU 2008137490 A RU2008137490 A RU 2008137490A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
surface area
item
specified
element according
Prior art date
Application number
RU2008137490/02A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2467851C2 (en
Inventor
Реийо ЛАППАЛАИНЕН (FI)
Реийо ЛАППАЛАИНЕН
Веса МЮЛЛЮМЯКИ (FI)
Веса МЮЛЛЮМЯКИ
Лассе ПУЛЛИ (FI)
Лассе ПУЛЛИ
Яри РУУТУ (FI)
Яри РУУТУ
Юха МЯКИТАЛО (FI)
Юха МЯКИТАЛО
Original Assignee
Пикодеон Лтд Ой (Fi)
Пикодеон Лтд Ой
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from FI20060182A external-priority patent/FI20060182L/en
Priority claimed from FI20060181A external-priority patent/FI20060181L/en
Priority claimed from FI20060177A external-priority patent/FI20060177L/en
Priority claimed from FI20060178A external-priority patent/FI20060178L/en
Priority claimed from FI20060357A external-priority patent/FI124239B/en
Application filed by Пикодеон Лтд Ой (Fi), Пикодеон Лтд Ой filed Critical Пикодеон Лтд Ой (Fi)
Priority claimed from PCT/FI2007/050107 external-priority patent/WO2007096486A1/en
Publication of RU2008137490A publication Critical patent/RU2008137490A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2467851C2 publication Critical patent/RU2467851C2/en

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

1. Способ формирования посредством лазерной абляции, по меньшей мере, одного слоя, образующего зону поверхности, для использования в составе солнечного элемента, отличающийся тем, что зона поверхности, которая должна быть образована, составляет, по меньшей мере, 0,2 дм2, а слой формируют посредством ультракоротких лазерных импульсов, осуществляя сканирование лазерного пучка с помощью вращающегося оптического сканера, содержащего, по меньшей мере, одно зеркало для отражения лазерного пучка. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанная зона поверхности является однородной. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что однородная зона поверхности составляет, по меньшей мере, 0,5 дм2. ! 4. Способ по п.3, отличающийся тем, что однородная зона поверхности составляет, по меньшей мере, 1,0 дм2. ! 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что частоту следования лазерных импульсов выбирают составляющей, по меньшей мере, 1 МГц. ! 6. Способ по п.1, отличающийся тем, что поверхность полупроводящего или проводящего слоя не содержит дефектов, приводящих к закорачиванию контура. ! 7. Способ по п.1, отличающийся тем, что лазерную абляцию осуществляют в вакууме при давлении 98·102-98·10-9 Па, предпочтительно при давлении 98·102-98·10-1 Па. ! 8. Способ по п.1, отличающийся тем, что расстояние между мишенью и указанной однородной зоной поверхности выбирают меньшим 25 см, предпочтительно меньшим 15 см и наиболее предпочтительно меньшим 10 см. ! 9. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучаемую поверхность мишени подвергают многократной абляции для получения бездефектного покрытия. ! 10. Способ по п.1, отличающийся тем, что средняя шероховатость слоя, сформированного на указанной од1. A method of forming by laser ablation of at least one layer forming a surface area for use in a solar cell, characterized in that the surface area to be formed is at least 0.2 dm2, and the layer is formed by means of ultrashort laser pulses, carrying out scanning of the laser beam with a rotating optical scanner containing at least one mirror for reflecting the laser beam. ! 2. A method according to claim 1, wherein said surface area is uniform. ! 3. A method according to claim 1, characterized in that the uniform surface area is at least 0.5 dm2. ! 4. A method according to claim 3, characterized in that the uniform surface area is at least 1.0 dm2. ! 5. The method according to claim 1, characterized in that the repetition rate of the laser pulses is chosen to be at least 1 MHz. ! 6. The method according to claim 1, characterized in that the surface of the semiconducting or conductive layer does not contain defects leading to short circuits. ! 7. The method according to claim 1, characterized in that the laser ablation is carried out in a vacuum at a pressure of 98 · 102-98 · 10-9 Pa, preferably at a pressure of 98 · 102-98 · 10-1 Pa. ! 8. A method according to claim 1, characterized in that the distance between the target and said uniform surface area is chosen to be less than 25 cm, preferably less than 15 cm and most preferably less than 10 cm! 9. The method according to claim 1, characterized in that the irradiated target surface is subjected to repeated ablation to obtain a defect-free coating. ! 10. The method according to claim 1, characterized in that the average roughness of the layer formed on the specified od

Claims (41)

1. Способ формирования посредством лазерной абляции, по меньшей мере, одного слоя, образующего зону поверхности, для использования в составе солнечного элемента, отличающийся тем, что зона поверхности, которая должна быть образована, составляет, по меньшей мере, 0,2 дм2, а слой формируют посредством ультракоротких лазерных импульсов, осуществляя сканирование лазерного пучка с помощью вращающегося оптического сканера, содержащего, по меньшей мере, одно зеркало для отражения лазерного пучка.1. The method of forming by laser ablation of at least one layer forming a surface zone for use in the composition of the solar cell, characterized in that the surface area to be formed is at least 0.2 dm 2 , and the layer is formed by ultrashort laser pulses by scanning the laser beam using a rotating optical scanner containing at least one mirror to reflect the laser beam. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанная зона поверхности является однородной.2. The method according to claim 1, characterized in that said surface area is homogeneous. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что однородная зона поверхности составляет, по меньшей мере, 0,5 дм2.3. The method according to claim 1, characterized in that the uniform surface area is at least 0.5 dm 2 . 4. Способ по п.3, отличающийся тем, что однородная зона поверхности составляет, по меньшей мере, 1,0 дм2.4. The method according to claim 3, characterized in that the uniform surface area is at least 1.0 dm 2 . 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что частоту следования лазерных импульсов выбирают составляющей, по меньшей мере, 1 МГц.5. The method according to claim 1, characterized in that the pulse repetition rate of the laser pulses select a component of at least 1 MHz. 6. Способ по п.1, отличающийся тем, что поверхность полупроводящего или проводящего слоя не содержит дефектов, приводящих к закорачиванию контура.6. The method according to claim 1, characterized in that the surface of the semiconducting or conductive layer does not contain defects that lead to a short circuit. 7. Способ по п.1, отличающийся тем, что лазерную абляцию осуществляют в вакууме при давлении 98·102-98·10-9 Па, предпочтительно при давлении 98·102-98·10-1 Па.7. The method according to claim 1, characterized in that the laser ablation is carried out in vacuum at a pressure of 98 · 10 2 -98 · 10 -9 Pa, preferably at a pressure of 98 · 10 2 -98 · 10 -1 PA. 8. Способ по п.1, отличающийся тем, что расстояние между мишенью и указанной однородной зоной поверхности выбирают меньшим 25 см, предпочтительно меньшим 15 см и наиболее предпочтительно меньшим 10 см.8. The method according to claim 1, characterized in that the distance between the target and the specified uniform surface area is chosen less than 25 cm, preferably less than 15 cm and most preferably less than 10 cm 9. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучаемую поверхность мишени подвергают многократной абляции для получения бездефектного покрытия.9. The method according to claim 1, characterized in that the irradiated surface of the target is subjected to repeated ablation to obtain a defect-free coating. 10. Способ по п.1, отличающийся тем, что средняя шероховатость слоя, сформированного на указанной однородной зоне поверхности, составляет, по результатам сканирования участка 1 мкм2 с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ) менее 100 нм.10. The method according to claim 1, characterized in that the average roughness of the layer formed on the specified uniform surface area is, according to the results of scanning a portion of 1 μm 2 using an atomic force microscope (AFM) less than 100 nm. 11. Способ по п.1, отличающийся тем, что оптическое пропускание слоя, сформированного на указанной однородной зоне поверхности, составляет не менее 88%, предпочтительно не менее 90% и наиболее предпочтительно не менее 92%.11. The method according to claim 1, characterized in that the optical transmittance of the layer formed on the specified homogeneous zone of the surface is at least 88%, preferably at least 90% and most preferably at least 92%. 12. Способ по п.1, отличающийся тем, что однородную зону поверхности указанного слоя наносят таким образом, что первые 50% указанного покрытия не содержат никаких частиц с диаметром, превышающим 1000 нм, предпочтительно 100 нм и наиболее предпочтительно 30 нм.12. The method according to claim 1, characterized in that the uniform surface area of the specified layer is applied in such a way that the first 50% of the specified coating does not contain any particles with a diameter exceeding 1000 nm, preferably 100 nm and most preferably 30 nm. 13. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой проводящего прозрачного материала сформирован из смешанного оксида индия-олова, оксида цинка, легированного алюминием, оксида олова или оксида олова, легированного фтором.13. The method according to claim 1, characterized in that the layer of conductive transparent material is formed from a mixed indium tin oxide, zinc oxide doped with aluminum, tin oxide or tin oxide doped with fluorine. 14. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой проводящего прозрачного материала сформирован из алюминия или меди.14. The method according to claim 1, characterized in that the layer of conductive transparent material is formed of aluminum or copper. 15. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой полупроводящего материала сформирован из кремния, германия, смешанного оксида индия-олова, оксида цинка, легированного алюминием, оксида олова или оксида олова, легированного фтором.15. The method according to claim 1, characterized in that the semiconductor material layer is formed of silicon, germanium, mixed indium tin oxide, zinc oxide doped with aluminum, tin oxide or tin oxide doped with fluorine. 16. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой антиотражающего покрытия сформирован из карбида кремния или оксида титана.16. The method according to claim 1, characterized in that the antireflection coating layer is formed of silicon carbide or titanium oxide. 17. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанный слой содержит, по меньшей мере, 80% металлооксида или композита, в который входит металлооксид.17. The method according to claim 1, characterized in that said layer contains at least 80% of a metal oxide or composite, which includes a metal oxide. 18. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанный слой сформирован из углеродного материала, содержащего более 90 ат.% процентов углерода при доле связей sp3 более 70%.18. The method according to claim 1, characterized in that said layer is formed of a carbon material containing more than 90 at.% Percent carbon with a sp 3 bond fraction of more than 70%. 19. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанный слой содержит углерод, азот и/или бор в различных соотношениях.19. The method according to claim 1, characterized in that said layer contains carbon, nitrogen and / or boron in various ratios. 20. Способ по п.1, отличающийся тем, что на наружную поверхность солнечного элемента наносят многослойное покрытие.20. The method according to claim 1, characterized in that a multilayer coating is applied to the outer surface of the solar cell. 21. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что толщина слоя составляет от 20 нм до 20 мкм, предпочтительно от 100 нм до 5 мкм.21. The method according to any one of the preceding paragraphs, characterized in that the layer thickness is from 20 nm to 20 μm, preferably from 100 nm to 5 μm. 22. Солнечный элемент, содержащий, по меньшей мере, один сформированный посредством лазерной абляции слой, образующий зону поверхности, отличающийся тем, что зона поверхности, которая должна быть образована, составляет по меньшей мере 0,2 дм2, а слой сформирован посредством ультракоротких лазерных импульсов с осуществлением сканирования лазерного пучка с помощью вращающегося оптического сканера, содержащего, по меньшей мере, одно зеркало для отражения лазерного пучка.22. A solar cell containing at least one layer formed by laser ablation, forming a surface area, characterized in that the surface area to be formed is at least 0.2 dm 2 , and the layer is formed by ultrashort laser pulses by scanning the laser beam using a rotating optical scanner containing at least one mirror to reflect the laser beam. 23. Элемент по п.22, отличающийся тем, что указанная зона поверхности является однородной.23. The element according to item 22, wherein the specified surface area is homogeneous. 24. Элемент по п.23, отличающийся тем, что однородная зона поверхности составляет, по меньшей мере, 0,5 дм2.24. The element according to item 23, wherein the uniform surface area is at least 0.5 DM 2 . 25. Элемент по п.23, отличающийся тем, что однородная зона поверхности составляет, по меньшей мере, 1,0 дм2.25. The element according to item 23, wherein the uniform surface area is at least 1.0 DM 2 . 26. Элемент по п.23, отличающийся тем, что средняя шероховатость слоя, сформированного на указанной однородной зоне поверхности, составляет, по результатам сканирования участка 1 мкм2 с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ) менее 100 нм.26. The element according to item 23, wherein the average roughness of the layer formed on the specified homogeneous surface area is, according to the results of scanning a plot of 1 μm 2 using an atomic force microscope (AFM) less than 100 nm. 27. Элемент по п.23, отличающийся тем, что оптическое пропускание слоя, сформированного на указанной однородной зоне поверхности, составляет не менее 88%, предпочтительно не менее 90% и наиболее предпочтительно не менее 92%.27. The element according to item 23, wherein the optical transmittance of the layer formed on the specified homogeneous surface area is at least 88%, preferably at least 90% and most preferably at least 92%. 28. Элемент по п.23, отличающийся тем, что покрытие на однородную зону поверхности нанесено таким образом, что первые 50% указанного покрытия не содержат никаких частиц с диаметром, превышающим 1000 нм, предпочтительно 100 нм и наиболее предпочтительно 30 нм.28. The element according to item 23, wherein the coating on a uniform surface area is applied so that the first 50% of the specified coating does not contain any particles with a diameter greater than 1000 nm, preferably 100 nm and most preferably 30 nm. 29. Элемент по п.23, отличающийся тем, что слой проводящего прозрачного материала сформирован из смешанного оксида индия-олова, оксида цинка, легированного алюминием, оксида олова или оксида олова, легированного фтором.29. The element according to item 23, wherein the layer of conductive transparent material is formed from a mixed indium tin oxide, zinc oxide doped with aluminum, tin oxide or tin oxide doped with fluorine. 30. Элемент по п.23, отличающийся тем, что слой проводящего прозрачного материала сформирован из алюминия, меди или серебра.30. The element according to item 23, wherein the layer of conductive transparent material is formed of aluminum, copper or silver. 31. Элемент по п.23, отличающийся тем, что слой полупроводящего материала сформирован из кремния, германия, смешанного оксида индия-олова, оксида цинка, легированного алюминием, оксида олова или оксида олова, легированного фтором.31. The element according to item 23, wherein the layer of semiconducting material is formed of silicon, germanium, mixed indium tin oxide, zinc oxide doped with aluminum, tin oxide or tin oxide doped with fluorine. 32. Элемент по п.23, отличающийся тем, что слой антиотражающего покрытия сформирован из карбида кремния или оксида титана.32. The element according to item 23, wherein the antireflection coating layer is formed of silicon carbide or titanium oxide. 33. Элемент по п.23, отличающийся тем, что указанный слой содержит металл, металлооксид, нитрид металла, карбид металла или смеси указанных веществ.33. The element according to item 23, wherein the specified layer contains a metal, metal oxide, metal nitride, metal carbide or a mixture of these substances. 34. Элемент по п.23, отличающийся тем, что указанный слой сформирован из углеродного материала, содержащего более 90 ат.% углерода при доле связей sp3 более 70%.34. The element according to item 23, wherein said layer is formed of a carbon material containing more than 90 at.% Carbon with a sp 3 bond fraction of more than 70%. 35. Элемент по п.23, отличающийся тем, что указанный слой содержит углерод, азот и/или бор в различных соотношениях.35. The element according to item 23, wherein the specified layer contains carbon, nitrogen and / or boron in various ratios. 36. Элемент по п.23, отличающийся тем, что на однородную зону поверхности солнечного элемента нанесено многослойное покрытие.36. The cell according to claim 23, wherein a multilayer coating is applied to a uniform surface area of the solar cell. 37. Элемент по любому из пп.23-36, отличающийся тем, что толщина слоя в составе солнечного элемента составляет от 20 нм до 20 мкм, предпочтительно от 100 нм до 5 мкм.37. The element according to any one of paragraphs.23-36, characterized in that the thickness of the layer in the composition of the solar cell is from 20 nm to 20 μm, preferably from 100 nm to 5 μm. 38. Система для изготовления, по меньшей мере, одной части солнечного элемента, снабженная аппаратом, содержащим средства формирования, посредством лазерной абляции, по меньшей мере, одного слоя, образующего зону поверхности, отличающаяся тем, что зона поверхности, которая должна быть образована, составляет по меньшей мере 0,2 дм2, а система содержит средства формирования указанного слоя посредством ультракоротких лазерных импульсов и вращающийся оптический сканер для сканирования импульсного лазерного пучка, содержащий, по меньшей мере, одно зеркало для отражения указанного лазерного пучка.38. A system for manufacturing at least one part of a solar cell, equipped with an apparatus containing forming means by laser ablation of at least one layer forming a surface zone, characterized in that the surface area to be formed is at least 0.2 dm 2 , and the system comprises means for forming said layer by means of ultrashort laser pulses and a rotating optical scanner for scanning a pulsed laser beam, comprising at least one mirror to reflect the specified laser beam. 39. Система по п.38, отличающаяся тем, что указанная зона поверхности является однородной.39. The system of claim 38, wherein said surface area is uniform. 40. Система п.38, отличающаяся тем, что система содержит средства формирования в той же камере, по меньшей мере, двух слоев на одном солнечном элементе.40. The system of clause 38, wherein the system comprises means for forming in the same chamber at least two layers on one solar cell. 41. Система по любому из пп.38-40, отличающаяся тем, что система содержит средства для формообразующей обработки слоев или подложки одного и того же солнечного элемента внутри той же камеры. 41. The system according to any one of paragraphs 38-40, characterized in that the system comprises means for forming the processing of layers or substrates of the same solar cell inside the same chamber.
RU2008137490/02A 2006-02-23 2007-02-23 Solar cell and method and system for making said solar cell RU2467851C2 (en)

Applications Claiming Priority (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20060182 2006-02-23
FI20060177 2006-02-23
FI20060182A FI20060182L (en) 2005-07-13 2006-02-23 Surface treatment technology in connection with the ablation technique and surface treatment facility
FI20060181A FI20060181L (en) 2006-02-23 2006-02-23 Procedure for producing surfaces and materials using laser ablation
FI20060177A FI20060177L (en) 2006-02-23 2006-02-23 The method produces good quality surfaces and a product with a good quality surface
FI20060178 2006-02-23
FI20060178A FI20060178L (en) 2006-02-23 2006-02-23 Surface coating procedure
FI20060181 2006-02-23
FI20060357A FI124239B (en) 2006-02-23 2006-04-12 An element having an electrically conductive membrane structure for generating a heating and / or cooling effect by means of an electric current
FI20060357 2006-04-12
PCT/FI2007/050107 WO2007096486A1 (en) 2006-02-23 2007-02-23 Solar cell and an arrangement and a method for producing a solar cell

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008137490A true RU2008137490A (en) 2010-03-27
RU2467851C2 RU2467851C2 (en) 2012-11-27

Family

ID=42137979

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008137489/02A RU2467850C2 (en) 2006-02-23 2007-02-23 Carbon nitride coat and article with such coat
RU2008137492/02A RU2467092C2 (en) 2006-02-23 2007-02-23 Method of applying coating and coated metal article
RU2008137490/02A RU2467851C2 (en) 2006-02-23 2007-02-23 Solar cell and method and system for making said solar cell

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008137489/02A RU2467850C2 (en) 2006-02-23 2007-02-23 Carbon nitride coat and article with such coat
RU2008137492/02A RU2467092C2 (en) 2006-02-23 2007-02-23 Method of applying coating and coated metal article

Country Status (1)

Country Link
RU (3) RU2467850C2 (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2580180C2 (en) 2014-03-06 2016-04-10 Юрий Александрович Чивель Laser cladding method and apparatus therefor
CN106536774B (en) * 2014-04-30 2019-01-15 欧瑞康美科（美国）公司 Titanium carbide coating and manufacturing method
RU2657899C1 (en) * 2017-02-07 2018-06-18 Закрытое акционерное общество "Руднев-Шиляев" Method for processing polyimide film in the flame of nonequilibrium heterogeneous low-temperature microwave plasma under atmospheric pressure
RU2655507C1 (en) * 2017-05-22 2018-05-28 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН) METHOD FOR OBTAINING FILMS WITH Mn5Ge3OX FERROMAGNETIC CLUSTERS ON THE SUBSTRATE IN THE GeO2 MATRIX
RU2674694C1 (en) * 2017-12-18 2018-12-12 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева) Protective coating for medical instruments and method of its application
RU2716921C1 (en) * 2019-02-08 2020-03-17 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр Южный научный центр Российской академии наук Method of forming high-strength coatings on metal surfaces

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9514558D0 (en) * 1995-07-17 1995-09-13 Gersan Ets Marking diamond
JPH1032166A (en) * 1996-07-16 1998-02-03 Toyota Motor Corp Formation of crystal thin film using laser ablation method
US5736709A (en) * 1996-08-12 1998-04-07 Armco Inc. Descaling metal with a laser having a very short pulse width and high average power
FR2775005B1 (en) * 1998-02-17 2000-05-26 Univ Lille Sciences Tech COATING BASED ON ULTRA-HARD AND FLEXIBLE CARBON NITRIDE AND PREPARATION METHOD THEREOF
US6090207A (en) * 1998-04-02 2000-07-18 Neocera, Inc. Translational target assembly for thin film deposition system
EP1183018A1 (en) * 1999-06-07 2002-03-06 Nanosphere, Inc. Methods for coating particles and particles produced thereby
AUPR026100A0 (en) * 2000-09-20 2000-10-12 Tamanyan, Astghik Deposition of thin films by laser ablation
US7397592B2 (en) * 2003-04-21 2008-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Beam irradiation apparatus, beam irradiation method, and method for manufacturing a thin film transistor
DE10343080A1 (en) * 2003-09-17 2005-04-21 Raylase Ag Device for steering and focusing a laser beam in the direction of a target object comprises a focusing unit for focusing the laser beam, a rotating X-mirror, a rotating Y-mirror, and a stationary field mirror for receiving the deviated beam

Also Published As

Publication number Publication date
RU2467850C2 (en) 2012-11-27
RU2467092C2 (en) 2012-11-20
RU2467851C2 (en) 2012-11-27
RU2008137492A (en) 2010-03-27
RU2008137489A (en) 2010-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101398379B1 (en) Semiconductor and an arrangement and a method for producing a semiconductor
Iwasawa et al. Plasma‐resistant dense yttrium oxide film prepared by aerosol deposition process
RU2008137490A (en) SOLAR ELEMENT AND METHOD AND SYSTEM FOR ITS MANUFACTURE
KR20090003255A (en) Coating with carbon nitride and carbon nitride coated product
CN111496384A (en) Device and method for processing nano-pore array on surface of brittle material
EP3508458B1 (en) Method for manufacturing glass product
Dolgaev et al. Fast etching of sapphire by a visible range quasi-cw laser radiation
JPH04268070A (en) Method for forming metal layer on substrate
Belosludtsev et al. Significant increase of UV reflectivity of SiC galvanometer mirror scanners for the high-power laser applications
TW201821255A (en) Processes for making light extraction substrates for an organic light emitting diode and products including the same
CN112959005B (en) Method for manufacturing long-term efficient antireflection micro-nano structure on copper surface and application
Suryavanshi et al. Nanosecond pulse fiber laser patterning of bilayer molybdenum thin film on 2-sq inch soda-lime glass substrate for CIGS thin film solar cell applications
Ito et al. Formation of Fine Periodic Structures on Back Surface of Si Substrate by a Femtosecond Laser at 1552 nm.
Wang et al. Behaviour of laser treated with water droplet on carbon nanotubes coated silicon surface.
CN217608073U (en) Laser transfer printing device for transparent material
Perrie et al. Characterization of ultrafast microstructuring of alumina (Al2O3)
Sassmannshausen et al. Ultrashort pulse selective laser ablation of multi-layer thin film systems
CN1582404A (en) Method for forming thin film on synthetic resin and multilayer film obtained by the method
Sanchez-Amaya et al. Laser texturization to improve absorption and weld penetration of aluminum alloys
Nayak et al. Femtosecond Laser-Induced Micro-Structuring of Thin a-Si: H Films
Jung et al. Surface evolution of crystalline SrTiO3, LaAlO3 and Y3Al5O12 targets during pulsed laser ablation
Aghayan et al. Morphology based statistical analysis of nanosecond pulsed laser texturing of the multicrystalline silicon
Azhdast et al. Laser-induced forward transfer of aluminium particles in different gaseous environment
吕长武 et al. Silver particles deposited on porous silicon as SERSoactive substrate
Tanaka et al. Effects of wavelengths on processing indium tin oxide thin films using diode-pumped Nd: YLF laser

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160224