RU2008109095A - Способ получения металлоуглеродных нанопокрытий - Google Patents
Способ получения металлоуглеродных нанопокрытий Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008109095A RU2008109095A RU2008109095/04A RU2008109095A RU2008109095A RU 2008109095 A RU2008109095 A RU 2008109095A RU 2008109095/04 A RU2008109095/04 A RU 2008109095/04A RU 2008109095 A RU2008109095 A RU 2008109095A RU 2008109095 A RU2008109095 A RU 2008109095A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- carbon
- reaction mixture
- metal
- substrate
- deposited
- Prior art date
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
1. Способ получения металлоуглеродных нанопокрытий, включающий процесс приготовления реакционной смеси из газообразных углеродосодержащих веществ: С3O2, CCl4, C2Cl4 и металлоорганических веществ: Fe(CO)5, Мо(СО)6, Cr(СО)6, и инертного газа-разбавителя, воздействие на реакционную смесь ультрафиолетовым (УФ) излучением, отличающийся тем, что молекулы реакционной смеси распадаются с одновременным образованием углеродосодержащих радикалов и металлического пара, при этом сначала металлический пар осаждается на подложке с образованием металлической пленки, а затем углеродосодержащие радикалы осаждаются на металлической пленке, покрывая ее тонким слоем углеродного материала. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для проведения процесса синтеза не используют нагрев или какое-либо дополнительное воздействие на подложку.
Claims (2)
1. Способ получения металлоуглеродных нанопокрытий, включающий процесс приготовления реакционной смеси из газообразных углеродосодержащих веществ: С3O2, CCl4, C2Cl4 и металлоорганических веществ: Fe(CO)5, Мо(СО)6, Cr(СО)6, и инертного газа-разбавителя, воздействие на реакционную смесь ультрафиолетовым (УФ) излучением, отличающийся тем, что молекулы реакционной смеси распадаются с одновременным образованием углеродосодержащих радикалов и металлического пара, при этом сначала металлический пар осаждается на подложке с образованием металлической пленки, а затем углеродосодержащие радикалы осаждаются на металлической пленке, покрывая ее тонким слоем углеродного материала.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для проведения процесса синтеза не используют нагрев или какое-либо дополнительное воздействие на подложку.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2008109095/04A RU2391358C2 (ru) | 2008-03-13 | 2008-03-13 | Способ получения металлоуглеродных нанопокрытий |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2008109095/04A RU2391358C2 (ru) | 2008-03-13 | 2008-03-13 | Способ получения металлоуглеродных нанопокрытий |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2008109095A true RU2008109095A (ru) | 2009-09-20 |
RU2391358C2 RU2391358C2 (ru) | 2010-06-10 |
Family
ID=41167350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2008109095/04A RU2391358C2 (ru) | 2008-03-13 | 2008-03-13 | Способ получения металлоуглеродных нанопокрытий |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2391358C2 (ru) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2492135C1 (ru) * | 2012-02-28 | 2013-09-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" | Способ обработки поверхностных наноструктур |
US20180040751A1 (en) * | 2015-02-26 | 2018-02-08 | Dynamic Solar Systems Ag | Obtaining a pv film structure by means of a room temperature method and room temperature method for producing a pv film structure |
-
2008
- 2008-03-13 RU RU2008109095/04A patent/RU2391358C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2391358C2 (ru) | 2010-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
GB2516372A (en) | High quality large scale single and multilayer graphene production by chemical vapor deposition | |
Chen et al. | Amino group introduction onto multiwall carbon nanotubes by NH3/Ar plasma treatment | |
JP2019096877A5 (ru) | ||
TW200745372A (en) | Catalyst body chemical vapor phase growing apparatus | |
ATE519870T1 (de) | Verfahren zur abscheidung von metallschichten aus metallcarbonylvorläufern | |
TW200643213A (en) | Catalyst enhanced chemical vapor deposition apparatus and deposition method using the same | |
JP2011517848A5 (ru) | ||
CN104704936A (zh) | 用于制造石墨烯电磁波阻隔板的方法和使用该石墨烯电磁波阻隔板的微波炉 | |
SG159471A1 (en) | Process for isolating metallic ruthenium or ruthenium compounds from ruthenium-containing solids | |
JP2012501840A5 (ru) | ||
Ullah et al. | A comparative study of graphene growth by APCVD, LPCVD and PECVD | |
Kalita et al. | Synthesis of graphene by surface wave plasma chemical vapor deposition from camphor | |
RU2008109095A (ru) | Способ получения металлоуглеродных нанопокрытий | |
JP2008038164A (ja) | プラズマcvd装置 | |
Yasuoka et al. | Fabrication of PTFE thin films by dual catalytic chemical vapor deposition method | |
JP6516570B2 (ja) | グラファイト膜の製造方法 | |
US11097950B2 (en) | Graphene fabrication method | |
KR101916517B1 (ko) | 그래핀 제조방법 | |
Alwin et al. | High surface area, spongy graphitic carbon nitride derived by selective etching by Pt and Ru nanoparticles in hydrogen | |
RU2009115827A (ru) | Лазерно-плазменный способ синтеза высокотвердых микро и наноструктурированных покрытий и устройство | |
Heya et al. | Guidelines for bottom-up approach of nanocarbon film formation from pentacene using heated tungsten on quartz substrate without metal catalyst | |
RU2005121234A (ru) | Способ получения углеродных, металлических и металлоуглеродных наночастиц | |
Politano et al. | Alkali-promoted stabilization of subsurface oxygen on Cu (1 1 1) | |
Ponce-Pérez et al. | Hydrogenated boron nitride monolayer functionalization: A density functional theory study | |
JP5173878B2 (ja) | 原子層成長装置および方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130314 |