RU2008106682A - METHOD FOR PRODUCING CHIP - Google Patents
METHOD FOR PRODUCING CHIP Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008106682A RU2008106682A RU2008106682/09A RU2008106682A RU2008106682A RU 2008106682 A RU2008106682 A RU 2008106682A RU 2008106682/09 A RU2008106682/09 A RU 2008106682/09A RU 2008106682 A RU2008106682 A RU 2008106682A RU 2008106682 A RU2008106682 A RU 2008106682A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- glass
- layer
- metal sublayer
- metal
- powder
- Prior art date
Links
Abstract
1. Способ изготовления микросхем, включающий формирование на металлической подложке слоя керамики путем нанесения порошкообразного керамического материала, его шлифование и последующее формирование рисунка микросхем, отличающийся тем, что вначале на металлическую подложку наносят металлический подслой с помощью плазменного напыления из порошкообразного материала, на который напыляют слой керамики из порошка окиси алюминия с алюмосиликатным стеклом, а после шлифования слоя наносят слой боросиликатного стекла и подвергают поверхность керамического слоя пропитке стеклом и глазурованию. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что пропитку стеклом и глазурование проводят одновременно. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве металлического подслоя используют порошок интерметаллического соединения никеля с алюминием. ! 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что металлический подслой имеет толщину 50-100 мкм. ! 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесение металлического подслоя проводят в аргонно-азотной плазме. ! 6. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве керамики используют смесь порошков окиси алюминия и алюмосиликатного стекла в соотношении: 90-96% Аl2O3 и 10-4% - алюмосиликатное стекло. ! 7. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве пропиточного стекла и слоя глазури используют боросиликатное стекло. ! 8. Способ по п.1, отличающийся тем, что стекло для пропитки и глазурь имеют толщину 35-40 мкм. ! 9. Способ по п.1, отличающийся тем, что формирование металлизационного рисунка микросхем проводят по тонкопленочной технологии с получением минимального размера элемента 10 мкм.1. A method of manufacturing microcircuits, including the formation of a ceramic layer on a metal substrate by applying a powdered ceramic material, its grinding and subsequent formation of a microcircuit pattern, characterized in that a metal sublayer is first deposited on a metal substrate by plasma spraying from a powder material onto which a layer is sprayed ceramics from alumina powder with aluminosilicate glass, and after grinding the layer, a layer of borosilicate glass is applied and subjected to surface the ceramic layer is impregnated with glass and glazed. ! 2. The method according to claim 1, characterized in that the glass is impregnated and glazed simultaneously. ! 3. The method according to claim 1, characterized in that the powder of the intermetallic compound of nickel with aluminum is used as a metal sublayer. ! 4. The method according to claim 1, characterized in that the metal sublayer has a thickness of 50-100 microns. ! 5. The method according to claim 1, characterized in that the deposition of the metal sublayer is carried out in argon-nitrogen plasma. ! 6. The method according to claim 1, characterized in that the ceramics use a mixture of powders of aluminum oxide and aluminosilicate glass in the ratio: 90-96% Al2O3 and 10-4% - aluminosilicate glass. ! 7. The method according to claim 1, characterized in that borosilicate glass is used as an impregnating glass and a layer of glaze. ! 8. The method according to claim 1, characterized in that the glass for impregnation and glaze have a thickness of 35-40 microns. ! 9. The method according to claim 1, characterized in that the metallization pattern of the microcircuit is carried out by thin-film technology with a minimum element size of 10 μm.
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2008106682/09A RU2384027C2 (en) | 2008-02-20 | 2008-02-20 | Method of chip fabrication |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2008106682/09A RU2384027C2 (en) | 2008-02-20 | 2008-02-20 | Method of chip fabrication |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2008106682A true RU2008106682A (en) | 2009-08-27 |
RU2384027C2 RU2384027C2 (en) | 2010-03-10 |
Family
ID=41149391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2008106682/09A RU2384027C2 (en) | 2008-02-20 | 2008-02-20 | Method of chip fabrication |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2384027C2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2499374C2 (en) * | 2012-01-24 | 2013-11-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Тегас Электрик" | Printed circuit board |
RU2492000C1 (en) * | 2012-02-02 | 2013-09-10 | Алексей Владимирович Крылов | Method of coat application onto glass or ceramic surface |
US9776911B2 (en) | 2013-10-28 | 2017-10-03 | Ferro Corporation | Dielectric pastes for aluminum substrates |
RU2636654C2 (en) * | 2015-11-26 | 2017-11-27 | Акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега" | Method of manufacturing resistor on crystalline or polycrystalline substrate |
-
2008
- 2008-02-20 RU RU2008106682/09A patent/RU2384027C2/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2384027C2 (en) | 2010-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2529781A1 (en) | Thermal barrier coating material, thermal barrier member, and member coated with thermal barrier and method for manufacturing the same | |
JP2010523351A5 (en) | ||
US20180135157A1 (en) | Plasma resistant coating film and fabricating method thereof | |
EP1764351A2 (en) | Silicon based substrate with hafnium silicate containing barrier layer | |
RU2010141746A (en) | ELEMENT COATED WITH SOLID MATERIAL | |
CA2308092A1 (en) | Production of hollow ceramic membranes by electrophoretic deposition | |
CA2464253A1 (en) | In-situ method and composition for repairing a thermal barrier coating | |
RU2008106682A (en) | METHOD FOR PRODUCING CHIP | |
KR101276506B1 (en) | Surface-treated ceramic member, method for producing same, and vacuum processing device | |
JP2009235536A5 (en) | ||
WO2005062758A3 (en) | Yttria-coated ceramic components of semiconductor material processing apparatuses and methods of manufacturing the components | |
JP2003503597A5 (en) | ||
JP2004323976A5 (en) | ||
TW200635083A (en) | Substrate for carrying elements and its preparation | |
KR102431547B1 (en) | Yttrium Aluminum Silicate Glass Ceramic Coatings for Semiconductor Chamber Devices | |
WO2018093191A1 (en) | Glass frit composition for melt-coating for ceramics for plasma resistance and method for forming coating layer | |
JP2006194873A5 (en) | ||
JP2007258634A5 (en) | ||
KR20140006981A (en) | Structure including thin primer film, and process for producing said structure | |
CN101045625A (en) | Manufacturing method of composite ceramic plate and composit ceramic | |
CA2529190A1 (en) | Electrode with electroconductive titanium oxide and process for manufacturing same | |
CN102503578A (en) | Method for preparing ceramic coating on surface of porous ceramic substrate | |
JP2007224348A5 (en) | ||
CN109565939A (en) | Ceramic substrate and module having built-in electronic parts | |
KR102025712B1 (en) | Exterior zirconia ceramic member and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140221 |