RU2007145707A - Покрытие с низкими излучательной способностью и коэффициентом солнечного теплопритока, улучшенными химическими и механическими характеристиками, и способ его изготовления - Google Patents
Покрытие с низкими излучательной способностью и коэффициентом солнечного теплопритока, улучшенными химическими и механическими характеристиками, и способ его изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2007145707A RU2007145707A RU2007145707/02A RU2007145707A RU2007145707A RU 2007145707 A RU2007145707 A RU 2007145707A RU 2007145707/02 A RU2007145707/02 A RU 2007145707/02A RU 2007145707 A RU2007145707 A RU 2007145707A RU 2007145707 A RU2007145707 A RU 2007145707A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- thickness
- dielectric layer
- coating according
- coating
- Prior art date
Links
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
1. Обладающее низкой излучательной способностью покрытие на подложке, включающее, в порядке от подложки наружу: ! первый диэлектрический слой, ! первый слой серебра, ! первый защитный слой, ! первый поглощающий слой, ! второй диэлектрический слой, ! второй слой серебра, ! второй поглощающий слой, ! третий диэлектрический слой, и, ! при необходимости, слой верхнего покрытия, ! в котором либо первый поглощающий слой, либо второй поглощающий слой также используются при необходимости. ! 2. Покрытие по п.1, дополнительно содержащее второй защитный слой между вторым серебряным слоем и вторым поглощающим слоем. ! 3. Покрытие по п.1, в котором по меньшей мере один из упомянутых первого диэлектрического слоя, второго диэлектрического слоя или третьего диэлектрического слоя имеет субстехиометрический состав. ! 4. Покрытие по п.3, в котором каждый из упомянутых первого диэлектрического слоя, второго диэлектрического слоя или третьего диэлектрического слоя имеет субстехиометрический состав. ! 5. Покрытие по п.1, дополнительно содержащее первый кристаллизующий слой между первым диэлектрическим слоем и первым слоем серебра. ! 6. Покрытие по п.1, дополнительно содержащее второй кристаллизующий слой между вторым диэлектрическим слоем и вторым слоем серебра. ! 7. Покрытие по п.1, в котором первый поглощающий слой и второй поглощающий слой каждый по отдельности содержат материал, выбранный из группы, состоящей из металла, сплава, силицида, поглощающего оксида и нитрида. ! 8. Покрытие по п.1, в котором первый поглощающий слой и второй поглощающий слой каждый по отдельности содержат материал, выбранный из группы, состоящей из Ti, TiN, Si, NiCr, NiCrOх, Cr, Zr, Mo, W �
Claims (67)
1. Обладающее низкой излучательной способностью покрытие на подложке, включающее, в порядке от подложки наружу:
первый диэлектрический слой,
первый слой серебра,
первый защитный слой,
первый поглощающий слой,
второй диэлектрический слой,
второй слой серебра,
второй поглощающий слой,
третий диэлектрический слой, и,
при необходимости, слой верхнего покрытия,
в котором либо первый поглощающий слой, либо второй поглощающий слой также используются при необходимости.
2. Покрытие по п.1, дополнительно содержащее второй защитный слой между вторым серебряным слоем и вторым поглощающим слоем.
3. Покрытие по п.1, в котором по меньшей мере один из упомянутых первого диэлектрического слоя, второго диэлектрического слоя или третьего диэлектрического слоя имеет субстехиометрический состав.
4. Покрытие по п.3, в котором каждый из упомянутых первого диэлектрического слоя, второго диэлектрического слоя или третьего диэлектрического слоя имеет субстехиометрический состав.
5. Покрытие по п.1, дополнительно содержащее первый кристаллизующий слой между первым диэлектрическим слоем и первым слоем серебра.
6. Покрытие по п.1, дополнительно содержащее второй кристаллизующий слой между вторым диэлектрическим слоем и вторым слоем серебра.
7. Покрытие по п.1, в котором первый поглощающий слой и второй поглощающий слой каждый по отдельности содержат материал, выбранный из группы, состоящей из металла, сплава, силицида, поглощающего оксида и нитрида.
8. Покрытие по п.1, в котором первый поглощающий слой и второй поглощающий слой каждый по отдельности содержат материал, выбранный из группы, состоящей из Ti, TiN, Si, NiCr, NiCrOх, Cr, Zr, Mo, W и ZrSi.
9. Покрытие по п.8, в котором по меньшей мере один слой из первого поглощающего слоя и второго поглощающего слоя содержит NiCr.
10. Покрытие по п.8, в котором по меньшей мере один слой из первого поглощающего слоя и второго поглощающего слоя содержит Cr.
11. Покрытие по п.8, в котором первый поглощающий слой и второй поглощающий слой каждый содержат NiCr.
12. Покрытие по п.1, в котором по меньшей мере один слой из первого поглощающего слоя или второго поглощающего слоя способны понизить пропускание покрытия.
13. Покрытие по п.12, в котором по меньшей мере один поглощающий слой содержит материал, коэффициент преломления которого на длине волны 550 нм составляет примерно от 1 до 5,5.
14. Покрытие по п.12, в котором по меньшей мере один поглощающий слой содержит материал, коэффициент поглощения которого на длине волны 550 нм составляет примерно от 1,75 до 4,5.
15. Покрытие по п.12, в котором по меньшей мере один поглощающий слой содержит материал, зависимость коэффициента преломления которого от длины волны имеет положительный наклон на длине волны 550 нм.
16. Покрытие по п.12, в котором по меньшей мере один поглощающий слой содержит материал, зависимость коэффициента поглощения которого от длины волны имеет положительный наклон на длине волны 550 нм.
17. Покрытие по п.1, в котором первый поглощающий слой толще второго поглощающего слоя.
18. Покрытие по п.1, в котором толщина первого поглощающего слоя составляет примерно от 0,2 до 8 нм.
19. Покрытие по п.18, в котором толщина первого поглощающего слоя составляет примерно от 1 до 6 нм.
20. Покрытие по п.19, в котором толщина первого поглощающего слоя 15 составляет примерно от 1,5 до 4 нм.
21. Покрытие по п.1, в котором толщина второго поглощающего слоя составляет примерно от 0,1 до 8 нм.
22. Покрытие по п.21, в котором толщина второго поглощающего слоя составляет примерно от 0,1 до 5 нм.
23. Покрытие по п.22, в котором толщина второго поглощающего слоя составляет примерно от 0,1 до 1 нм.
24. Покрытие по п.1, в котором толщина первого поглощающего слоя составляет примерно 3 нм.
25. Покрытие по п.24, в котором толщина второго поглощающего слоя составляет примерно 0,5 нм.
26. Покрытие по п.1, в котором толщина первого поглощающего слоя составляет примерно 3,6 нм.
27. Покрытие по п.26, в котором толщина второго поглощающего слоя составляет примерно 0,1 нм.
28. Покрытие по п.1, в котором каждый слой из первого диэлектрического слоя, второго диэлектрического слоя и третьего диэлектрического слоя независимо содержат материал, выбранный из группы, содержащий оксид, нитрид и оксинитрид, или их комбинации.
29. Покрытие по п.28, в котором по меньшей мере один слой из первого диэлектрического слоя, второго диэлектрического слоя и третьего диэлектрического слоя содержит оксид.
30. Покрытие по п.29, в котором оксид напыляется из мишени, состоящей из Ti, Zn, Sn, сплава ZnSn или Bi.
31. Покрытие по п.29, в котором оксид содержит Nb2O5.
32. Покрытие по п.30, в котором оксид содержит до 20 мас.% элемента, выбранного из группы, состоящей из Al и В.
33. Покрытие по п.31, в котором оксид содержит до 10 мас.% элемента, выбранного из группы, состоящей из Al и В.
34. Покрытие по п.28, в котором по меньшей мере один слой из первого диэлектрического слоя, второго диэлектрического слоя и третьего диэлектрического слоя содержит нитрид или оксинитрид.
35. Покрытие по п.34, в котором нитрид или оксинитрид представляет собой нитрид или оксинитрид Si, SiAl, SiB или SiZr.
36. Покрытие по п.35, в котором нитрид или оксинитрид содержит до 20 мас.% элемента, выбранного из группы, состоящей из Al и В.
37. Покрытие по п.36, в котором нитрид или оксинитрид содержит до 10 мас.% элемента, выбранного из группы, состоящей из Al и В.
38. Покрытие по п.1, в котором по меньшей мере один слой из первого диэлектрического слоя, второго диэлектрического слоя или третьего диэлектрического слоя имеет коэффициент преломления в интервале примерно от 2,05 до 2,4 на длине волны 550 нм.
39. Покрытие по п.38, в котором по меньшей мере один слой из первого диэлектрического слоя, второго диэлектрического слоя или третьего диэлектрического слоя имеет коэффициент преломления в интервале примерно от 2,1 до 2,3 на длине волны 550 нм.
40. Покрытие по п.1, в котором по меньшей мере один слой из первого диэлектрического слоя, второго диэлектрического слоя или третьего диэлектрического слоя имеет коэффициент поглощения в интервале примерно от 0 до 0,05 на длине волны 550 нм.
41. Покрытие по п.40, в котором по меньшей мере один слой из первого диэлектрического слоя, второго диэлектрического слоя или третьего диэлектрического слоя имеет коэффициент поглощения в интервале примерно от 0,01 до 0,02 на длине волны 550 нм.
42. Обладающее низкой излучательной способностью покрытие на подложке, включающее, в порядке от подложки наружу:
первый диэлектрический слой толщиной примерно до 25 нм,
первый слой серебра толщиной примерно от 8 до 15 нм,
первый защитный слой толщиной примерно от 0,1 до 4 нм,
первый поглощающий слой толщиной примерно от 0,2 до 8 нм,
второй диэлектрический слой толщиной примерно от 40 до 75 нм,
второй слой серебра толщиной примерно от 8 до 15 нм,
второй поглощающий слой толщиной примерно от 0,1 до 8 нм,
третий диэлектрический слой толщиной примерно от 10 до 40 нм и,
при необходимости, слой верхнего покрытия.
43. Покрытие по п.42, дополнительно содержащее второй защитный слой толщиной примерно от 0,1 до 4 нм, расположенный между вторым слоем серебра и вторым поглощающим слоем.
44. Покрытие по п.42, дополнительно содержащее первый кристаллизующий слой между первым диэлектрическим слоем и первым слоем серебра, при этом толщина первого кристаллизующего слоя составляет примерно от 2 до 11 нм.
45. Покрытие по п.1, дополнительно содержащее второй кристаллизующий слой между вторым диэлектрическим слоем и вторым слоем серебра, при этом толщина второго кристаллизующего слоя составляет примерно от 2 до 11 нм.
46. Обладающее низкой излучательной способностью покрытие на подложке, содержащее, в порядке от подложки наружу:
первый диэлектрический слой, содержащий SiAlxNyOw, толщиной примерно от 3 до 30 нм,
первый кристаллизующий слой, содержащий ZnAlyOx, толщиной примерно от 3 до 11 нм,
первый слой серебра толщиной примерно от 8 до 12 нм,
первый защитный слой, содержащий NiCrOx, толщиной примерно от 0,8 до 2 нм,
первый поглощающий слой, содержащий NiCr, толщиной примерно от 1,5 до 4 нм,
второй диэлектрический слой, содержащий SiAlxNyOw, толщиной примерно от 55 до 75 нм,
второй кристаллизующий слой, содержащий ZnAlyOx, толщиной примерно от 3 до 10 нм,
второй слой серебра толщиной примерно от 10 до 15 нм,
второй поглощающий слой, содержащий NiCr, толщиной примерно от 0,1 до 2,2 нм,
третий диэлектрический слой, содержащий SiAlxNyOw, толщиной примерно от 24 до 40 нм и,
при необходимости, слой верхнего покрытия.
47. Покрытие по п.46, дополнительно включающее второй защитный слой, содержащий NiCrOx, толщиной примерно от 2 до 4 нм, расположенный между вторым слоем серебра и вторым поглощающим слоем.
48. Покрытие по п.42, в котором отношение толщины первого слоя серебра к толщине второго слоя серебра составляет по меньшей мере 80%.
49. Покрытие по п.42, в котором отношение толщины первого слоя серебра к толщине второго слоя серебра составляет по меньшей мере 50%.
50. Покрытие по п.1, где подложка выполнена из стекла.
51. Многослойная система с низкой излучательной способностью, включающая по меньшей мере один поглощающий слой и обладающая коэффициентом солнечного теплопритока менее примерно 0,30.
52. Многослойная система по п.51, включающая стеклянную подложку.
53. Многослойная система по п.52, в которой толщина стеклянной подложки составляет примерно 1/8 дюйма.
54. Многослойная система по п.53, в которой пропускание света составляет примерно от 42 до 46%, измеренное в стеклопакете.
55. Многослойная система по п.51, цветовое пропускание которой характеризуется отрицательным а* и отрицательным b* (по шкале CIE LAB).
56. Многослойная система по п.51, характеризующаяся улучшенной механической или химической устойчивостью.
57. Способ изготовления многослойной системы с низкой излучательной способностью и низким коэффициентом солнечного теплопритока, включающий нанесение на подложку покрытия по п.1.
58. Способ по п.57, в котором нанесение включает магнетронное напыление.
59. Многослойная система с низкой излучательной способностью, включающая по меньшей мере один поглощающий слой и имеющая следующие характеристики:
величина Y пропускания примерно от 30 до 60,
отрицательная величина пропускания а*,
RgY примерно от 8 до 20,
отрицательная величина Rga*,
RfY примерно от 2 до 12,
отрицательная величина Rfa*, и
коэффициент солнечного теплопритока примерно от 0,10 до 0,30.
60. Многослойная система по п.51, характеризующаяся устойчивостью к воздействию закалки или термического упрочнения.
61. Многослойная система по п.60, в которой ее оптические характеристики не ухудшаются после закалки или термического упрочнения.
62. Обладающее низкой излучательной способностью покрытие на подложке, включающее, в порядке от подложки наружу:
первый диэлектрический слой, содержащий SiAlOxNy,
первый кристаллизующий стой, содержащий ZnAlOx,
первый слой серебра,
первый защитный слой, содержащий NiCrOx,
первый поглощающий слой, содержащий металлический NiCr,
второй диэлектрический слой, содержащий SiAlOxNy,
второй кристаллизующий слой, содержащий ZnAlOx,
второй слой серебра,
второй поглощающий слой, содержащий металлический NiCr,
третий диэлектрический слой, содержащий SiAlOxNy и,
при необходимости, слой верхнего покрытия.
63. Покрытие по п.1, в котором первый защитный слой содержит NiCrOx.
64. Покрытие по п.63, в котором NiCrOx содержит примерно от 15 до 60 атомных процентов кислорода.
65. Покрытие по п.64, в котором NiCrOx содержит примерно от 20 до 50 атомных процентов кислорода.
66. Покрытие по п.65, в котором NiCrOx содержит примерно 20 атомных процентов кислорода.
67. Покрытие по п.2, в котором второй защитный слой содержит NiCrOx.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US68000805P | 2005-05-12 | 2005-05-12 | |
| US60/680,008 | 2005-05-12 | ||
| US73687605P | 2005-11-16 | 2005-11-16 | |
| US60/736,876 | 2005-11-16 | ||
| US60/750,782 | 2005-12-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2007145707A true RU2007145707A (ru) | 2009-06-20 |
| RU2415968C2 RU2415968C2 (ru) | 2011-04-10 |
Family
ID=41025366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007145707/02A RU2415968C2 (ru) | 2005-05-12 | 2006-05-11 | Покрытие с низкими излучательной способностью и коэффициентом солнечного теплопритока, улучшенными химическими и механическими характеристиками и способ его изготовления |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2415968C2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2711251C1 (ru) * | 2016-02-24 | 2020-01-15 | Витро Флэт Глас ЛЛК | Покрытие с низкой излучательной способностью для окон в холодном климате |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2734189C1 (ru) * | 2020-01-30 | 2020-10-13 | Общество с ограниченной ответственностью "Пилкингтон Гласс" | Термоустойчивое высокоселективное энергосберегающее покрытие серебристого цвета на стекле и способ его изготовления |
-
2006
- 2006-05-11 RU RU2007145707/02A patent/RU2415968C2/ru active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2711251C1 (ru) * | 2016-02-24 | 2020-01-15 | Витро Флэт Глас ЛЛК | Покрытие с низкой излучательной способностью для окон в холодном климате |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2415968C2 (ru) | 2011-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6432545B1 (en) | Glazing provided with a low-emissivity multilayer stack | |
| RU2010125110A (ru) | Низкоэмиссионное покрытие с низким коэффициентом солнечного теплопритока и улучшенными химическими и механическими характеристиками и способ его изготовления | |
| RU2431621C2 (ru) | Лист стекла, несущий многослойное покрытие | |
| US20190256411A1 (en) | Coated article with low-e coating having low visible transmission | |
| EP2903946B1 (en) | Coated article with low-e coating having low visible transmission | |
| CA2556730C (en) | Heat stabilized sub-stoichiometric dielectrics | |
| US9709717B2 (en) | Solar control glazing | |
| KR101943123B1 (ko) | 저방사율 코팅을 포함하는 코팅된 물품, 코팅된 물품을 포함하는 절연 유리 유닛, 및/또는 이의 제조방법 | |
| JP5221513B2 (ja) | 被覆窓ガラス | |
| US20090186213A1 (en) | Low emissivity (low-e) thin coating stacks with intermediate antidiffusion layers | |
| KR20150054864A (ko) | 낮은 필름측 반사율 및 낮은 가시투과율 흡수층을 갖는 저-e 코팅을 포함하는 코팅 제품 | |
| CN101237990A (zh) | 具有低的太阳辐射得热系数、增强的化学和物理性能的低发射率镀层及其制备方法 | |
| KR20150054863A (ko) | 낮은 필름측 반사율 및 낮은 가시투과율 흡수층을 갖는 저-e 코팅을 포함하는 코팅 제품 | |
| EP3004015A2 (en) | Low-emissivity glazing | |
| JP2004526650A (ja) | 窓ペイン用の圧縮応力を加えることのできる低ｅ多層系 | |
| CN110520390B (zh) | 具有含掺杂银的ir反射层的低-e涂层的涂覆制品 | |
| CN110382225B (zh) | 带有具有吸收剂层的低e涂层和低可见光透射率的银色涂覆制品 | |
| RU2728632C1 (ru) | Изделие серого цвета с нанесенным низкоэмиссионным покрытием, которое имеет поглощающий слой и низкое пропускание видимого света | |
| JP2015505789A (ja) | ＮｉＣｕ含有合金の層を含む日射調整グレージング | |
| RU2007145707A (ru) | Покрытие с низкими излучательной способностью и коэффициентом солнечного теплопритока, улучшенными химическими и механическими характеристиками, и способ его изготовления | |
| US20040258928A1 (en) | Solar control coating with metal alloy film | |
| US10766808B2 (en) | Coated article with low-E coating having low visible transmission | |
| US20240083808A1 (en) | Magnetron Sputtering Vapor Deposition Coating Composition Comprising Light Absorptive Materials | |
| TR201821342A2 (tr) | Low-e kaplamali cam ve bunun üreti̇lmesi̇ne i̇li̇şki̇n yöntem | |
| MXPA06009557A (en) | Heat stabilized sub-stoichiometric dielectrics |