Claims (7)
1. Высокочастотный усилитель на транзисторе по схеме с общей базой, содержащий входной транзистор (1), эмиттер которого является низкоомным входом (2) усилителя, связанным с источником сигнала (3), коллектор соединен с выходом (4) усилителя и цепью нагрузки (5), а база связана с цепью высокочастотной коррекции (6), отличающийся тем, что в схему введены первый (7) дополнительный транзистор, вспомогательный усилитель тока (8) и токостабилизирующий двухполюсник (9), причем эмиттер первого дополнительного транзистора (7) соединен с эмиттером входного транзистора (1), базы первого (7) дополнительного транзистора и первого (1) входного транзистора объединены и подключены к выходу вспомогательного усилителя тока (8), коллектор первого дополнительного транзистора (7) соединен со входом вспомогательного усилителя тока (8) и токостабилизирующим двухполюсником (9).1. A high-frequency amplifier on a transistor according to a scheme with a common base, containing an input transistor (1), the emitter of which is a low-impedance input (2) of the amplifier connected to a signal source (3), the collector is connected to the output (4) of the amplifier and a load circuit (5 ), and the base is connected to a high-frequency correction circuit (6), characterized in that the first (7) additional transistor, an auxiliary current amplifier (8) and a current-stabilizing two-terminal device (9) are introduced into the circuit, and the emitter of the first additional transistor (7) is connected to input emitter a resistor (1), the base of the first (7) additional transistor and the first (1) input transistor are combined and connected to the output of the auxiliary current amplifier (8), the collector of the first additional transistor (7) is connected to the input of the auxiliary current amplifier (8) and a current-stabilizing two-terminal device (9).
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что вспомогательный усилитель тока (8) выполнен по схеме с общей базой на первом согласующем транзисторе (10), эмиттер которого является входом вспомогательного усилителя тока (8), коллектор - выходом вспомогательного усилителя тока (8), а база соединена с источником напряжения смещения (11).2. The device according to claim 1, characterized in that the auxiliary current amplifier (8) is made according to the scheme with a common base on the first matching transistor (10), the emitter of which is the input of the auxiliary current amplifier (8), the collector is the output of the auxiliary current amplifier ( 8), and the base is connected to a bias voltage source (11).
3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что цепь высокочастотной коррекции содержит блокирующий конденсатор (12).3. The device according to claim 1, characterized in that the high-frequency correction circuit contains a blocking capacitor (12).
4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что цепь высокочастотной коррекции (5) содержит последовательный колебательный контур.4. The device according to claim 1, characterized in that the high-frequency correction circuit (5) contains a series oscillatory circuit.
5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что цепь высокочастотной коррекции (5) содержит параллельный колебательный контур.5. The device according to claim 1, characterized in that the high-frequency correction circuit (5) contains a parallel oscillatory circuit.
6. Устройство по п.1, отличающееся тем, что между входом (2) высокочастотного усилителя и общей шиной источника питания включен р-n переход (13).6. The device according to claim 1, characterized in that between the input (2) of the high-frequency amplifier and the common bus of the power source, the pn junction (13) is turned on.
7. Устройство по п.1, отличающееся тем, что площадь р-n перехода первого (1) входного транзистора значительно больше, чем площадь р-n перехода первого дополнительного транзистора (6).7. The device according to claim 1, characterized in that the area pn of the junction of the first (1) input transistor is much larger than the area pn of the junction of the first additional transistor (6).