RU2012139007A - COMPONENT TRANSISTOR - Google Patents

COMPONENT TRANSISTOR Download PDF

Info

Publication number
RU2012139007A
RU2012139007A RU2012139007/08A RU2012139007A RU2012139007A RU 2012139007 A RU2012139007 A RU 2012139007A RU 2012139007/08 A RU2012139007/08 A RU 2012139007/08A RU 2012139007 A RU2012139007 A RU 2012139007A RU 2012139007 A RU2012139007 A RU 2012139007A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
emitter
collector
base
input
Prior art date
Application number
RU2012139007/08A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2519563C2 (en
Inventor
Олег Владимирович Дворников
Николай Николаевич Прокопенко
Николай Владимирович Бутырлагин
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority to RU2012139007/08A priority Critical patent/RU2519563C2/en
Publication of RU2012139007A publication Critical patent/RU2012139007A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2519563C2 publication Critical patent/RU2519563C2/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

1. Составной транзистор, содержащий входной транзистор (1), база которого является базой (2), а эмиттер - эмиттером (3) составного транзистора, выходной транзистор (4), коллектор которого является коллектором (5) составного транзистора, а эмиттер соединен с коллектором входного транзистора (1), отличающийся тем, чтов схему введен дополнительный транзистор (6), статический режим которого по току эмиттера устанавливается дополнительным источником опорного тока (7), включенным между первой (8) шиной источника питания и эмиттером дополнительного транзистора (6), причем база дополнительного транзистора (6) соединена с базой входного транзистора (1), его коллектор связан с эмиттером входного транзистора (1), а эмиттер подключен к базе выходного транзистора (4).2. Составной транзистор по п.1, отличающийся тем, что база входного транзистора (1) соединена с источником входного напряжения (9), между первой (8) шиной источника питания и коллектором выходного транзистора (4) включен резистор коллекторной нагрузки (10), а эмиттер входного транзистора (1) соединен по переменному току со второй (11) шиной источника питания через резистор местной обратной связи (12), а также соединен со второй (11) шиной источника питания через токостабилизирующий двухполюсник (13).1. A composite transistor containing an input transistor (1), the base of which is the base (2), and the emitter is the emitter (3) of the composite transistor, the output transistor (4), the collector of which is the collector (5) of the composite transistor, and the emitter is connected to the collector of the input transistor (1), characterized in that the circuit has an additional transistor (6), the static mode of which is set by the emitter current by an additional reference current source (7), connected between the first (8) power supply bus and the emitter of the additional trans Stora (6), the base of additional transistor (6) connected to the base of the input transistor (1), its collector connected to the emitter of the input transistor (1), and an emitter connected to the base of the output transistor (4) .2. A composite transistor according to claim 1, characterized in that the base of the input transistor (1) is connected to an input voltage source (9), a collector load resistor (10) is connected between the first (8) bus of the power source and the collector of the output transistor (4), and the emitter of the input transistor (1) is connected via alternating current to the second (11) bus of the power supply through a local feedback resistor (12), and is also connected to the second (11) bus of the power supply through a current-stabilizing two-terminal device (13).

Claims (2)

1. Составной транзистор, содержащий входной транзистор (1), база которого является базой (2), а эмиттер - эмиттером (3) составного транзистора, выходной транзистор (4), коллектор которого является коллектором (5) составного транзистора, а эмиттер соединен с коллектором входного транзистора (1), отличающийся тем, что в схему введен дополнительный транзистор (6), статический режим которого по току эмиттера устанавливается дополнительным источником опорного тока (7), включенным между первой (8) шиной источника питания и эмиттером дополнительного транзистора (6), причем база дополнительного транзистора (6) соединена с базой входного транзистора (1), его коллектор связан с эмиттером входного транзистора (1), а эмиттер подключен к базе выходного транзистора (4).1. A composite transistor containing an input transistor (1), the base of which is the base (2), and the emitter is the emitter (3) of the composite transistor, the output transistor (4), the collector of which is the collector (5) of the composite transistor, and the emitter is connected to the collector of the input transistor (1), characterized in that an additional transistor (6) is introduced into the circuit, the static mode of which according to the emitter current is set by an additional reference current source (7) connected between the first (8) bus of the power source and the emitter of the additional transistor (6), and the base of the additional transistor (6) is connected to the base of the input transistor (1), its collector is connected to the emitter of the input transistor (1), and the emitter is connected to the base of the output transistor (4). 2. Составной транзистор по п.1, отличающийся тем, что база входного транзистора (1) соединена с источником входного напряжения (9), между первой (8) шиной источника питания и коллектором выходного транзистора (4) включен резистор коллекторной нагрузки (10), а эмиттер входного транзистора (1) соединен по переменному току со второй (11) шиной источника питания через резистор местной обратной связи (12), а также соединен со второй (11) шиной источника питания через токостабилизирующий двухполюсник (13). 2. A composite transistor according to claim 1, characterized in that the base of the input transistor (1) is connected to an input voltage source (9), a collector load resistor (10) is connected between the first (8) bus of the power source and the collector of the output transistor (4) and the emitter of the input transistor (1) is connected via alternating current to the second (11) bus of the power supply through a local feedback resistor (12), and is also connected to the second (11) bus of the power supply through a current-stabilizing two-terminal device (13).
RU2012139007/08A 2012-09-11 2012-09-11 Composite transistor RU2519563C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012139007/08A RU2519563C2 (en) 2012-09-11 2012-09-11 Composite transistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012139007/08A RU2519563C2 (en) 2012-09-11 2012-09-11 Composite transistor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012139007A true RU2012139007A (en) 2014-03-20
RU2519563C2 RU2519563C2 (en) 2014-06-10

Family

ID=50279974

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012139007/08A RU2519563C2 (en) 2012-09-11 2012-09-11 Composite transistor

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2519563C2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2595926C1 (en) * 2015-07-23 2016-08-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Bipolar-field operational amplifier

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2710846C1 (en) * 2019-08-21 2020-01-14 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3161721B2 (en) * 1990-10-19 2001-04-25 株式会社日立製作所 Amplifier circuit and display device
JP3922773B2 (en) * 1997-11-27 2007-05-30 三菱電機株式会社 Power amplifier
US6344776B1 (en) * 2000-10-11 2002-02-05 Intersil Americas Inc. Transistor base current error correction scheme for low overhead voltage applications
JP3973486B2 (en) * 2002-05-24 2007-09-12 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 Variable gain amplifier and differential amplifier
RU2370879C1 (en) * 2008-03-03 2009-10-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Complementary push-pull cascode differential amplifier

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2595926C1 (en) * 2015-07-23 2016-08-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Bipolar-field operational amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
RU2519563C2 (en) 2014-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EA201991418A3 (en) METHOD AND SYSTEM FOR INCREASING THE UTILITY OF THE PHOTOELECTRIC DEVICE
EA201400999A1 (en) M2LC SYSTEM AND SYSTEM MANAGEMENT METHOD
WO2014113146A8 (en) Connection for improved current balancing between parallel bridge circuits
AR097056A1 (en) SWITCHING VOLTAGE HIGH EFFICIENCY REGULATOR
JP2011239253A5 (en)
RU2012133772A (en) DEVICE FOR AC DC PROCESSING IN THE LOAD POWER SUPPLY CIRCUIT (OPTIONS)
SG10201803995QA (en) Ripple compensator, data driving circuit including the ripple compensator, and semiconductor device including the ripple compensator
EP2747268A3 (en) Voltage source current controlled multilevel power converter
RU2016119940A (en) Protection circuit for a semiconductor switching element and power conversion device
RU2012139007A (en) COMPONENT TRANSISTOR
RU2017106379A (en) Device for producing direct current flowing in the load power circuit (options)
RU2013137299A (en) STATIC CONVERTER
RU2013127913A (en) COMPONENT TRANSISTOR WITH A SMALL OUTPUT CAPACITY
RU2013112037A (en) AC VOLTAGE REGULATOR
RU2014102465A (en) AGREEMENT DIAGRAM
RU2012120600A (en) DEVICE FOR SCALE CURRENT TRANSFORM
RU2012152240A (en) SELECTED AMPLIFIER WITH ADVANCED FREQUENCY RANGE
RU2012132585A (en) MICROWAVE SELECTION AMPLIFIER
MX2018008151A (en) Welding power supply with interleaved inverter circuitry.
RU2011141692A (en) DC VOLTAGE STABILIZER
RU2012150541A (en) DEVICE FOR ISOLATING THE DIFFERENCE MODULE OF TWO INPUT CURRENTS
RU2012132332A (en) CONTROLLED SELECTOR AMPLIFIER FOR SG25VD TECHNOLOGY
RU2013122372A (en) HIGH FREQUENCY ATTENUATOR
RU2012131853A (en) RESONANT SWITCH
RU2012137330A (en) SELECTION AMPLIFIER

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140912