RU2007123690A - METHOD OF ION-PLASMA APPLICATION OF MULTICOMPONENT FILM COATINGS AND INSTALLATION FOR ITS IMPLEMENTATION - Google Patents

METHOD OF ION-PLASMA APPLICATION OF MULTICOMPONENT FILM COATINGS AND INSTALLATION FOR ITS IMPLEMENTATION Download PDF

Info

Publication number
RU2007123690A
RU2007123690A RU2007123690/02A RU2007123690A RU2007123690A RU 2007123690 A RU2007123690 A RU 2007123690A RU 2007123690/02 A RU2007123690/02 A RU 2007123690/02A RU 2007123690 A RU2007123690 A RU 2007123690A RU 2007123690 A RU2007123690 A RU 2007123690A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
magnetron
unbalanced
magnetrons
opposite
balanced
Prior art date
Application number
RU2007123690/02A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2379378C2 (en
Inventor
Дмитрий Давидович Спиваков (RU)
Дмитрий Давидович Спиваков
Валерий Семенович Митин (RU)
Валерий Семенович Митин
Original Assignee
Дмитрий Давидович Спиваков (RU)
Дмитрий Давидович Спиваков
Валерий Семенович Митин (RU)
Валерий Семенович Митин
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дмитрий Давидович Спиваков (RU), Дмитрий Давидович Спиваков, Валерий Семенович Митин (RU), Валерий Семенович Митин filed Critical Дмитрий Давидович Спиваков (RU)
Priority to RU2007123690/02A priority Critical patent/RU2379378C2/en
Publication of RU2007123690A publication Critical patent/RU2007123690A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2379378C2 publication Critical patent/RU2379378C2/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/354Introduction of auxiliary energy into the plasma
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C23C14/325Electric arc evaporation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32321Discharge generated by other radiation
    • H01J37/3233Discharge generated by other radiation using charged particles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405Magnetron sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3417Arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3452Magnet distribution

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

1. Магнетронная установка для нанесения многокомпонентных пленочных покрытий ионно-плазменным способом, которая содержит заземленную камеру, размещенное в камере анодное устройство, средства для создания электрического поля, размещенный в центре камеры планетарный карусельный механизм для крепления напыляемых изделий, который электрически смещен указанными электрическими средствами для притяжения ионов к изделиям, система для создания магнитного поля, которая включает два установленных напротив друг друга несбалансированных магнетрона, каждый несбалансированный магнетрон имеет ориентированные в противоположенных направлениях внутренний и внешний кольцевые магнитные полюса, причем внешний полюс одного магнетрона и внешний полюс другого магнетрона имеют противоположную полярность, два установленных напротив друг друга высокоскоростных, охлаждаемых сбалансированных магнетрона, каждый сбалансированный магнетрон имеет ориентированные в противоположенных направлениях внутренний и внешний кольцевые магнитные полюса, причем внешний полюс одного магнетрона и внешний полюс другого магнетрона имеют противоположную полярность, в промежутках между двумя парами несбалансированных и сбалансированных магнетронов, которые находятся между их внешними кольцевыми магнитными полюсами одной полярности, размещены установленные друг напротив друга два ионных источника с холодным катодом, выполненные в виде ориентированных в противоположенных направлениях внутреннего и внешнего кольцевых магнитных полюсов, причем внешний полюс каждого ионного источника имеет полярность, противоположенную полярнос�1. A magnetron installation for applying multicomponent film coatings by the ion-plasma method, which contains a grounded chamber, an anode device located in the chamber, means for creating an electric field, a planetary carousel mechanism located in the center of the chamber for attaching sprayed products, which is electrically biased by the indicated electrical means for attraction of ions to products, a system for creating a magnetic field, which includes two unbalanced magnetrons installed opposite each other, each unbalanced magnetron has an inner and outer annular magnetic poles oriented in opposite directions, and the outer pole of one magnetron and the outer pole of the other magnetron have opposite polarity, two high-speed, cooled balanced magnetrons mounted opposite each other, each balanced magnetron has an inner and outer ring oriented in opposite directions ring magnetic poles, wherein the outer pole of one magnetron and the outer pole of the other magnetron have opposite polarity, between two pairs of unbalanced and balanced magnetrons, which are located between their outer ring magnetic poles of the same polarity, two ion sources with a cold cathode are placed opposite each other , made in the form of inner and outer annular magnetic poles oriented in opposite directions, and the outer pole of each ion source has a polarity opposite to that of the ion source.

Claims (5)

1. Магнетронная установка для нанесения многокомпонентных пленочных покрытий ионно-плазменным способом, которая содержит заземленную камеру, размещенное в камере анодное устройство, средства для создания электрического поля, размещенный в центре камеры планетарный карусельный механизм для крепления напыляемых изделий, который электрически смещен указанными электрическими средствами для притяжения ионов к изделиям, система для создания магнитного поля, которая включает два установленных напротив друг друга несбалансированных магнетрона, каждый несбалансированный магнетрон имеет ориентированные в противоположенных направлениях внутренний и внешний кольцевые магнитные полюса, причем внешний полюс одного магнетрона и внешний полюс другого магнетрона имеют противоположную полярность, два установленных напротив друг друга высокоскоростных, охлаждаемых сбалансированных магнетрона, каждый сбалансированный магнетрон имеет ориентированные в противоположенных направлениях внутренний и внешний кольцевые магнитные полюса, причем внешний полюс одного магнетрона и внешний полюс другого магнетрона имеют противоположную полярность, в промежутках между двумя парами несбалансированных и сбалансированных магнетронов, которые находятся между их внешними кольцевыми магнитными полюсами одной полярности, размещены установленные друг напротив друга два ионных источника с холодным катодом, выполненные в виде ориентированных в противоположенных направлениях внутреннего и внешнего кольцевых магнитных полюсов, причем внешний полюс каждого ионного источника имеет полярность, противоположенную полярности внешних полюсов ближайших к нему несбалансированного и сбалансированного магнетронов, в двух других промежутках между двумя парами несбалансированных и сбалансированных магнетронов, которые находятся между их внешними кольцевыми магнитными полюсами разных полярностей, размещены установленные друг напротив друга два дуговых источника металлических ионов со стабилизирующими катушками.1. Magnetron installation for applying multicomponent film coatings by the ion-plasma method, which contains a grounded chamber, an anode device placed in the chamber, means for creating an electric field, a planetary rotary mechanism located in the center of the chamber for attaching the sprayed products, which is electrically biased by the indicated electrical means for the attraction of ions to products, a system for creating a magnetic field, which includes two unbalanced magnets mounted opposite each other of the throne, each unbalanced magnetron has inner and outer ring magnetic poles oriented in opposite directions, the outer pole of one magnetron and the outer pole of the other magnetron having opposite polarity, two high-speed, cooled balanced magnetrons mounted opposite each other, each balanced magnetron oriented in opposite directions inner and outer annular magnetic poles, the outer pole of one magnetron and the outer pole of the other magnetron has opposite polarity, in the spaces between two pairs of unbalanced and balanced magnetrons that are between their outer ring magnetic poles of the same polarity, two ion sources with a cold cathode are arranged opposite each other, made in the form of an internal and oriented in opposite directions external annular magnetic poles, and the external pole of each ion source has a polarity opposite to that of and external poles nearest thereto balanced and unbalanced magnetrons, in the other two gaps between the two pairs of unbalanced and balanced magnetrons that are between their external ring magnetic poles of different polarities, are arranged opposite each other set two arc source metal ion with stabilizing coils. 2. Установка по п.1, отличающаяся тем, что в центре камеры установлено средство для нагрева изделий.2. Installation according to claim 1, characterized in that in the center of the chamber is installed a means for heating the products. 3. Установка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что магнитная система сбалансированных магнетронов размещена в охлаждаемой полости корпуса магнетрона шириной от 50 до 85 мм, в полости сформирован канал в виде щели между мишенью и торцом дистанционирующей вставки между полюсами магнетрона, причем высота щели составляет от 4 до 6 мм, а ее ширина соответствует ширине упомянутой дистанционирующей вставки и составляет от 10 до 20 мм.3. Installation according to claim 1 or 2, characterized in that the balanced magnetron magnetic system is placed in a cooled cavity of the magnetron body with a width of 50 to 85 mm, a channel is formed in the cavity in the form of a gap between the target and the end face of the spacer insert between the magnetron poles, the height the gap is from 4 to 6 mm, and its width corresponds to the width of the said spacer insert and is from 10 to 20 mm. 4. Способ нанесения многокомпонентных пленочных покрытий ионно-плазменным способом, в соответствии с которым используют установку по п.1 формулы изобретения, а для нанесения покрытия проводят подготовку несбалансированных магнетронов с гомогенными мишенями, подготовку сбалансированных магнетронов с мозаичными мишенями, установку изделий в планетарном карусельном механизме, подготовку установки к работе, ионное травление и активацию изделий с помощью несбалансированных магнетронов при плотности мощности разряда от 5 до 40 Вт/см2, дополнительную активацию изделий с помощью ионного источника, генерирующего ионы газов, например аргона, при ускоряющем напряжении до 5000 В, или активацию и насыщение поверхностного слоя металлом или газом с помощью дугового источника, генерирующего ионы металла или газа, например азота, при напряжении смещения на изделии до 1700 В, нагрев изделий с помощью нагревателя до температуры от 250 до 1200°С, нанесение первичного покрытия с помощью несбалансированных магнетронов при плотности мощности разряда от 5 до 40 /см2, нанесение вторичных слоев покрытия до толщины 10 мкм с помощью одновременного использования несбалансированных магнетронов при плотности мощности разряда от 5 до 40 Вт/см2 и сбалансированных магнетронов при плотности мощности разряда от 40 до 500 Вт/см2 и остаточной индукции магнитного поля от 0,03 Т до 0,1 Т, нанесение основного слоя покрытия с помощью одновременного использования несбалансированных магнетронов при плотности мощности разряда от 5 до 40 Вт/см2 и сбалансированных магнетронов при плотности мощности разряда от 40 до 500 Вт/см2 и остаточной индукции магнитного поля от 0,03 Т до 0,1 Т, нанесение основного слоя с многослойной нанокристаллической структурой с помощью одновременного использования несбалансированных магнетронов при плотности мощности разряда от 5 до 40 Вт/см2, сбалансированных магнетронов при плотности мощности разряда от 40 до 500 Вт/см2 и остаточной индукции магнитного поля от 0,03 Т до 0,1, а также дуговых источников при токе дуги от 40 до 160 А и напряжении от 40 до 80 В.4. The method of applying multicomponent film coatings by the ion-plasma method, in accordance with which the apparatus according to claim 1 is used, and for coating the preparation of unbalanced magnetrons with homogeneous targets, the preparation of balanced magnetrons with mosaic targets, the installation of products in a planetary carousel mechanism , preparing the installation for operation, ion etching and product activation using unbalanced magnetrons at a discharge power density of 5 to 40 W / cm 2 , additional additional activation of products using an ion source generating gas ions, such as argon, at an accelerating voltage of up to 5000 V, or activation and saturation of the surface layer with metal or gas using an arc source generating metal or gas ions, such as nitrogen, with a bias voltage on the product up to 1700 V, heating products using a heater to a temperature of from 250 to 1200 ° C, applying the primary coating using unbalanced magnetrons at a discharge power density of 5 to 40 / cm 2 , applying secondary layers of coating up to a thickness of 10 μm by using the simultaneous use of unbalanced magnetrons with a discharge power density of 5 to 40 W / cm 2 and balanced magnetrons with a discharge power density of 40 to 500 W / cm 2 and residual magnetic field induction from 0.03 T to 0 , T 1, applying the base coating layer by simultaneous use of unbalanced magnetrons at a discharge power density of 5 to 40 W / cm 2 and a balanced magnetron discharge with a power density of 40 to 500 W / cm 2 and the residual magnetic induction field T 0.03 T to 0.1 T, coating the base layer with a multilayer nanocrystalline structure by simultaneously using the unbalanced magnetrons at a discharge power density of 5 to 40 W / cm 2, balanced magnetron discharge with a power density of 40 to 500 W / cm 2 and residual magnetic field induction from 0.03 T to 0.1, as well as arc sources at an arc current of 40 to 160 A and a voltage of 40 to 80 V. 5. Способ по п.4, отличающийся тем, что изделия в процессе нанесения покрытия нагревают до температуры от 250 до 1200°С, а затем дополнительно нагревают поверхность изделий до температуры 1500°С за счет бобардировки ионами металла и/или газа, которые генерируют дуговыми источниками при потенциале смещения на изделии до 1700 В.5. The method according to claim 4, characterized in that the products in the coating process are heated to a temperature of from 250 to 1200 ° C, and then additionally heat the surface of the products to a temperature of 1500 ° C due to beadding with metal and / or gas ions that generate arc sources with a bias potential on the product up to 1700 V.
RU2007123690/02A 2006-07-26 2006-07-26 Method of ion-plasma spraying coating of multicomponent film coatings and installation for its implementation RU2379378C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007123690/02A RU2379378C2 (en) 2006-07-26 2006-07-26 Method of ion-plasma spraying coating of multicomponent film coatings and installation for its implementation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007123690/02A RU2379378C2 (en) 2006-07-26 2006-07-26 Method of ion-plasma spraying coating of multicomponent film coatings and installation for its implementation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007123690A true RU2007123690A (en) 2009-04-27
RU2379378C2 RU2379378C2 (en) 2010-01-20

Family

ID=41018386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007123690/02A RU2379378C2 (en) 2006-07-26 2006-07-26 Method of ion-plasma spraying coating of multicomponent film coatings and installation for its implementation

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2379378C2 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2450086C2 (en) * 2010-06-08 2012-05-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский институт "МЭИ" (ФГБОУ ВПО "НИУ МЭИ") Method to apply nanocomposite coating onto flat surfaces of part and device for its realisation (versions)
CN107130213B (en) * 2017-05-03 2019-04-09 成都真锐科技涂层技术有限公司 Multicomponent alloy laminated film Preparation equipment and preparation method
RU2676720C1 (en) * 2018-03-28 2019-01-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук Method of vacuum ion-plasma low-temperature deposition of noncrystalline coating from aluminum oxide
FI3960896T3 (en) 2020-04-20 2024-02-20 Joint Stock Company Tvel Method of ion-plasma application of corrosion-resistant film coatings on articles made from zirconium alloys
WO2024009229A1 (en) 2022-07-06 2024-01-11 Naco Technologies, Sia A high-rate magnetron sputtering device

Also Published As

Publication number Publication date
RU2379378C2 (en) 2010-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5865961A (en) Magnetron sputtering apparatus and method
JP2004346388A (en) Sputtering source, sputtering apparatus and sputtering method
KR890003266A (en) Plasma treatment method and apparatus
US20220181129A1 (en) Magnetron plasma apparatus
KR20100015634A (en) Vacuum arc vaporization source, and an arc vaporization chamber with a vacuum arc vaporization source
US6231725B1 (en) Apparatus for sputtering material onto a workpiece with the aid of a plasma
JP2011179120A (en) Apparatus and method of physical vapor deposition with multi-point clamp
US20150332898A1 (en) Plasma processing apparatus
JP2009041115A (en) Sputtering source, sputtering apparatus and sputtering method
RU2007123690A (en) METHOD OF ION-PLASMA APPLICATION OF MULTICOMPONENT FILM COATINGS AND INSTALLATION FOR ITS IMPLEMENTATION
JP2016511911A (en) Plasma chemical vapor deposition (PECVD) source
JP2011202217A (en) Magnetron sputtering apparatus and sputtering method
JP5146106B2 (en) Sputtering equipment
JP2010168662A (en) Source for vacuum treatment process
EP2739764A2 (en) Ion source
CN103168338A (en) Sputtering sources for high-pressure sputtering with large targets and sputtering method
JPH04235276A (en) Device for coating substrate
JP2021528815A (en) Single beam plasma source
KR102171588B1 (en) Sputtering device and method for sputtering
RU2601903C2 (en) Method for deposition of thin-film coatings on surface of semiconductor heteroepitaxial structures by magnetron sputtering
CN110144560B (en) Composite surface modification method and device combining pulse magnetron sputtering and ion implantation
AU2001242287A1 (en) Method and device for plasma-treating the surface of substrates by ion bombardment
JPH10125495A (en) Phase control multi-electrode type alternating current discharge device using electrode placed in control
CN205710902U (en) Enhancement mode magnetron sputtering coil film coating equipment
Abrahamyan et al. Minimagnetrons and Their Supply.

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20090427

FZ9A Application not withdrawn (correction of the notice of withdrawal)

Effective date: 20090518

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130727