RU2007106832A - Способ отжига легированных структур - Google Patents
Способ отжига легированных структур Download PDFInfo
- Publication number
- RU2007106832A RU2007106832A RU2007106832/02A RU2007106832A RU2007106832A RU 2007106832 A RU2007106832 A RU 2007106832A RU 2007106832/02 A RU2007106832/02 A RU 2007106832/02A RU 2007106832 A RU2007106832 A RU 2007106832A RU 2007106832 A RU2007106832 A RU 2007106832A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- annealing
- doped structures
- annealing doped
- structures
- alloyed
- Prior art date
Links
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Claims (1)
- Способ отжига легированных структур, включающий способ обработки кремниевых подложек, где имплантированные слои могут быть подвергнуты лазерному отжигу, отличающийся тем, что температура подогрева легируемых пластин встроенными нагревателями равна - 600К, ток ионного пучка - 2 мА и диапазон энергии ионов равен 70±5 кЭв.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007106832/02A RU2368703C2 (ru) | 2007-02-22 | 2007-02-22 | Способ лазерного отжига кремниевой подложки, содержащей имплантированные слои |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007106832/02A RU2368703C2 (ru) | 2007-02-22 | 2007-02-22 | Способ лазерного отжига кремниевой подложки, содержащей имплантированные слои |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2007106832A true RU2007106832A (ru) | 2008-08-27 |
| RU2368703C2 RU2368703C2 (ru) | 2009-09-27 |
Family
ID=41169747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007106832/02A RU2368703C2 (ru) | 2007-02-22 | 2007-02-22 | Способ лазерного отжига кремниевой подложки, содержащей имплантированные слои |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2368703C2 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2567117C1 (ru) * | 2014-05-22 | 2015-11-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова | Способ отжига полупроводниковых структур |
| RU2660220C2 (ru) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ повышения эффективности легирования и изменения типа проводимости аморфного гидрогенизированного кремния, слабо легированного акцепторными примесями |
-
2007
- 2007-02-22 RU RU2007106832/02A patent/RU2368703C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2368703C2 (ru) | 2009-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2017058004A8 (en) | Method of manufacturing a solar cell | |
| JP2012503886A5 (ru) | ||
| WO2010077018A3 (en) | Laser firing apparatus for high efficiency solar cell and fabrication method thereof | |
| TW200601458A (en) | Microelectronic devices and fabrication methods thereof | |
| WO2010096646A3 (en) | Graphene processing for device and sensor applications | |
| TW200943495A (en) | Semiconductor substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing semiconductor device | |
| DE502007001732D1 (de) | Solarzellenmarkierverfahren und solarzelle | |
| JP2013214657A5 (ru) | ||
| EP2648235A3 (en) | Method of manufacturing photoelectric device | |
| EP2608280A3 (en) | Method for manufacturing a solar cell comprising ion implantation and selective activation of emitter regions via laser treatment | |
| SG139678A1 (en) | Method for producing bonded wafer | |
| JP2012146946A5 (ru) | ||
| WO2007121383A3 (en) | Method and apparatus to form thin layers of materials on a base | |
| SG139622A1 (en) | Monocrystalline semiconductor wafer comprising defect-reduced regions and method for producing it | |
| TW200943476A (en) | Manufacturing method of SOI substrate | |
| WO2011097056A3 (en) | Solar cells and methods of fabrication thereof | |
| JP2014518010A5 (ru) | ||
| TW201034233A (en) | Self-aligned selective emitter formed by counterdoping | |
| EP1744357A3 (en) | Method for manufacturing SIMOX wafer and SIMOX wafer | |
| WO2011107092A3 (de) | Verfahren zur dotierung eines halbleitersubstrats und solarzelle mit zweistufiger dotierung | |
| WO2011074909A3 (ko) | 태양전지의 선택적 에미터 형성방법 | |
| RU2007106832A (ru) | Способ отжига легированных структур | |
| WO2009026403A3 (en) | Semiconductor device formed with source/drain nitrogen implant | |
| WO2010042494A3 (en) | Reduced implant voltage during ion implantation | |
| TW201222674A (en) | Controlling laser annealed junction depth by implant modification |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20081008 |
|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20081008 |
|
| FZ9A | Application not withdrawn (correction of the notice of withdrawal) |
Effective date: 20081226 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20110223 |