RU2006142937A - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2006142937A RU2006142937A RU2006142937/28A RU2006142937A RU2006142937A RU 2006142937 A RU2006142937 A RU 2006142937A RU 2006142937/28 A RU2006142937/28 A RU 2006142937/28A RU 2006142937 A RU2006142937 A RU 2006142937A RU 2006142937 A RU2006142937 A RU 2006142937A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor device
- producing
- implantation
- dioxide layer
- silicon dioxide
- Prior art date
Links
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование в кремниевой подложке слоя диоксида кремния имплантацией ионов кислорода и последующего отжига, отличающийся тем, что слой диоксида кремния в кремниевой подложке формируют имплантацией ионов кислорода с последовательным набором суммарной интегральной дозы 1,5·1018 см-2 в три этапа (0,5·1018+0,5·1018+0,5·1018), с энергией 150-200 кэВ, при температуре подложки 550-650°С, с последующим отжигом в атмосфере аргона с добавлением 0,5%-ного кислорода при температуре 1150-1300°С в течение 4-6 ч, в каждом этапе.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006142937/28A RU2340038C2 (ru) | 2006-12-04 | 2006-12-04 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006142937/28A RU2340038C2 (ru) | 2006-12-04 | 2006-12-04 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2006142937A true RU2006142937A (ru) | 2008-06-10 |
| RU2340038C2 RU2340038C2 (ru) | 2008-11-27 |
Family
ID=39581192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006142937/28A RU2340038C2 (ru) | 2006-12-04 | 2006-12-04 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2340038C2 (ru) |
-
2006
- 2006-12-04 RU RU2006142937/28A patent/RU2340038C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2340038C2 (ru) | 2008-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200601458A (en) | Microelectronic devices and fabrication methods thereof | |
| TW200601407A (en) | Method for manufacturing semiconductor substrate and semiconductor substrate | |
| WO2008064246A3 (en) | Method of clustering sequential processing for a gate stack structure | |
| JP2011192958A5 (ru) | ||
| JP2010114432A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2008518475A5 (ru) | ||
| WO2008105136A1 (ja) | シリコン単結晶ウエーハの製造方法 | |
| EP1744357A3 (en) | Method for manufacturing SIMOX wafer and SIMOX wafer | |
| EP1858068A3 (en) | Method of fabricating a thin film transistor | |
| TW200707554A (en) | Offset spacers for CMOS transistors | |
| SG139678A1 (en) | Method for producing bonded wafer | |
| WO2005062345A3 (en) | A method of forming a silicon oxynitride layer | |
| TW200618305A (en) | Method of manufacturing thin film semiconductor device and thin film semiconductor device | |
| JP2011086840A5 (ru) | ||
| TW200746315A (en) | A method of forming a semiconductor structure | |
| WO2009026403A3 (en) | Semiconductor device formed with source/drain nitrogen implant | |
| SG136101A1 (en) | Method of producing simox wafer | |
| TW200625462A (en) | Semiconductor substrate comprising nanocrystal and non-nanocrystal devices, and method for simultaneous fabrication of the same | |
| WO2009054115A1 (ja) | ＳＯＩ（Silicon on insulator）構造の半導体装置およびその製造方法 | |
| TW200511438A (en) | Method for slowing down dopant-enhanced diffusion in substrates and devices fabricated therefrom | |
| WO2009141459A3 (en) | Method for manufacturing a photovoltaic cell structure | |
| TW200618299A (en) | Fabrication method of thin film transistor | |
| JP2008244019A5 (ru) | ||
| RU2006142937A (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| TW200737428A (en) | Method for making an integrated circuit having an embedded non-volatile memory |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20081205 |