RU2006129452A - Быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор с полосковыми резисторами - Google Patents

Быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор с полосковыми резисторами Download PDF

Info

Publication number
RU2006129452A
RU2006129452A RU2006129452/28A RU2006129452A RU2006129452A RU 2006129452 A RU2006129452 A RU 2006129452A RU 2006129452/28 A RU2006129452/28 A RU 2006129452/28A RU 2006129452 A RU2006129452 A RU 2006129452A RU 2006129452 A RU2006129452 A RU 2006129452A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photon detector
meander
strip
superconducting
strips
Prior art date
Application number
RU2006129452/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2327253C2 (ru
Inventor
Григорий Наумович Гольцман (RU)
Григорий Наумович Гольцман
Галина Меркурьевна Чулкова (RU)
Галина Меркурьевна Чулкова
Олег Валерьевич Окунев (RU)
Олег Валерьевич Окунев
Андрей Петрович Мельников (RU)
Андрей Петрович Мельников
Борис Моисеевич Воронов (RU)
Борис Моисеевич Воронов
Наталь Сергеевна Каурова (RU)
Наталья Сергеевна Каурова
Александр Александрович Корнеев (RU)
Александр Александрович Корнеев
Андрей Владимирович Антипов (RU)
Андрей Владимирович Антипов
Ольга В чеславовна Минаева (RU)
Ольга Вячеславовна Минаева
Александр Валерьевич Дивочий (RU)
Александр Валерьевич Дивочий
Original Assignee
Закрытое акционерное общество "Сверхпровод щие нанотехнологии" (ЗАО "Сконтел") (RU)
Закрытое акционерное общество "Сверхпроводящие нанотехнологии" (ЗАО "Сконтел")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Закрытое акционерное общество "Сверхпровод щие нанотехнологии" (ЗАО "Сконтел") (RU), Закрытое акционерное общество "Сверхпроводящие нанотехнологии" (ЗАО "Сконтел") filed Critical Закрытое акционерное общество "Сверхпровод щие нанотехнологии" (ЗАО "Сконтел") (RU)
Priority to RU2006129452/28A priority Critical patent/RU2327253C2/ru
Publication of RU2006129452A publication Critical patent/RU2006129452A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2327253C2 publication Critical patent/RU2327253C2/ru

Links

Landscapes

  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Claims (7)

1. Сверхпроводниковый однофотонный детектор, содержащий подложку, контактные площадки, размещенные на подложке, полоску, выполненную в форме меандра из тонкой пленки сверхпроводника, расположенную на подложке между контактными площадками и концы которой подсоединены к контактным площадкам, отличающийся тем, что сверхпроводящая полоска разделена на несколько полосок меньшей длины с меньшей кинетической индуктивностью, соединенных параллельно и подключенных к контактам через полосковые резисторы.
2. Сверхпроводниковый однофотонный детектор по п.1, отличающийся тем, что габариты полосок, выполненных в форме меандра, вписаны в квадрат со стороной 10 мкм.
3. Сверхпроводниковый однофотонный детектор по п.1, отличающийся тем, что ширина полосок, выполненных в форме меандра, выбрана в диапазоне 60÷150 нм, при этом величины зазоров внутри меандра между создающими его полосками выполнены в диапазоне 60÷150 нм.
4. Сверхпроводниковый однофотонный детектор по п.1, отличающийся тем, что каждая полоска подключена к контактным площадкам через одинаковые полосковые резисторы.
5. Сверхпроводниковый однофотонный детектор по п.1, отличающийся тем, что полоска, выполненная в форме меандра, исполнена с фактором заполнения k более 0,5, определяемым по формуле
k-a/b,
где а - ширина полоски меандра,
b - период меандра.
6. Сверхпроводниковый однофотонный детектор по п.1, отличающийся тем, что сверхпроводящие полоски, соединенные параллельно, выполнены прямолинейными.
7. Сверхпроводниковый однофотонный детектор по п.1, отличающийся тем, что сверхпроводящие полоски, соединенные параллельно, выполнены в виде меандра.
RU2006129452/28A 2006-08-15 2006-08-15 Быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор с полосковыми резисторами RU2327253C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006129452/28A RU2327253C2 (ru) 2006-08-15 2006-08-15 Быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор с полосковыми резисторами

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006129452/28A RU2327253C2 (ru) 2006-08-15 2006-08-15 Быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор с полосковыми резисторами

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2006129452A true RU2006129452A (ru) 2008-02-20
RU2327253C2 RU2327253C2 (ru) 2008-06-20

Family

ID=39266931

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006129452/28A RU2327253C2 (ru) 2006-08-15 2006-08-15 Быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор с полосковыми резисторами

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2327253C2 (ru)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008029722B3 (de) 2008-06-23 2009-12-17 Siemens Aktiengesellschaft Leiteranordnung für ein resistives Schaltelement mit wenigstens zwei Leiterverbünden aus supraleitenden Leiterbändern
RU2476373C1 (ru) * 2011-06-16 2013-02-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт") Способ изготовления сверхпроводниковых однофотонных детекторов
RU2506664C1 (ru) * 2012-10-02 2014-02-10 Закрытое акционерное общество "Сверхпроводниковые нанотехнологии" Способ прецизионного позиционирования чувствительного элемента фотонного детектора
RU2539771C1 (ru) * 2013-09-10 2015-01-27 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) Способ изготовления сверхпроводникового детектора
RU2581405C1 (ru) * 2015-02-05 2016-04-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" Способ изготовления сверхпроводящих многосекционных оптических детекторов
RU2609729C1 (ru) * 2015-11-02 2017-02-02 Закрытое акционерное общество "Сверхпроводниковые нанотехнологии" Сверхпроводниковый однофотонный детектор с управляемым эффектом памяти
EP3764068B1 (en) 2019-07-11 2023-11-29 Université de Genève Device and system for single photon detection using a plurality of superconducting detection means connected in parallel

Also Published As

Publication number Publication date
RU2327253C2 (ru) 2008-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2006129452A (ru) Быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор с полосковыми резисторами
ES2542754T3 (es) Cinta métrica con despliegue térmico y estructura desplegable que consta de dicha cinta métrica
JP2011029667A5 (ru)
DE502005007254D1 (de) Supraleitende strombegrenzereinrichtung vom resistiven typ mit bandförmiger hoch-tc-supraleiterbahn
WO2008036073A3 (en) High temperature superconducting wires and coils
JP2011166139A5 (ru)
JP2012119053A5 (ru)
TW200742057A (en) Spintronic devices with constrained spintronic dopant
JP2011077515A5 (ja) 半導体装置
JP2012018919A5 (ru)
ATE475992T1 (de) Resistive supraleitende strombegrenzereinrichtung mit bifilarer spulenwicklung aus hts-bandleitern und windungsabstandshalter
JP2009509776A5 (ru)
SG150465A1 (en) Layered-filament lattice for chemical mechanical polishing
Huang et al. Surface ligand engineering for a lead-free Cs3Cu2Br5 microcrystal-based humidity sensor with a giant response
JP2010232644A5 (ru)
TW200733379A (en) Electronic device including a poled superlattice having a net electrical dipole moment
JP2007522438A5 (ru)
CN107507884B (zh) 宽谱超导纳米线单光子探测器件
Ji et al. Graphene quantum dots as a highly efficient solution-processed charge trapping medium for organic nano-floating gate memory
Gogoi et al. Tuning of electrical hysteresis in PMMA/GOs/PMMA multi-stacked devices
ATE463049T1 (de) Supraleitende strombegrenzereinrichtung vom resistiven typ mit halteelement
MX152488A (es) Mejoras en dispositivo semiconductor con un sustrato voluminoso y una capa epitaxial desarrollada sobre el,y metodo para fabricar el mismo
Sherazi et al. Electroforming-free flexible organic resistive random access memory based on a nanocomposite of poly (3-hexylthiophene-2, 5-diyl) and orange dye with a low threshold voltage
Cai et al. Optimized photoelectric conversion properties of PbS x Se1− x-QD/MoS2-NT 0D–1D mixed-dimensional van der Waals heterostructures
JP2011523204A5 (ru)

Legal Events

Date Code Title Description
TK4A Correction to the publication in the bulletin (patent)

Free format text: AMENDMENT TO CHAPTER -FG4A- IN JOURNAL: 17-2008 FOR TAG: (73)

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20090816