RU2005107990A - METALIZED DIAMOND PLATE AND METHOD FOR PRODUCING IT - Google Patents

METALIZED DIAMOND PLATE AND METHOD FOR PRODUCING IT Download PDF

Info

Publication number
RU2005107990A
RU2005107990A RU2005107990/28A RU2005107990A RU2005107990A RU 2005107990 A RU2005107990 A RU 2005107990A RU 2005107990/28 A RU2005107990/28 A RU 2005107990/28A RU 2005107990 A RU2005107990 A RU 2005107990A RU 2005107990 A RU2005107990 A RU 2005107990A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diamond plate
diamond
layer
metallized
intermediate layer
Prior art date
Application number
RU2005107990/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2285977C1 (en
Inventor
Георгий Александрович Крысов (RU)
Георгий Александрович Крысов
Михаил Петрович Духновский (RU)
Михаил Петрович Духновский
Александра Константиновна Ратникова (RU)
Александра Константиновна Ратникова
Original Assignee
Федеральное государственное унитарное предпри тие"Научно-производственное предпри тие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU)
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное унитарное предпри тие"Научно-производственное предпри тие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU), Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") filed Critical Федеральное государственное унитарное предпри тие"Научно-производственное предпри тие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU)
Priority to RU2005107990/28A priority Critical patent/RU2285977C1/en
Publication of RU2005107990A publication Critical patent/RU2005107990A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2285977C1 publication Critical patent/RU2285977C1/en

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Claims (5)

1. Металлизированная пластина алмаза, содержащая промежуточный слой между пластиной алмаза и металлизацией в виде слоя материала промежуточного слоя и слоя соединения его с углеродом, обеспечивающий адгезию металла к алмазу, отличающийся тем, что промежуточный слой выполнен в виде слоя кремния толщиной 0,04-0,1 мкм и слоя соединения кремния с углеродом с концентрацией кремния в нем 1019-1021 ат/см3.1. A metallized diamond plate containing an intermediate layer between the diamond plate and metallization in the form of a layer of material of the intermediate layer and a layer of its connection with carbon, providing adhesion of the metal to diamond, characterized in that the intermediate layer is made in the form of a silicon layer with a thickness of 0.04-0 , 1 μm and a layer of a compound of silicon with carbon with a silicon concentration in it of 10 19 -10 21 at / cm 3 . 2. Металлизированная пластина алмаза по п.1, отличающаяся тем, что пластина алмаза может быть выполнена как из натурального так и искусственного (CVD) алмаза.2. The metallized diamond plate according to claim 1, characterized in that the diamond plate can be made from both natural and artificial (CVD) diamond. 3. Металлизированная пластина алмаза по п.1, отличающаяся тем, что пластина алмаза может быть металлизирована с обеих сторон.3. The metallized diamond plate according to claim 1, characterized in that the diamond plate can be metallized on both sides. 4. Способ изготовления металлизированной пластины алмаза, включающий формирование промежуточного слоя между пластиной алмаза и металлизацией, обеспечивающего адгезию металла к алмазу, и нанесение металлизации, отличающийся тем, что промежуточный слой формируют нанесением слоя кремния на пластину алмаза с последующим облучением его ускоренными ионами с массой равной или большей массы атомов кремния с энергией 30-200 кэВ и дозой облучения 100-1000 мкКл/см2.4. A method of manufacturing a metallized diamond plate, including the formation of an intermediate layer between the diamond plate and metallization, providing adhesion of the metal to the diamond, and applying metallization, characterized in that the intermediate layer is formed by applying a silicon layer to the diamond plate with subsequent irradiation with accelerated ions with a mass equal to or a larger mass of silicon atoms with an energy of 30-200 keV and an irradiation dose of 100-1000 μC / cm 2 . 5. Способ изготовления металлизированной пластины алмаза по п.4, отличающийся тем, что в качестве ускоренных ионов используют ионы аргона.5. A method of manufacturing a metallized diamond plate according to claim 4, characterized in that argon ions are used as accelerated ions.
RU2005107990/28A 2005-03-21 2005-03-21 Metal-plated diamond wafer and its manufacturing process RU2285977C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005107990/28A RU2285977C1 (en) 2005-03-21 2005-03-21 Metal-plated diamond wafer and its manufacturing process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005107990/28A RU2285977C1 (en) 2005-03-21 2005-03-21 Metal-plated diamond wafer and its manufacturing process

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005107990A true RU2005107990A (en) 2006-09-10
RU2285977C1 RU2285977C1 (en) 2006-10-20

Family

ID=37112252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005107990/28A RU2285977C1 (en) 2005-03-21 2005-03-21 Metal-plated diamond wafer and its manufacturing process

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2285977C1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150376804A1 (en) * 2014-06-26 2015-12-31 Vapor Technologies, Inc. Diamond Coated Electrodes for Electrochemical Processing and Applications Thereof

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2556271C1 (en) * 2013-12-30 2015-07-10 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина (АО "НПП "Исток" им. Шокина") Microwave integrated circuit
RU2599408C1 (en) * 2015-06-11 2016-10-10 Общество С Ограниченной Ответственностью "Твинн" Diamond heat sink
RU2589942C1 (en) * 2015-06-30 2016-07-10 Общество С Ограниченной Ответственностью "Твинн" Heat sink (versions)
RU2667360C1 (en) * 2017-03-29 2018-09-19 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики" Method for providing passive heat receptor of mobile device processing unit or laptop computer based on diamond-copper composite material and device for its implementation

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150376804A1 (en) * 2014-06-26 2015-12-31 Vapor Technologies, Inc. Diamond Coated Electrodes for Electrochemical Processing and Applications Thereof
US11085122B2 (en) * 2014-06-26 2021-08-10 Vapor Technologies, Inc. Diamond coated electrodes for electrochemical processing and applications thereof

Also Published As

Publication number Publication date
RU2285977C1 (en) 2006-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2005107990A (en) METALIZED DIAMOND PLATE AND METHOD FOR PRODUCING IT
WO2001036704A3 (en) Method and apparatus for forming carbonaceous film
JP2017510461A (en) Perforation of two-dimensional materials using a broad ion field
TW200943477A (en) Method for manufacturing SOI substrate
DK2034039T3 (en) Metallized foil and method for its preparation and use thereof
TW200710926A (en) Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device
CA2558131A1 (en) Medical devices including metallic films and methods for making same
FR2888663B1 (en) METHOD OF REDUCING THE ROUGHNESS OF A THICK LAYER OF INSULATION
TW200601407A (en) Method for manufacturing semiconductor substrate and semiconductor substrate
AU2003290815A8 (en) Atomic layer deposition methods
JP2010103510A5 (en) Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device
CA2473600A1 (en) Metal implant with biocidal metal ions absorbed in the surface
WO2008105101A1 (en) Process for producing laminated substrate and laminated substrate
TW200802329A (en) Modification
CN103833231B (en) A kind of have glass of graphene oxide nickel-phosphorus composite deposit and preparation method thereof
TW200615135A (en) Carrier film for ceramic green sheet, ceramic green sheet processing method using it and manufacturing method of electronic part
EP2018879A3 (en) Methods and compositions for creating an atomic composite of ceramics coated with titanium making use of coating methodology
Malyshev et al. Influence of deposition pressure and pulsed dc sputtering on pumping properties of Ti–Zr–V nonevaporable getter films
RU2015123046A (en) GLASS WITH OPTICALLY TRANSPARENT PROTECTIVE COATING AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE
ATE441217T1 (en) CYLINDRICAL ALKALINE BATTERY
JP2007500446A5 (en)
RU2011122477A (en) METHOD FOR PRODUCING ION-PLASMA COATING ON BLADES OF COMPRESSOR FROM TITANIUM ALLOYS
CN100435482C (en) Amorphous diamond intensified frequency substrate of thin-film sound surface wave device and its preparing method
WO2006043157A3 (en) Diamond coated surfaces
KR101857442B1 (en) METALIZING METHOD FOR SnSe THERMOELECTRIC MATERIALS, MULTILAYER METALIZING STRUCTURE FOR SnSe THERMOELECTRIC MATERIALS, SnSe THERMOELECTRIC MATERIALS WITH MULTILAYER METALIZING STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME

Legal Events

Date Code Title Description
PC43 Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions

Effective date: 20160225

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20210322