RU2005107863A - THICK-FILM CONTACT SILICON PHOTOELECTRIC CONVERTER AND METHOD FOR PRODUCING IT - Google Patents

THICK-FILM CONTACT SILICON PHOTOELECTRIC CONVERTER AND METHOD FOR PRODUCING IT Download PDF

Info

Publication number
RU2005107863A
RU2005107863A RU2005107863/28A RU2005107863A RU2005107863A RU 2005107863 A RU2005107863 A RU 2005107863A RU 2005107863/28 A RU2005107863/28 A RU 2005107863/28A RU 2005107863 A RU2005107863 A RU 2005107863A RU 2005107863 A RU2005107863 A RU 2005107863A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
conductors
conductive conductors
narrow
metal coating
wide
Prior art date
Application number
RU2005107863/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2303830C2 (en
Inventor
Игорь Васильевич Попов (RU)
Игорь Васильевич Попов
Вера Ивановна Орищенко (RU)
Вера Ивановна Орищенко
Алексей Викторович Кузнецов (RU)
Алексей Викторович Кузнецов
Владимир Михайлович Яковлев (RU)
Владимир Михайлович Яковлев
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "СОЛЭКС"(ООО "СОЛЭКС") (RU)
Общество с ограниченной ответственностью "СОЛЭКС"(ООО "СОЛЭКС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "СОЛЭКС"(ООО "СОЛЭКС") (RU), Общество с ограниченной ответственностью "СОЛЭКС"(ООО "СОЛЭКС") filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "СОЛЭКС"(ООО "СОЛЭКС") (RU)
Priority to RU2005107863/28A priority Critical patent/RU2303830C2/en
Publication of RU2005107863A publication Critical patent/RU2005107863A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2303830C2 publication Critical patent/RU2303830C2/en

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Claims (14)

1. Толстопленочный контакт кремниевого фотоэлектрического преобразователя, включающий по меньшей мере узкие токопроводящие проводники с металлическим покрытием, проходящие вдоль одной оси фотоэлектрического преобразователя на расстоянии шага друг от друга, и широкие токопроводящие проводники, проходящие параллельно другой его оси на одинаковом расстоянии по обе стороны от нее для присоединения токоотводящих проводников, отличающийся тем, что металлическое покрытие расположено на расстоянии не более трех миллиметров от краев широких токопроводящих проводников и имеет общую площадь не менее 95% площади поверхности всех узких токопроводящих проводников.1. The thick-film contact of the silicon photovoltaic converter, including at least narrow conductors with a metal coating extending along one axis of the photovoltaic converter at a step distance from each other, and wide conductors running parallel to its other axis at the same distance on both sides of it for connecting down conductors, characterized in that the metal coating is located at a distance of not more than three millimeters from the edges of the wide x conductive wire and has a total area of at least 95% of the surface area of the narrow conductive wires. 2. Толстопленочный контакт по п.1, отличающийся тем, что металлическое покрытие выполнено с одинаковым или различным отступом от краев широких токопроводящих проводников на каждом узком токопроводящем проводнике.2. The thick-film contact according to claim 1, characterized in that the metal coating is made with the same or different indentation from the edges of the wide conductive conductors on each narrow conductive conductor. 3. Толстопленочный контакт по п.1, отличающийся тем, что металлическое покрытие по меньшей мере на одном узком токопроводящем проводнике расположено непосредственно у края широкого токопроводящего проводника.3. The thick-film contact according to claim 1, characterized in that the metal coating on at least one narrow conductive conductor is located directly at the edge of the wide conductive conductor. 4. Толстопленочный контакт по п.1, отличающийся тем, что узкие токопроводящие проводники выполнены в виде токосборных полос.4. The thick-film contact according to claim 1, characterized in that the narrow conductive conductors are made in the form of collector strips. 5. Толстопленочный контакт по п.1, отличающийся тем, что узкие токопроводящие проводники выполнены в виде токосборных полос с уширительными площадками, расположенными в местах пересечения узких и широких токопроводящих проводников.5. The thick-film contact according to claim 1, characterized in that the narrow conductive conductors are made in the form of collector strips with broadening pads located at the intersection of narrow and wide conductive conductors. 6. Толстопленочный контакт по п.1, отличающийся тем, что металлическое покрытие выполнено из никеля.6. Thick film contact according to claim 1, characterized in that the metal coating is made of nickel. 7. Способ получения толстопленочного контакта к кремниевым фотоэлектрическим преобразователям, включающий изготовление толстопленочного контакта, имеющего узкие токопроводящие проводники, проходящие на расстоянии шага друг от друга вдоль одной оси фотоэлектрического преобразователя, и более широкие токопроводящие проводники, проходящие вдоль другой его оси на одинаковом расстоянии по обе стороны от нее для присоединения токоотводящих проводников, и нанесение металлического покрытия на узкие токопроводящие проводники, отличающийся тем, что перед нанесением металлического покрытия осуществляют защиту по меньшей мере всей поверхности широких токопроводящих проводников от попадания материала металлического покрытия, применяя средства защиты, нанесение слоя металлического покрытия осуществляют на расстоянии, не превышающем три миллиметра от краев широких токопроводящих проводников, с покрытием не менее 95% общей площади поверхности узких токопроводящих проводников, при этом после нанесения металлического покрытия средства защиты удаляют.7. A method of obtaining a thick film contact to silicon photoelectric converters, including the manufacture of a thick film contact having narrow conductive conductors passing at a step distance from each other along one axis of the photoelectric converter, and wider conductive conductors passing along its other axis at the same distance on both sides thereof for attaching current conducting conductors, and applying a metal coating to narrow conductive conductors, different I mean that before applying a metal coating, at least the entire surface of the wide conductive conductors is protected from ingress of the metal coating material, using protective equipment, the metal coating is applied at a distance not exceeding three millimeters from the edges of the wide conductive conductors, with a coating of at least 95% of the total surface area of narrow conductive conductors, while after applying a metal coating, the protective equipment is removed. 8. Способ по п.7, отличающийся тем, что перед нанесением металлического покрытия осуществляют защиту всей поверхности широких токопроводящих проводников и части поверхности узких токопроводящих проводников.8. The method according to claim 7, characterized in that before applying the metal coating, protect the entire surface of the wide conductive conductors and part of the surface of the narrow conductive conductors. 9. Способ по п.8, отличающийся тем, что защиту всей поверхности широких токопроводящих проводников и части поверхности узких токопроводящих проводников осуществляют облуживанием припоем с применением низкоактивных флюсов.9. The method according to claim 8, characterized in that the protection of the entire surface of the wide conductive conductors and part of the surface of the narrow conductive conductors is performed by tinning with solder using low-activity fluxes. 10. Способ по п.8, отличающийся тем, что защиту всей поверхности широких токопроводящих проводников и части поверхности узких токопроводящих проводников осуществляют маскирующим шаблоном.10. The method according to claim 8, characterized in that the protection of the entire surface of the wide conductive conductors and part of the surface of the narrow conductive conductors is carried out with a masking pattern. 11. Способ по п.8, отличающийся тем, что защиту всей поверхности широких токопроводящих проводников и части поверхности узких токопроводящих проводников осуществляют пленочным покрытием, в том числе из лака, канифольного флюса, смолы.11. The method according to claim 8, characterized in that the entire surface of the wide conductive conductors and part of the surface of the narrow conductive conductors are protected by a film coating, including varnish, rosin flux, resin. 12. Способ по п.7, отличающийся тем, что металлическое покрытие выполнено из никеля.12. The method according to claim 7, characterized in that the metal coating is made of nickel. 13. Способ по п.7, отличающийся тем, что узкие токопроводящие проводники выполнены в форме токосборных полос.13. The method according to claim 7, characterized in that the narrow conductive conductors are made in the form of current collecting strips. 14. Способ по п.7, отличающийся тем, что узкие токопроводящие проводники выполнены в форме токосборных полос с уширительными площадками, расположенными в местах пересечения узких и широких токопроводящих проводников.14. The method according to claim 7, characterized in that the narrow conductive conductors are made in the form of current collecting strips with broadening pads located at the intersection of narrow and wide conductive conductors.
RU2005107863/28A 2005-03-21 2005-03-21 Thick-film contact of silicon photoelectric converter and its manufacturing process RU2303830C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005107863/28A RU2303830C2 (en) 2005-03-21 2005-03-21 Thick-film contact of silicon photoelectric converter and its manufacturing process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005107863/28A RU2303830C2 (en) 2005-03-21 2005-03-21 Thick-film contact of silicon photoelectric converter and its manufacturing process

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005107863A true RU2005107863A (en) 2006-09-10
RU2303830C2 RU2303830C2 (en) 2007-07-27

Family

ID=37112201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005107863/28A RU2303830C2 (en) 2005-03-21 2005-03-21 Thick-film contact of silicon photoelectric converter and its manufacturing process

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2303830C2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2714047C1 (en) * 2018-12-10 2020-02-12 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) Protective coating of photoelectric converter

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4377C1 (en) * 2010-05-19 2016-05-31 Вильгельм КОСОВ Semiconductor photoelectric converter and method for manufacturing thereof
RU2487438C1 (en) * 2011-11-10 2013-07-10 Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева" Photocell of space laser radiation detector-converter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2714047C1 (en) * 2018-12-10 2020-02-12 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) Protective coating of photoelectric converter

Also Published As

Publication number Publication date
RU2303830C2 (en) 2007-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5717255A (en) Semiconductor device
KR20080026568A (en) Electrical connection element
JP3548246B2 (en) Photovoltaic element and method for manufacturing the same
US4862134A (en) Electrical fuse and method for its production
US20120204938A1 (en) Interconnect technologies for back contact solar cells and modules
TW201133897A (en) Photovoltaic cell with efficient finger and tab layout
WO2009143931A2 (en) Solar cell module
KR20150088784A (en) Photovoltaic apparatus
KR20080034858A (en) Electrical connecting element
US20130160815A1 (en) Photovoltaic Cell Having Discontinuous Conductors
JP2015528645A (en) A method for improving the adhesion of plated metal layers to silicon.
US9496423B2 (en) Light converter
RU2005107863A (en) THICK-FILM CONTACT SILICON PHOTOELECTRIC CONVERTER AND METHOD FOR PRODUCING IT
CA2595516A1 (en) Lead free desoldering braid
JP6064769B2 (en) Solar cell module and solar cell
KR20140041723A (en) Photovoltaic cell and method of manufacturing such a cell
CN100517545C (en) Surface-adhered fuse production method
JP6932659B2 (en) Solar cells and solar cell manufacturing methods
JP2004281800A (en) Solar cell module
WO2011152372A1 (en) Solar cell module and method for manufacturing same
US20180309009A1 (en) Ageing-resistant aluminium connectors for solar cells
KR20110007448A (en) Solar cell modules and manufacturing methods thereof
JP2006332667A5 (en)
US20230178669A1 (en) Photovoltaic string and associated methods
US10074464B2 (en) Chip resistor and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20070322