RU2004137346A - Пиксельная функционально-интегрированная структура детектора - Google Patents

Пиксельная функционально-интегрированная структура детектора Download PDF

Info

Publication number
RU2004137346A
RU2004137346A RU2004137346/28A RU2004137346A RU2004137346A RU 2004137346 A RU2004137346 A RU 2004137346A RU 2004137346/28 A RU2004137346/28 A RU 2004137346/28A RU 2004137346 A RU2004137346 A RU 2004137346A RU 2004137346 A RU2004137346 A RU 2004137346A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
pixel
region
functionally
type
detector structure
Prior art date
Application number
RU2004137346/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2360327C2 (ru
Inventor
Виктор Николаевич Мурашев (RU)
Виктор Николаевич Мурашев
Геннадий Иосифович Кольцов (RU)
Геннадий Иосифович Кольцов
Александр Поликарпович Чубенко (RU)
Александр Поликарпович Чубенко
Рауф Адгамович Мухамедшин (RU)
Рауф Адгамович Мухамедшин
Александр Львович Мельников (RU)
Александр Львович Мельников
Василий Андреевич Удалов (RU)
Василий Андреевич Удалов
Павел Сергеевич Приходько (RU)
Павел Сергеевич Приходько
Original Assignee
Василий Андреевич Удалов (RU)
Василий Андреевич Удалов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Василий Андреевич Удалов (RU), Василий Андреевич Удалов filed Critical Василий Андреевич Удалов (RU)
Priority to RU2004137346/28A priority Critical patent/RU2360327C2/ru
Publication of RU2004137346A publication Critical patent/RU2004137346A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2360327C2 publication Critical patent/RU2360327C2/ru

Links

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Claims (1)

  1. Пиксельная функционально-интегрированная структура детектора релятивистских частиц, содержащая в подложке биполярную n-p-n/р-n-р/-типа транзисторную структуру, базовая область которой через резистор подключена к общей шине, коллекторная область подключена к шине питания, а эмиттерная область - к выходному электроду, отличающаяся тем, что содержит p-i-n диод, область р/n/-типа проводимости которого совмещена /соединена/ с базовой областью транзистора, область i-типа проводимости совмещена с подложкой, которая имеет омический контакт n+-/р/ типа проводимости, подключенной к дополнительному источнику напряжения.
RU2004137346/28A 2004-12-21 2004-12-21 Пиксельная функционально-интегрированная структура детектора RU2360327C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004137346/28A RU2360327C2 (ru) 2004-12-21 2004-12-21 Пиксельная функционально-интегрированная структура детектора

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004137346/28A RU2360327C2 (ru) 2004-12-21 2004-12-21 Пиксельная функционально-интегрированная структура детектора

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004137346A true RU2004137346A (ru) 2006-06-10
RU2360327C2 RU2360327C2 (ru) 2009-06-27

Family

ID=36712050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004137346/28A RU2360327C2 (ru) 2004-12-21 2004-12-21 Пиксельная функционально-интегрированная структура детектора

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2360327C2 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8895995B2 (en) 2012-09-24 2014-11-25 International Business Machines Corporation Lateral silicon-on-insulator bipolar junction transistor radiation dosimeter

Also Published As

Publication number Publication date
RU2360327C2 (ru) 2009-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013073992A5 (ja) 集積回路及び回路
EP1684356A3 (en) Bipolar junction transistor
EP1729345A3 (en) Semiconductor device having a diode for a rectifier circuit
JP2009164415A (ja) 半導体装置
TW200729697A (en) Power amplifier
RU2004137346A (ru) Пиксельная функционально-интегрированная структура детектора
CN101667575B (zh) 多沟道电流扩展型半导体恒电流二极管
JPH0173953U (ru)
CN101000931B (zh) P沟道大功率半导体恒电流二极管及其制作方法
KR20120068142A (ko) 방전소자
JP2000331490A5 (ru)
TWM323156U (en) Power protection circuit
JP2000114659A5 (ru)
RU2005105928A (ru) Транзисторный ключ
KR970053792A (ko) 반도체 장치의 보호 소자
RU2008115083A (ru) Дифференциальный усилитель с низкоомными входами
JP5750723B2 (ja) 半導体デバイスの増幅率の電流変化に対する変化の抑制方法、光電変換素子および半導体デバイスの製造方法
US6624502B2 (en) Method and device for limiting the substrate potential in junction isolated integrated circuits
JP3135363B2 (ja) 半導体集積回路
US20110221275A1 (en) High output impedance current source
JP2011066244A5 (ru)
JPH09283755A (ja) 半導体装置
RU2008109771A (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
CN204616170U (zh) 一种led爆闪灯电路
JP2006178429A5 (ru)

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20091222