RU2004121265A - Датчик диоксида азота - Google Patents

Датчик диоксида азота Download PDF

Info

Publication number
RU2004121265A
RU2004121265A RU2004121265/28A RU2004121265A RU2004121265A RU 2004121265 A RU2004121265 A RU 2004121265A RU 2004121265/28 A RU2004121265/28 A RU 2004121265/28A RU 2004121265 A RU2004121265 A RU 2004121265A RU 2004121265 A RU2004121265 A RU 2004121265A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
nitrogen dioxide
dioxide sensor
substrate
semiconductor base
electrode pad
Prior art date
Application number
RU2004121265/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2274853C1 (ru
Inventor
Ираида Алексеевна Кировска (RU)
Ираида Алексеевна Кировская
ева Оксана Анатольевна Фед (RU)
Оксана Анатольевна Федяева
Елена Валерьевна Миронова (RU)
Елена Валерьевна Миронова
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образовани "Омский государственный технический университет" (RU)
Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Омский Государственный Технический Университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образовани "Омский государственный технический университет" (RU), Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Омский Государственный Технический Университет" filed Critical Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образовани "Омский государственный технический университет" (RU)
Priority to RU2004121265/28A priority Critical patent/RU2274853C1/ru
Publication of RU2004121265A publication Critical patent/RU2004121265A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2274853C1 publication Critical patent/RU2274853C1/ru

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Claims (1)

  1. Датчик диоксида азота, содержащий полупроводниковое основание и подложку, отличающийся тем, что полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки теллурида кадмия, легированного антимонидом индия, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого генератора.
RU2004121265/28A 2004-07-12 2004-07-12 Датчик диоксида азота RU2274853C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004121265/28A RU2274853C1 (ru) 2004-07-12 2004-07-12 Датчик диоксида азота

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004121265/28A RU2274853C1 (ru) 2004-07-12 2004-07-12 Датчик диоксида азота

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004121265A true RU2004121265A (ru) 2006-01-10
RU2274853C1 RU2274853C1 (ru) 2006-04-20

Family

ID=35872216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004121265/28A RU2274853C1 (ru) 2004-07-12 2004-07-12 Датчик диоксида азота

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2274853C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2526225C1 (ru) * 2013-02-07 2014-08-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" Газовый датчик

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2526226C1 (ru) * 2013-02-08 2014-08-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" Полупроводниковый газоанализатор
RU2561019C1 (ru) * 2014-04-16 2015-08-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" Полупроводниковый анализатор диоксида азота
RU2637791C1 (ru) * 2016-07-12 2017-12-08 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" Полупроводниковый датчик оксида углерода
RU2636411C1 (ru) * 2016-07-19 2017-11-23 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" Датчик диоксида азота
RU2697920C1 (ru) * 2019-03-21 2019-08-21 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" Полупроводниковый датчик диоксида азота
RU2745943C1 (ru) * 2020-08-20 2021-04-05 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Омский государственный технический университет» Датчик диоксида азота

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2526225C1 (ru) * 2013-02-07 2014-08-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" Газовый датчик

Also Published As

Publication number Publication date
RU2274853C1 (ru) 2006-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2091086A3 (fr) Dispositif semi-conducteur a heterojonctions
EP1624544A3 (en) Nitride semiconductor light-Emitting Device
TW200625465A (en) High mobility tri-gate devices and methods of fabrication
TW200737502A (en) Phase-change memory device and methods of fabricating the same
ATE512465T1 (de) Verspannte halbleiter-einrichtungsstrukturen mit granularem halbleitermaterial
EP1624489A3 (en) Flat panel display device with reduced cross-talk
DE50308799D1 (de) Vorrichtung mit solarzellenanordnung und flüssigkristallanzeige
DE60318168D1 (de) Bildsensor mit größeren Mikrolinsen in den Randbereichen
EP1944806A3 (en) Highly sensitive photo-sensing element and photo-sensing device using the same
EP1684349A3 (en) Image sensor and pixel having an lightly doped floating diffusion
EP2219227A3 (en) Solar cell
EP2833411A3 (en) Semiconductor device comprising a MIS transistor
AU2003303492A8 (en) Semiconductor devices with reduced active region defects and unique contacting schemes
DE602004018603D1 (de) Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung und Bildaufnahmesystem
TW200636255A (en) High voltage sensor device and method therefor
EP1909326A4 (en) SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ELECTRICAL DEVICE
JP2012129234A5 (ru)
ATE506676T1 (de) Dünnfilm-speicherbaustein mit variablem widerstand
RU2004121265A (ru) Датчик диоксида азота
RU2008116353A (ru) Газовый датчик
WO2004001854A3 (en) Semiconductor device with edge structure
RU2008116123A (ru) Газовый датчик
RU2004123814A (ru) Пьезорезонансный газовый датчик
JP2004253817A5 (ru)
RU2010131326A (ru) Нанополупроводниковый газовый датчик

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20070713