Claims (8)
1. Прибор с возможностью матричной адресации, содержащий одно или более запоминающих устройств с ячейками (5) памяти, выполненными с возможностью переключения в нескольких направлениях, организованными в виде массива пассивных элементов с возможностью матричной адресации и содержащими запоминающую среду в виде ферроэлектрического или электретного тонкопленочного запоминающего материала, способного к поляризации под действием приложенного электрического поля и проявляющего гистерезисные свойства, при этом, по меньшей мере, одно запоминающее устройство содержит, по меньшей мере, два, но не более чем три набора (Е) электродов, причем первый набор (Е) электродов указанного, по меньшей мере, одного запоминающего устройства, являющегося либо единственным запоминающим устройством прибора, либо первым из двух или большего числа содержащихся в нем запоминающих устройств, снабжен изолирующей подложкой (1), отличающийся тем, что первый набор (Е1) электродов содержит параллельные пространственно разделенные полосковые электроды (ε1) шириной w и высотой Н, пространственно отделенные и электрически изолированные друг от друга участками (2а) изолирующего тонкопленочного материала, находящегося между электродами (ε1) и покрывающего их боковые кромки в виде слоя толщиной δ, составляющей малую часть ширины w электрода, а электроды (ε1) имеют большое отношение H/w высоты профиля к ширине, причем первый набор (Е1) электродов содержит на верхней поверхности множество параллельных канавок (3), которые ориентированы перпендикулярно продольной оси электродов (ε1), имеют ширину, примерно равную ширине w электродов, и углублены вниз от верхней поверхности электродов (ε1) на расстояние h, составляющее около половины высоты Н электрода, при этом канавки (3) отделены одна от другой расстоянием, примерно равным ширине w электродов, а, по меньшей мере, боковые стенки канавок (3) покрыты тонкой пленкой (4а) запоминающего материала, тогда как их нижняя поверхность покрыта изолирующей тонкой пленкой (4b), которая также может быть выполнена из запоминающего материала, при этом в канавках (3) находятся электроды (ε2), составляющие второй набор (Е2) электродов, которые контактируют и граничат с тонкопленочным запоминающим материалом (4а, 4b), так что помещенный в канавки (3) запоминающий материал образует ячейки (5) памяти запоминающего устройства, а индивидуальная ячейка (5) памяти в каждом случае определяется объемом запоминающего материала, расположенного между одним электродом (ε1) из первого набора электродов и одним электродом (ε2) из второго набора электродов в зоне их пересечения, благодаря чему имеется возможность приводить ячейку (5) памяти в поляризованное состояние и переключать в поперечных направлениях перпендикулярно боковым стенкам канавки (3) и в третьем направлении, перпендикулярном нижней поверхности канавки (3), при условии, что указанная нижняя поверхность также покрыта запоминающим материалом.1. The device with the possibility of matrix addressing, containing one or more memory devices with cells (5) memory, configured to switch in several directions, organized in the form of an array of passive elements with the possibility of matrix addressing and containing a storage medium in the form of a ferroelectric or electret thin-film storage a material capable of polarization under the influence of an applied electric field and exhibiting hysteretic properties, with at least one The other device contains at least two, but no more than three sets of (E) electrodes, the first set (E) of electrodes of said at least one storage device being either the only storage device of the device or the first of two or a larger number of storage devices contained therein, is equipped with an insulating substrate (1), characterized in that the first set (E1) of electrodes contains parallel spatially separated strip electrodes (ε1) of width w and height H, spatially separated e and electrically isolated from each other by sections (2a) of an insulating thin-film material located between the electrodes (ε1) and covering their lateral edges in the form of a layer of thickness δ, which makes up a small part of the electrode width w, and the electrodes (ε1) have a large H / w ratio the height of the profile to the width, and the first set (E1) of electrodes contains on the upper surface many parallel grooves (3), which are oriented perpendicular to the longitudinal axis of the electrodes (ε1), have a width approximately equal to the width w of the electrodes, and recessed down the upper surface of the electrodes (ε1) by a distance h of about half the height H of the electrode, while the grooves (3) are separated from each other by a distance approximately equal to the width w of the electrodes, and at least the side walls of the grooves (3) are covered with a thin film (4a) of the storage material, while their lower surface is covered with an insulating thin film (4b), which can also be made of storage material, while in the grooves (3) are the electrodes (ε2) that make up the second set (E2) of electrodes that contact and border with thin-film storage material (4a, 4b), so that the storage material placed in the grooves (3) forms the memory cells (5) of the storage device, and the individual memory cell (5) in each case is determined by the volume of the storage material located between one electrode (ε1 ) from the first set of electrodes and one electrode (ε2) from the second set of electrodes in the zone of their intersection, so that it is possible to bring the memory cell (5) into a polarized state and switch perpendicularly in transverse directions about the side walls of the groove (3) and in a third direction perpendicular to the bottom surface of the groove (3), provided that the bottom surface is also covered with storage material.
2. Прибор по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, одно запоминающее устройство содержит третий набор (Е3) электродов, при этом поверх верхних поверхностей электродов (ε1, ε2) первого и второго наборов (Е1, Е2) электродов нанесена изолирующая тонкая пленка (4), которая, по меньшей мере, в своей части (4с), покрывающей верхние поверхности электродов (ε2) второго набора (Е2) электродов, выполнена из запоминающего материала, причем электроды (ε3) третьего набора (Е3) электродов, аналогично электродам первого набора (Е1) электродов, находятся в контакте и граничат с изолирующей тонкой пленкой (4) и ориентированы в том же направлении, что и электроды первого набора, перпендикулярно электродам (ε2) второго набора (Е2), так что любой электрод (ε3) третьего набора (Е3) электродов совмещен по вертикали с соответствующим электродом (ε1) первого набора (Е1) электродов, а каждая ячейка (5) памяти определяется тонкой пленкой (4а, 4b, 4с) запоминающего материала, покрывающей электрод (ε2) второго набора (Е2) в зоне его пересечения с электродами (ε1, ε3) первого и третьего наборов (Е1, Е3), с обеспечением возможности осуществлять поляризацию и переключение любой ячейки (5) памяти в четвертом направлении, перпендикулярном верхней поверхности электрода (ε2) второго набора (Е2) электродов.2. The device according to claim 1, characterized in that at least one storage device contains a third set of electrodes (E3), while on top of the upper surfaces of the electrodes (ε1, ε2) of the first and second sets of electrodes (E1, E2) an insulating thin film (4), which, at least in its part (4c), covering the upper surfaces of the electrodes (ε2) of the second set of electrodes (E2), is made of a storage material, the electrodes (ε3) of the third set of electrodes (E3) , similarly to the electrodes of the first set (E1) of electrodes, are in contact and bordering the insulating thin film (4) and oriented in the same direction as the electrodes of the first set, perpendicular to the electrodes (ε2) of the second set (E2), so that any electrode (ε3) of the third set (E3) of electrodes is aligned vertically with the corresponding electrode (ε1) of the first set (E1) of electrodes, and each memory cell (5) is determined by a thin film (4a, 4b, 4c) of storage material covering the electrode (ε2) of the second set (E2) in the zone of its intersection with the electrodes (ε1 , ε3) of the first and third sets (E1, E3), with the possibility of wasp Carry out polarization and switching of any memory cell (5) in the fourth direction, perpendicular to the upper surface of the electrode (ε2) of the second set (E2) of electrodes.
3. Прибор по п.2, отличающийся тем, что два или более запоминающих устройств объединены в вертикальный многоуровневый пакет, при этом верхние поверхности электродов (ε3) третьего набора покрыты изолирующей пластиной (1’), а все запоминающие устройства установлены одно над другим и отделены друг от друга изолирующими пластинами (1’) с образованием прибора, обеспечивающего возможность объемного хранения данных.3. The device according to claim 2, characterized in that two or more storage devices are combined in a vertical multilevel package, while the upper surfaces of the electrodes (ε3) of the third set are covered with an insulating plate (1 '), and all storage devices are installed one above the other and separated from each other by insulating plates (1 ') with the formation of the device, providing the possibility of bulk data storage.
4. Прибор по п.1, отличающийся тем, что два или более запоминающих устройств собраны в вертикальный пакет, при этом электроды первого набора (Е1) и электроды второго набора (Е2) каждого запоминающего устройства совмещены по вертикали с электродами соответствующих наборов (Е1, Е2) всех других запоминающих устройств, входящих в пакет, а каждое запоминающее устройство в пакете отделено от любого смежного запоминающего устройства посредством нанесенной на верхние поверхности электродов (ε1, ε2) изолирующей тонкой пленки (4), причем изолирующая тонкая пленка (4), по меньшей мере, на тех участках (4с), где электроды (ε2) второго набора (E2) пересекаются с электродами (ε1) первого набора (Е1) смежного запоминающего устройства, выполняется из запоминающего материала, который на указанных участках (4с) может быть поляризован или переключен в четвертом направлении, перпендикулярном верхней поверхности электродов (ε2) второго набора (E2), путем приложения электрического поля между указанными электродами и пересекающимися с ними электродами (ε1) первого набора (Е1) смежного запоминающего устройства, а ячейки (5) памяти определяются запоминающим материалом, окружающим электроды (ε2) второго набора (E2) в местах их пересечения с электродами (ε1) первого набора (Е1) данного запоминающего устройства и смежного запоминающего устройства, входящего в состав пакета, с формированием прибора, способного к объемному хранению данных, причем первый набор (Е1) электродов из второго запоминающего устройства по высоте пакета выполняет функции третьего набора электродов для нижележащего смежного запоминающего устройства.4. The device according to claim 1, characterized in that two or more storage devices are assembled in a vertical package, while the electrodes of the first set (E1) and the electrodes of the second set (E2) of each storage device are aligned vertically with the electrodes of the respective sets (E1, E2) of all other storage devices included in the package, and each storage device in the package is separated from any adjacent storage device by means of an insulating thin film (4) deposited on the upper surfaces of the electrodes (ε1, ε2), moreover, the insulating thin I film (4), at least in those areas (4c) where the electrodes (ε2) of the second set (E2) intersect with the electrodes (ε1) of the first set (E1) of the adjacent storage device, is made of storage material, which sections (4c) can be polarized or switched in the fourth direction perpendicular to the upper surface of the electrodes (ε2) of the second set (E2), by applying an electric field between these electrodes and the electrodes intersecting with them (ε1) of the first set (E1) of the adjacent storage device, but memory cells (5) are determined by the storage material surrounding the electrodes (ε2) of the second set (E2) at their intersections with the electrodes (ε1) of the first set (E1) of this storage device and the adjacent storage device included in the package, with the formation of the device, capable of bulk data storage, the first set (E1) of electrodes from the second storage device in height of the packet performs the functions of the third set of electrodes for the underlying adjacent storage device.
5. Прибор по п.1, отличающийся тем, что изолирующий тонкопленочный материал (4) представляет собой ферроэлектрический или электретный материал.5. The device according to claim 1, characterized in that the insulating thin-film material (4) is a ferroelectric or electret material.
6. Прибор по п.1, отличающийся тем, что запоминающий материал является полимерным или сополимерным материалом.6. The device according to claim 1, characterized in that the storage material is a polymeric or copolymer material.
7. Прибор по п.1, отличающийся тем, что изолирующий тонкопленочный материал (4) и запоминающий материал представляют собой один и тот же материал.7. The device according to claim 1, characterized in that the insulating thin-film material (4) and the storage material are one and the same material.
8. Прибор по п.7, отличающийся тем, что запоминающий материал является полимерным или сополимерным материалом.8. The device according to claim 7, characterized in that the storage material is a polymeric or copolymer material.