Claims (18)
1. Способ выполнения операций записи и считывания в памяти с пассивной матричной адресацией, образованной набором ячеек памяти, содержащих электрически поляризуемый материал, обладающий свойством остаточной поляризации, предпочтительно электрет или ферроэлектрик, причем логическое значение, хранящееся в ячейке памяти, выражается действительным состоянием поляризации в данной ячейке и определяется по потоку зарядов в ячейку или из нее в ответ на подачу напряжений к числовым и разрядным шинам, служащим для адресации ячеек памяти, образующих указанный набор, а определение потока зарядов предпочтительно основывается на детектировании компонента потока заряда, обусловленного изменением поляризации в указанном поляризуемом материале, тогда как операции записи и считывания осуществляются под управлением контура управления, отличающийся тем, что регистрируют динамический отклик в форме изменения потока заряда для одной или более ячеек памяти во время операции записи или считывания с ограничением степени поляризации поляризуемого материала во время каждого цикла записи или считывания значением, зависящим от зарегистрированного динамического отклика, определенного контуром управления, при этом управление операциями считывания и записи осуществляют в соответствии с информацией о действительных мгновенных значениях указанного отклика при нахождении указанного значения в интервале между уровнем, превышающим нулевой, и верхним пределом, который выбирают меньшим, чем уровень насыщения поляризации, и соответствующим заданному критерию надежности определения логического состояния ячейки памяти.1. A method of performing write and read operations in memory with a passive matrix addressing formed by a set of memory cells containing an electrically polarizable material having the property of residual polarization, preferably an electret or a ferroelectric, and the logical value stored in the memory cell is expressed by the actual state of polarization in this cell and is determined by the flow of charges into or out of the cell in response to the supply of voltages to the numerical and bit buses serving to address the memory cells, the image the specified set, and the determination of the charge flow is preferably based on the detection of the charge flow component due to a change in polarization in the specified polarizable material, while the write and read operations are carried out under the control of the control circuit, characterized in that they record a dynamic response in the form of a change in charge flow for one or more memory cells during a write or read operation with a limitation of the degree of polarization of the polarizable material during each recording cycle and or reading a value depending on the registered dynamic response determined by the control loop, while controlling the read and write operations is carried out in accordance with information about the actual instantaneous values of the specified response when the specified value is in the interval between the level exceeding zero and the upper limit, which choose less than the level of saturation of the polarization, and corresponding to a given criterion of reliability of determining the logical state of the memory cell.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что логическое состояние ячейки памяти определяют путем подачи одного или более импульсов напряжения, характеристиками которого (которых) управляют посредством контура управления.2. The method according to claim 1, characterized in that the logical state of the memory cell is determined by applying one or more voltage pulses, the characteristics of which (which) are controlled by a control loop.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что определяют историю адресации к памяти по зарегистрированному воздействию на ячейки памяти факторов, способствующих развитию усталости и импринтинга и/или по информации об указанном динамическом отклике, получаемой от одной или более контрольных ячеек или пар контрольных ячеек и/или от одной или более ячеек памяти или пар ячеек памяти в матрице, и определяют заданные критерии определения и/или информацию об указанном динамическом отклике в качестве основы выработки критериев управления для того, чтобы настроить характеристики указанного импульса или импульсов напряжения.3. The method according to claim 2, characterized in that the history of memory addressing is determined by the recorded effect on the memory cells of factors contributing to the development of fatigue and imprinting and / or according to information about the specified dynamic response received from one or more control cells or pairs of control cells and / or from one or more memory cells or pairs of memory cells in the matrix, and determine the specified determination criteria and / or information about the specified dynamic response as the basis for the development of control criteria so that s adjust the characteristics of said voltage pulse or pulses.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что в историю адресации включают накопленное количество циклов считывания-записи и/или длительность состояния импринтинга для конкретных ячеек памяти или групп конкретных ячеек памяти.4. The method according to claim 3, characterized in that the addressing history includes the accumulated number of read-write cycles and / or the duration of the imprinting state for specific memory cells or groups of specific memory cells.
5. Способ по п.3, отличающийся тем, что в информацию о динамическом отклике включают информацию о зарегистрированной характеристике указанного отклика ячеек памяти.5. The method according to claim 3, characterized in that the information about the dynamic response include information about the registered characteristic of the specified response of the memory cells.
6. Способ по п.3, отличающийся тем, что информацию о динамическом отклике получают путем регистрации динамического отклика для, по меньшей мере, одной пары контрольных ячеек в матрице, причем одна контрольная ячейка в каждой такой паре соответствует логическому нулю, а вторая - логической единице.6. The method according to claim 3, characterized in that information about the dynamic response is obtained by registering a dynamic response for at least one pair of control cells in the matrix, with one control cell in each such pair corresponding to logical zero and the second logical unit.
7. Способ по п.5 или 6, отличающийся тем, что производят, с использованием контура управления, непрерывный или периодический анализ статистической или систематической шумовой составляющей в зарегистрированном динамическом отклике указанных контрольных ячеек или адресуемых ячеек памяти и используют результаты указанного анализа в качестве данных, подаваемых на вход алгоритма управления протоколом считывания-записи.7. The method according to claim 5 or 6, characterized in that, using the control loop, a continuous or periodic analysis of the statistical or systematic noise component in the recorded dynamic response of said control cells or addressable memory cells is performed, and the results of said analysis are used as data, fed to the input of the control algorithm of the read-write protocol.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что указанный анализ шумовых составляющих производят на основе статистического разброса динамических откликов, полученных от ячеек памяти, находящихся в известных логических состояниях, от единичных, многократно адресуемых ячеек памяти и/или от набора аналогичных, но физически различных ячеек памяти.8. The method according to claim 7, characterized in that the analysis of noise components is based on a statistical spread of dynamic responses received from memory cells in known logical states, from single, multiple addressable memory cells and / or from a set of similar, but physically different memory cells.
9. Способ по п.3, отличающийся тем, что при использовании критериев управления, основанных на информации о динамическом отклике, придают одному или более импульсам напряжения форму ступени с изменяющейся длительностью, которая задается указанным контуром управления.9. The method according to claim 3, characterized in that when using the control criteria based on the dynamic response information, one or more voltage pulses is given a step shape with a varying duration, which is specified by the specified control loop.
10. Способ по п.3, отличающийся тем, что при использовании критериев управления, основанных на информации о динамическом отклике, регистрируют, посредством указанного контура управления, уровни плато, соответствующих значениям σнасыщ и σфон откликов в форме изменения потока заряда в ячейках, представляющих логический ноль и логическую единицу соответственно в различные моменты времени на протяжении жизненного цикла запоминающего устройства.10. The method according to claim 3, characterized in that when using control criteria based on information about the dynamic response, register, by means of the specified control loop, the plateau levels corresponding to the values of σ sat and σ background of responses in the form of changes in the charge flow in the cells, representing logical zero and logical unit, respectively, at different points in time throughout the life cycle of the storage device.
11. Способ по п.3, отличающийся тем, что при использовании критериев управления, основанных на информации о динамическом отклике, генерируют посредством контура управления пороговое значение для принятия решения о логических состояниях указанных ячеек памяти в указанной матрице, которое соответствует σпор=(σнасыщ+σфон)/2.11. The method according to claim 3, characterized in that when using the control criteria based on the dynamic response information, a threshold value is generated by the control loop for deciding on the logical states of the indicated memory cells in the specified matrix, which corresponds to σ pore = (σ sat + σ background ) / 2.
12. Способ по п.3, отличающийся тем, что в контуре управления используют информацию о динамическом отклике, приобретаемую в результате регистрации динамического отклика группы ячеек памяти, расположенных в случайно выбранных местах матричной памяти.12. The method according to claim 3, characterized in that the control loop uses dynamic response information acquired by registering a dynamic response of a group of memory cells located in randomly selected locations of the matrix memory.
13. Устройство для выполнения операций записи и считывания, содержащее, по меньшей мере, одну память с матричной адресацией, образованную набором ячеек памяти, содержащих электрически поляризуемый материал, обладающий свойством остаточной поляризации, предпочтительно ферроэлектрик, причем логическое значение, хранящееся в ячейке памяти, выражается состоянием поляризации в индивидуальных, по отдельности выбираемых ячейках памяти и определяется по потоку зарядов в ячейку или из нее в ответ на подачу напряжений на числовые и разрядные шины, служащие для адресации ячеек памяти, образующих указанный набор, а определение потока зарядов предпочтительно основано на детектировании компонента потока заряда, обусловленного изменением поляризации в указанном поляризуемом материале, отличающееся тем, что содержит контур регистрации динамического отклика в форме изменения потока заряда от одной или более ячеек памяти во время операции записи или считывания и регулировки указанных напряжений для ограничения степени изменения поляризации в указанном поляризуемом материале до заданного значения и контур управления указанными операциями считывания и записи в соответствии с действительными мгновенными значениями динамического отклика, причем указанное заданное значение находится в интервале между уровнем, превышающим нулевой, и верхним пределом, который выбран меньшим, чем уровень насыщения поляризации.13. A device for performing write and read operations, containing at least one memory with matrix addressing formed by a set of memory cells containing an electrically polarizable material having the property of residual polarization, preferably a ferroelectric, and the logical value stored in the memory cell is expressed the state of polarization in individual, individually selected memory cells and is determined by the flow of charges into or out of the cell in response to the supply of voltages to the numerical and bit circuits s, used to address the memory cells forming the specified set, and the determination of the charge flow is preferably based on the detection of the charge flow component due to a change in polarization in the specified polarizable material, characterized in that it contains a dynamic response recording circuit in the form of a change in charge flow from one or more memory cells during the operation of writing or reading and adjusting the indicated voltages to limit the degree of change in polarization in the specified polarizable material to adannogo value and said control circuit reading and writing operations according to the actual instantaneous values of the dynamic response, said predetermined value is in the range between level greater than zero and an upper limit which is chosen less than the saturation polarization.
14. Устройство по п.13, отличающееся тем, что указанный набор ячеек памяти содержит контрольные ячейки с известными логическими состояниями.14. The device according to item 13, wherein the specified set of memory cells contains control cells with known logical states.
15. Устройство по п.14, отличающееся тем, что указанные контрольные ячейки локализованы парами, причем одна контрольная ячейка в паре соответствует логическому нулю, а вторая - логической единице.15. The device according to 14, characterized in that said control cells are localized in pairs, moreover, one control cell in a pair corresponds to a logical zero, and the second to a logical unit.
16. Устройство по п.14, отличающееся тем, что указанные контрольные ячейки распределены по объему указанного набора.16. The device according to 14, characterized in that the said control cells are distributed over the volume of the specified set.
17. Устройство по п.15 или 16, отличающееся тем, что из числа указанных контрольных ячеек выбраны ячейки, предназначенные для отслеживания эволюции усталости и импринтинга конкретных групп ячеек памяти в указанном наборе путем оказания на них воздействия с историей изменения поляризации и операций переключения, сходной с аналогичной историей для указанных групп ячеек памяти.17. The device according to p. 15 or 16, characterized in that among the specified control cells are selected cells designed to track the evolution of fatigue and imprinting specific groups of memory cells in the specified set by influencing them with a history of polarization changes and switching operations similar with a similar history for the indicated groups of memory cells.
18. Устройство по п.17, отличающееся тем, что указанные группы ячеек памяти локализованы на одной числовой или разрядной шине или на нескольких числовых или разрядных шинах.18. The device according to claim 17, characterized in that said groups of memory cells are localized on one numerical or bit bus or on several numerical or bit buses.