RU2001130810A -
Semiconductor device
- Google Patents
Semiconductor device
Info
Publication number
RU2001130810A
RU2001130810ARU2001130810/28ARU2001130810ARU2001130810ARU 2001130810 ARU2001130810 ARU 2001130810ARU 2001130810/28 ARU2001130810/28 ARU 2001130810/28ARU 2001130810 ARU2001130810 ARU 2001130810ARU 2001130810 ARU2001130810 ARU 2001130810A
1. Полупроводниковый прибор, содержащий изолирующий слой, на одной поверхности которого сформирован проводящий участок, на другой поверхности которого сформирован первый слой выполненный из полупроводника электронного либо дырочного типа проводимости с омическим контактом, на поверхности которого выполнен второй слой, выполненный из металла или полупроводника с противоположным с первым слоем типом проводимости, образующий с первым слоем р-n переход либо барьер Шоттки с другим омическим контактом, выбор профиля легирования и толщины первого слоя, ограничен условием полного обеднения первого слоя либо его части основными носителями заряда до пробоя полупроводникового перехода выполненного в виде р-n перехода либо барьера Шоттки при подаче на него внешнего смещения1. A semiconductor device containing an insulating layer, on one surface of which a conductive portion is formed, on the other surface of which a first layer is formed made of an electron or hole type semiconductor with an ohmic contact, on the surface of which a second layer is made of metal or a semiconductor with the opposite with the first layer, the type of conductivity, forming a pn junction or Schottky barrier with another ohmic contact with the first layer, choice of the doping profile and of the first layer, it is limited by the condition of complete depletion of the first layer or its part by the main charge carriers until the breakdown of the semiconductor junction made in the form of a pn junction or Schottky barrier when an external bias is applied to it
где Ui - напряжение пробоя полупроводникового первого слоя;where Ui is the breakdown voltage of the semiconductor first layer;у - координата отсчитываемая от металлургической границы р-n перехода или барьера Шоттки в направлении вдоль толщины слоя (1);y is the coordinate measured from the metallurgical boundary of the pn junction or Schottky barrier in the direction along the layer thickness (1);q - элементарный заряд;q is the elementary charge;Ni(x,y,z) - профиль распределения примеси в (1);Ni (x, y, z) is the impurity distribution profile in (1);d(x,z) - толщина слоя (1);d (x, z) is the thickness of the layer (1);z, х - координаты на поверхности слоя (1);z, x — coordinates on the layer surface (1);εs - диэлектрическая проницаемость слоя (1);ε s is the dielectric constant of the layer (1);Uk - встроенный потенциал,Uk - built-in potential,отличающийся тем, что часть изолирующего слоя контактирующая с первым полупроводниковым слоем сформирована из высокоомного полупроводника, выбор профиля легирования и толщины первого слоя ограничен условием полного обеднения первого слоя либо его части основными носителями заряда до пробоя полупроводникового перехода в том числе выполненного в виде гетероперехода при подаче на него внешнего смещенияcharacterized in that the part of the insulating layer in contact with the first semiconductor layer is formed of a high-resistance semiconductor, the choice of the doping profile and thickness of the first layer is limited by the complete depletion of the first layer or its part by the main charge carriers until the breakdown of the semiconductor transition, including one made as a heterojunction when applied to its external bias
где Ui - напряжение пробоя первого полупроводникового слоя;where Ui is the breakdown voltage of the first semiconductor layer;h - координата отсчитываемая от металлургической границы полупроводникового перехода в направлении вдоль толщины первого слоя;h is the coordinate measured from the metallurgical boundary of the semiconductor junction in the direction along the thickness of the first layer;q - элементарный заряд;q is the elementary charge;Ni(x,h,z) - профиль распределения ионизированной примеси в первом слое;Ni (x, h, z) is the distribution profile of the ionized impurity in the first layer;d(x,z) - толщина первого слоя;d (x, z) is the thickness of the first layer;z, х - координаты на поверхности первого слоя;z, x — coordinates on the surface of the first layer;εs - диэлектрическая проницаемость первого слоя;ε s is the dielectric constant of the first layer;Uk - встроенный потенциал первого слоя.Uk is the built-in potential of the first layer.2. Полупроводниковый прибор по п.1, отличающийся тем, что контактные площадки выполнены на сформированном на внешней поверхности прибора изолирующем слое.2. The semiconductor device according to claim 1, characterized in that the contact pads are made on an insulating layer formed on the outer surface of the device.3. Полупроводниковый прибор по п.1, отличающийся тем, что полупроводниковый переход сформирован с неоднородным примесным профилем вдоль направления X, выбранного на поверхности первого слоя, на поверхности первого слоя сформированы вдоль другого поверхностного направления Z проводящие полоски, образующие с первым слоем невыпремляющий контакт, которые выполнены с зазором относительно омического контакта к первому слою.3. The semiconductor device according to claim 1, characterized in that the semiconductor junction is formed with a heterogeneous impurity profile along the X direction selected on the surface of the first layer, conductive strips are formed along the other surface direction Z on the surface of the first layer, forming non-impermeable contact with the first layer, which are made with a gap relative to the ohmic contact to the first layer.4. Полупроводниковый прибор по п.2, отличающийся тем, что полупроводниковый переход сформирован с неоднородным примесным профилем вдоль направления X, выбранного на поверхности первого слоя, на поверхности первого слоя сформированы вдоль другого поверхностного направления Z проводящие полоски, образующие с первым слоем невыпремляющий контакт, которые выполнены с зазором относительно омического контакта к первому слою.4. The semiconductor device according to claim 2, characterized in that the semiconductor junction is formed with a heterogeneous impurity profile along the X direction selected on the surface of the first layer, conductive strips are formed along the other surface direction Z on the surface of the first layer, forming non-impermeable contact with the first layer, which are made with a gap relative to the ohmic contact to the first layer.5. Полупроводниковый прибор по п.3, отличающийся тем, что проводящие полоски, выполненные на части поверхности изолирующего слоя соединены с проводящими участками, выполненными на другой части поверхности изолирующего слоя.5. The semiconductor device according to claim 3, characterized in that the conductive strips made on a part of the surface of the insulating layer are connected to the conductive sections made on another part of the surface of the insulating layer.6. Полупроводниковый прибор по п.4, отличающийся тем, что проводящие полоски, выполненные на части поверхности изолирующего слоя соединены с проводящими участками, выполненными на другой части поверхности изолирующего слоя.6. The semiconductor device according to claim 4, characterized in that the conductive strips made on a part of the surface of the insulating layer are connected to the conductive sections made on another part of the surface of the insulating layer.7. Полупроводниковый прибор по п.1, отличающийся тем, что на внешней поверхности прибора или ее части сформирован другой изолирующий слой.7. The semiconductor device according to claim 1, characterized in that another insulating layer is formed on the outer surface of the device or its part.8. Полупроводниковый прибор по п.2, отличающийся тем, что на внешней поверхности прибора или ее части сформирован другой изолирующий слой.8. The semiconductor device according to claim 2, characterized in that another insulating layer is formed on the outer surface of the device or its part.9. Полупроводниковый прибор по п.3, отличающийся тем, что на внешней поверхности прибора или ее части сформирован другой изолирующий слой.9. The semiconductor device according to claim 3, characterized in that another insulating layer is formed on the outer surface of the device or its part.10. Полупроводниковый прибор по п.4, отличающийся тем, что на внешней поверхности прибора или ее части сформирован другой изолирующий слой.10. The semiconductor device according to claim 4, characterized in that another insulating layer is formed on the outer surface of the device or its part.11. Полупроводниковый прибор по п.5, отличающийся тем, что на внешней поверхности прибора или ее части сформирован другой изолирующий слой.11. The semiconductor device according to claim 5, characterized in that another insulating layer is formed on the outer surface of the device or its part.12. Полупроводниковый прибор по п.6, отличающийся тем, что на внешней поверхности прибора или ее части сформирован другой изолирующий слой.12. The semiconductor device according to claim 6, characterized in that another insulating layer is formed on the outer surface of the device or its part.
Trench power metal oxide semiconductor field effect transistor and edge terminal structure including an L-shaped electric plate capable of raising a breakdown voltage
