Claims (37)
1. Устройство хранения и обработки данных, сформированное на подложке, содержащее модули памяти ПЗУ и/или ОЗМС (с однократной записью и многократным считыванием) и/или перезаписываемые модули памяти, модули обработки данных и активные схемы с транзисторами и/или диодами для обеспечения его функционирования, при этом модули памяти и модули обработки данных сформированы в расположенных поверх подложки одном основном слое или во множестве основных слоев, уложенных один на другой в виде многослойной структуры, а связь модулей памяти и модулей обработки данных в каждом основном слое с другими основными слоями и со сформированными на подложке или внутри нее схемами производится посредством сквозных перемычек, поверхностных или торцевых соединений, отличающееся тем, что каждый основной слой модуля памяти и/или модуля обработки данных содержит в себе функциональные подслои в виде многослойной структуры, каждый из которых выполнен с возможностью осуществления одной или более конкретных схемных функций, причем по меньшей мере некоторые из активных схем сформированы в основном слое или в основных слоях, и по меньшей мере некоторые из функциональных слоев выполнены на основе совокупности органических пленочных материалов, имеющих низкотемпературную совместимость, и обработанных неорганических тонких пленок, имеющих низкотемпературную совместимость.1. A data storage and processing device formed on a substrate, containing ROM and / or OZMS memory modules (write-once and multiple-read) and / or rewritable memory modules, data processing modules and active circuits with transistors and / or diodes to provide it functioning, while the memory modules and data processing modules are formed in one main layer located on top of the substrate or in a plurality of main layers stacked on top of each other in the form of a multilayer structure, and the memory modules and the module The data processing in each main layer with other main layers and with the patterns formed on the substrate or inside it is carried out using through jumpers, surface or end connections, characterized in that each main layer of the memory module and / or data processing module contains functional sublayers in the form of a multilayer structure, each of which is configured to implement one or more specific circuit functions, at least some of the active circuits are formed mainly layer or in the main layers, and at least some of the functional layers are based on a combination of organic film materials having low temperature compatibility and processed inorganic thin films having low temperature compatibility.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что, по меньшей мере, один из основных слоев содержит в себе модули памяти с элементами памяти, имеющими пассивную матричную адресацию и выполненными в материале запоминающего устройства в точках пересечения между электродами из первого набора параллельных электродов, сформированного на поверхности материала запоминающего устройства, и из второго набора параллельных электродов, сформированного на противоположной поверхности материала запоминающего устройства и пересекающегося с первым набором электродов, причем элементы памяти выполнены в виде элементов с нелинейным импедансом, расположенных в местах пересечения, а каждый из элементов памяти для улучшения их адресуемости снабжен логическим значением, которое задают посредством параметра электрического импеданса материала запоминающего устройства между пересекающимися электродами. 2. The device according to claim 1, characterized in that at least one of the main layers contains memory modules with memory elements having a passive matrix addressing and made in the material of the storage device at the intersection points between the electrodes from the first set of parallel electrodes formed on the surface of the material of the storage device, and from a second set of parallel electrodes formed on the opposite surface of the material of the storage device and intersecting with the first set Electrode, wherein the memory elements are designed as a non-linear impedance elements disposed at the intersections, and each of the memory elements to improve their addressability is provided with a logical value which is set by an electrical impedance parameter memory material between crossing electrodes.
3. Устройство по п. 2, отличающееся тем, что элементами с нелинейным импедансом являются выпрямительные диоды, выполненные из по меньшей мере одного из нижеследующих материалов, в частности, кремния, арсенида галлия или германия в аморфной, поликристаллической, микрокристаллической, объемной или в определяемой технологическим процессом монокристаллической форме, либо из органических полупроводниковых материалов, включающих в себя молекулы, олигомеры или полимеры, либо из их комбинаций. 3. The device according to claim 2, characterized in that the elements with non-linear impedance are rectifier diodes made of at least one of the following materials, in particular silicon, gallium arsenide or germanium in amorphous, polycrystalline, microcrystalline, volumetric or a technological process in a single crystal form, either from organic semiconductor materials, including molecules, oligomers or polymers, or from combinations thereof.
4. Устройство по п. 2, отличающееся тем, что элементами с нелинейным импедансом являются тонкопленочные транзисторы, выполненные из по меньшей мере одного из нижеследующих материалов, в частности, кремния, арсенида галлия или германия в аморфной, поликристаллической, микрокристаллической, объемной или в определяемой технологическим процессом монокристаллической форме, либо из органических полупроводниковых материалов, включающих в себя молекулы, олигомеры или полимеры, либо из их комбинаций. 4. The device according to p. 2, characterized in that the elements with non-linear impedance are thin-film transistors made of at least one of the following materials, in particular silicon, gallium arsenide or germanium in amorphous, polycrystalline, microcrystalline, volumetric or defined a technological process in a single crystal form, either from organic semiconductor materials, including molecules, oligomers or polymers, or from combinations thereof.
5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в нем создано более одного основного слоя, и каждый основной слой содержит в себе более одного модуля памяти, причем модули памяти сформированы в виде расположенных рядом сегментов, уложенных поверх аналогичных сегментов нижележащего основного слоя, с образованием на общей подложке двух или более расположенных рядом многослойных структур, и часть каждого сегмента в каждой многослойной структуре соединена с частью подложки и имеет электрическую связь со сформированными в ней или на ней схемами. 5. The device according to claim 1, characterized in that more than one main layer is created in it, and each main layer contains more than one memory module, the memory modules being formed as adjacent segments stacked on top of similar segments of the underlying main layer, with the formation of two or more adjacent multilayer structures on a common substrate, and a part of each segment in each multilayer structure is connected to a part of the substrate and is in electrical communication with the circuits formed in it or on it.
6. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в нем создано более одного основного слоя, каждый основной слой содержит в себе более одного модуля памяти, причем модули памяти сформированы в виде расположенных рядом сегментов, уложенных в шахматном порядке поверх аналогичных сегментов из нижележащего основного слоя таким образом, что каждый модуль памяти в многослойной структуре расположен в шахматном порядке по отношению к примыкающим соседним модулям, и часть каждого сегмента в каждой многослойной структуре соединена с частью подложки и имеет электрическую связь с созданными в ней или на ней схемами. 6. The device according to claim 1, characterized in that more than one main layer is created in it, each main layer contains more than one memory module, the memory modules being formed in the form of adjacent segments arranged in a checkerboard pattern on top of similar segments from the underlying the base layer so that each memory module in the multilayer structure is staggered with respect to adjacent adjacent modules, and a part of each segment in each multilayer structure is connected to a part of the substrate and and has an electrical connection with circuits created in or on it.
7. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что множество проходящих насквозь электрических проводников или сквозных перемычек, обеспечивающих соединения для подачи электропитания и сигнала между основными слоями и между основными слоями и подложкой, имеет шахматный порядок распределения в продольном направлении. 7. The device according to claim 1, characterized in that the plurality of through-going electrical conductors or through jumpers providing connections for supplying power and signal between the main layers and between the main layers and the substrate has a checkerboard pattern of distribution in the longitudinal direction.
8. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что, по меньшей мере один основной слой содержит в себе сдвоенные модули памяти с пассивной матричной адресацией, расположенные в отдельных подслоях, причем один вышележащий и один нижележащий модули памяти выполнены с возможностью совместного использования набора электродов строк или столбцов. 8. The device according to p. 1, characterized in that at least one main layer contains dual memory modules with passive matrix addressing located in separate sublayers, with one overlying and one underlying memory modules configured to share a set of electrodes rows or columns.
9. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в нем создано более одного слоя, причем по меньшей мере два из основных слоев содержат в себе общие электронные схемы формирования строк или столбцов, а также факультативные электронные схемы считывания, соединенные с ними посредством общих шин. 9. The device according to claim 1, characterized in that more than one layer is created in it, and at least two of the main layers contain common electronic circuits for forming rows or columns, as well as optional electronic reading circuits connected to them by means of common tires.
10. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что по меньшей мере один из модулей памяти представляет собой ПЗУ с масочным программированием, либо ПЗУ с шаблонным программированием. 10. The device according to p. 1, characterized in that at least one of the memory modules is a ROM with mask programming, or ROM with template programming.
11. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что по меньшей мере один из модулей памяти представляет собой устройство ОЗМС (с однократной записью и многократным считыванием). 11. The device according to claim 1, characterized in that at least one of the memory modules is an OZMS device (with write once and multiple reads).
12. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что по меньшей мере один из модулей памяти содержит в себе ячейки памяти перезаписываемого типа. 12. The device according to claim 1, characterized in that at least one of the memory modules contains rewritable memory cells.
13. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что по меньшей мере один модуль памяти содержит в себе совокупность запоминающих устройств, по меньшей мере двух различных типов в виде ПЗУ, устройств ОЗМС или перезаписываемых ЗУ, которые объединены в, по меньшей мере, один основной слой многослойной структуры. 13. The device according to claim 1, characterized in that at least one memory module contains a plurality of storage devices of at least two different types in the form of ROMs, OZMS devices or rewritable memory devices, which are combined into at least one the main layer of the multilayer structure.
14. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что по меньшей мере часть подложки, находящейся ниже расположенного поверх нее по меньшей мере одного основного слоя, содержит в себе схемы, которые электрически соединены с по меньшей мере одним основным слоем. 14. The device according to claim 1, characterized in that at least a portion of the substrate located below at least one main layer located on top of it contains circuits that are electrically connected to at least one main layer.
15. Устройство по п. 14, отличающееся тем, что часть подложки, содержащая схемы, содержит в себе полупроводниковые материалы в легированном или нелегированном виде, выполненные в виде монокристалла или тонкой пленки на пассивном кристаллодержателе, выбор полупроводниковых материалов осуществляют из по меньшей мере одного из нижеследующих материалов, в частности кремния, арсенида галлия и германия в аморфной, поликристаллической, микрокристаллической, объемной или в определяемой технологическим процессом монокристаллической форме, либо из органических полупроводниковых материалов, включающих в себя молекулы, олигомеры или полимеры, либо из их комбинаций. 15. The device according to p. 14, characterized in that the part of the substrate containing the circuit contains semiconductor materials in a doped or undoped form, made in the form of a single crystal or a thin film on a passive crystal holder, the selection of semiconductor materials is carried out from at least one of the following materials, in particular silicon, gallium arsenide and germanium in amorphous, polycrystalline, microcrystalline, bulk or in a single crystal form determined by the technological process, or from organic semiconductor materials, including molecules, oligomers or polymers, or from combinations thereof.
16. Устройство по п. 14, отличающееся тем, что сформированные на подложке или внутри нее схемы изготовляют посредством по меньшей мере одной из следующих технологий, а именно, КМОП, n-МОП, или р-МОП. 16. The device according to p. 14, characterized in that the patterns formed on the substrate or inside it are fabricated using at least one of the following technologies, namely, CMOS, n-MOS, or p-MOS.
17. Устройство по п. 14, отличающееся тем, что созданные на или в подложке схемы содержат в себе одно или более устройств кэш-памяти в виде статического ОЗУ, динамического ОЗУ и/или сегнетоэлектрического ОЗУ (SRAM, DRAM, FERAM). 17. The device according to p. 14, characterized in that the circuitry created on or in the substrate contains one or more cache devices in the form of static RAM, dynamic RAM and / or ferroelectric RAM (SRAM, DRAM, FERAM).
18. Устройство по п. 14, отличающееся тем, что созданные на или в подложке схемы содержат в себе процессоры для обнаружения и исправления ошибок и неисправностей в модулях памяти в основном слое или слоях. 18. The device according to p. 14, characterized in that the circuits created on or in the substrate contain processors for detecting and correcting errors and malfunctions in the memory modules in the main layer or layers.
19. Устройство по п. 14, отличающееся тем, что сформированные на подложке или внутри нее схемы содержат процессоры для перераспределения неисправных модулей памяти в основном слое или слоях. 19. The device according to p. 14, characterized in that the circuits formed on the substrate or inside it contain processors for redistributing faulty memory modules in the main layer or layers.
20. Устройство по п. 14, отличающееся тем, что сформированные на подложке или внутри нее схемы содержат процессоры для динамического перераспределения модулей памяти в основном слое или слоях с целью оптимизации производительности и срока службы указанных модулей. 20. The device according to p. 14, characterized in that the circuits formed on the substrate or inside it contain processors for dynamically redistributing memory modules in the main layer or layers in order to optimize the performance and service life of these modules.
21. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что неорганическим пленочным материалом является кремний, соединения кремния, металлы или соединения металлов, либо их комбинации. 21. The device according to p. 1, characterized in that the inorganic film material is silicon, silicon compounds, metals or metal compounds, or combinations thereof.
22. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что схемы в основных слоях полностью изготовляют посредством тонкопленочной технологии. 22. The device according to claim 1, characterized in that the circuits in the main layers are completely manufactured by means of thin-film technology.
23. Способ изготовления устройства хранения и обработки данных, созданного на подложке, содержащего активные схемы с транзисторами и/или диодами для обеспечения функционирования устройства, а также модули памяти ПЗУ и/или ОЗМС (с однократной записью и многократным считыванием) и/или перезаписываемые и модули обработки данных, согласно которому запоминающее устройство и модули обработки формируют в расположенных поверх подложки одном основном слое либо во множестве основных слоев, уложенных один на другой в виде многослойной структуры, связь модулей памяти и модулей обработки данных в каждом основном слое с другими основными слоями и с созданными на подложке или внутри нее схемами осуществляют посредством сквозных перемычек, поверхностных или торцевых соединений, и формируют модули памяти и обработки данных посредством нанесения его основных слоев и функциональных подслоев путем последовательных операций, способ отличается тем, что нанесение и обработку указанных слоев осуществляют в таком тепловом режиме, при котором уже нанесенный и обработанный нижележащий слой или слои не подвергают воздействию статической температуры, превышающей величину в пределах диапазона температур 150-450oС, либо динамических температур, превышающих предел динамической устойчивости полимерных материалов, где указанный предел динамической устойчивости определяют равным менее 500oС в течение не более 10 мс, либо химического разрушения, обусловленного технологическим процессом, причем материалы для слоев выбирают из тонких пленок аморфного, поликристаллического или микрокристаллического кремния или германия, окислов и других диэлектрических материалов и металлов или их комбинаций, при этом слои наносят посредством одного из следующих процессов, а именно: распыления, напыления, химического осаждения из газовой фазы или плазменного химического осаждения из газовой фазы, нанесения покрытия путем центрифугирования; осуществляют обработку нанесенного слоя посредством традиционной технологии, применяемой при производстве полупроводников, которая совместима с указанным тепловым режимом, в частности с помощью фотолитографии, жидкостного травления, сухого травления, в том числе реактивного ионного или плазменного травления, химико-механической полировки, ионного легирования и/или их совокупности, но она не ограничена ими; осуществляют обработку нанесенного слоя посредством кратковременного нагрева импульсным лазером или пучками частиц для индуцирования кристаллизации нанесенных аморфных пленок, уменьшения зернистости нанесенных пленок и внедрения и активирования в них легирующих примесей; и осуществляют нанесение молекулярных, олигомерных или полимерных материалов для слоев с использованием одного из следующих процессов, в частности: технологий с использованием растворителей, напыления, распыления или иных вакуумных технологий, либо технологий переноса пленки, либо их совокупности.23. A method of manufacturing a device for storing and processing data created on a substrate, containing active circuits with transistors and / or diodes to ensure the operation of the device, as well as ROM and / or OZMS memory modules (write-once and multiple-read) and / or rewritable and data processing modules, according to which the storage device and processing modules are formed in one main layer located on top of the substrate or in a plurality of basic layers stacked on top of each other in the form of a multilayer structure, the memory modules and data processing modules in each main layer are connected with the other layers and with the circuits created on the substrate or inside it by means of through jumpers, surface or end connections, and memory and data processing modules are formed by applying its main layers and functional sublayers by sequential operations, the method is characterized in that the deposition and processing of these layers is carried out in such a thermal regime that the already deposited and processed underlying layer or the layers are not exposed to a static temperature exceeding a value within the temperature range of 150-450 o C, or dynamic temperatures exceeding the dynamic stability limit of polymeric materials, where the specified dynamic stability limit is determined to be less than 500 o C for no more than 10 ms, or chemical destruction caused by the technological process, the materials for the layers being selected from thin films of amorphous, polycrystalline or microcrystalline silicon or germanium, oxides and other dielectric materials and metals, or combinations thereof, wherein the layers are applied by one of the following processes, namely: spraying, spraying, chemical vapor deposition or plasma chemical vapor deposition, coating by centrifugation; carry out the processing of the deposited layer by means of traditional technology used in the manufacture of semiconductors, which is compatible with the specified thermal conditions, in particular using photolithography, liquid etching, dry etching, including reactive ion or plasma etching, chemical-mechanical polishing, ion doping and / or their combination, but it is not limited to them; processing the deposited layer by briefly heating it with a pulsed laser or particle beams to induce crystallization of the deposited amorphous films, reduce the grain size of the deposited films, and introduce and activate dopants in them; and carry out the deposition of molecular, oligomeric or polymeric materials for the layers using one of the following processes, in particular: technologies using solvents, sputtering, sputtering or other vacuum technologies, or film transfer technologies, or a combination thereof.
24. Способ по п. 23, отличающийся тем, что изготовление тонкопленочных схем и транзисторов на основе кремния осуществляют посредством низкотемпературного процесса с использованием кристаллизации и активирования легирующей примеси тонкопленочных транзисторов под действием лазерного излучения. 24. The method according to p. 23, characterized in that the manufacture of thin-film circuits and transistors based on silicon is carried out by means of a low-temperature process using crystallization and activation of the dopant of thin-film transistors under the action of laser radiation.
25. Способ по п. 23, отличающийся тем, что в случае модуля памяти, выполненного в виде запоминающего устройства с матричной адресацией, снабженного разделительными диодами, формирование разделительных диодов, как в вертикальной, так и в планарной конфигурации, осуществляют путем непосредственного нанесения пленок из аморфного микрокристаллического или поликристаллического кремния n - и р - типа или германия и непосредственного нанесения тонких пленок органического полупроводника из олигомера или полимера. 25. The method according to p. 23, characterized in that in the case of a memory module made in the form of a memory device with a matrix addressing, equipped with dividing diodes, the formation of dividing diodes, both in vertical and planar configurations, is carried out by directly applying films from amorphous microcrystalline or polycrystalline silicon of n - and p - type or germanium and direct deposition of thin films of an organic semiconductor from an oligomer or polymer.
26. Способ по п. 23, отличающийся тем, что в случае модуля памяти, выполненного в виде запоминающего устройства с матричной адресацией, снабженного разделительными диодами, формирование разделительных диодов осуществляют посредством лазерного плавления и отвердения аморфных или микрокристаллических пленок неорганического полупроводникового материала n- и р - типа, нанесенных непосредственно на нижележащий слой или слои, обладающие низкотемпературной совместимостью. 26. The method according to p. 23, characterized in that in the case of a memory module made in the form of a memory device with a matrix addressing, equipped with dividing diodes, the formation of dividing diodes is carried out by laser melting and hardening of amorphous or microcrystalline films of inorganic semiconductor material n - and p - type applied directly to the underlying layer or layers having low temperature compatibility.
27. Способ по п. 26, отличающийся тем, что при лазерной кристаллизации осуществляют защиту нижележащего слоя или слоев от реакции с расплавленным полупроводниковым материалом путем создания тонкопленочного диффузионного барьера. 27. The method according to p. 26, characterized in that during laser crystallization protect the underlying layer or layers from reaction with molten semiconductor material by creating a thin-film diffusion barrier.
28. Способ по п. 26, отличающийся тем, что осуществляют запланированную реакцию между расплавленным полупроводниковым материалом и нижележащим слоем или слоями с образованием устойчивого химического соединения, обладающего электропроводностью, например, силицида. 28. The method according to p. 26, characterized in that carry out the planned reaction between the molten semiconductor material and the underlying layer or layers with the formation of a stable chemical compound having electrical conductivity, for example, silicide.
29. Способ по п. 23, отличающийся тем, что в случае модуля памяти, выполненного в виде запоминающего устройства с матричной адресацией, снабженного разделительными диодами, осуществляют формирование разделительных диодов посредством лазерного плавления и отвердения нанесенной аморфной или микрокристаллической неорганической пленки, и формирование диодных р-n переходов с компенсацией легирования, причем р-n переходы получают либо из нанесенного слоя, находящегося на нижележащем металлизированном покрытии, либо посредством так называемого автолегирования путем использования легирующих элементов из слоя металлизации пассивной матрицы. 29. The method according to p. 23, characterized in that in the case of a memory module made in the form of a memory device with a matrix addressing, equipped with separation diodes, the formation of separation diodes by laser melting and hardening of the deposited amorphous or microcrystalline inorganic film, and the formation of diode p -n transitions with doping compensation, and pn transitions are obtained either from the deposited layer located on the underlying metallized coating, or through the so-called by using the self-doping of the alloying elements of the metallization layer passive matrix.
30. Способ по п. 23, отличающийся тем, что в случае модуля памяти, выполненного в виде запоминающего устройства с матричной адресацией, снабженного разделительными диодами, осуществляют формирование разделительных диодов посредством лазерного плавления и отвердения нанесенной аморфной или микрокристаллической неорганической пленки, и формирование диода с барьером Шотки с нижележащей металлизированной структурой или с химическим соединением, образованным путем реакции с нижележащей металлизированной структурой. 30. The method according to p. 23, characterized in that in the case of a memory module made in the form of a memory device with a matrix addressing, equipped with dividing diodes, the formation of dividing diodes by laser melting and hardening of the deposited amorphous or microcrystalline inorganic film, and the formation of the diode with a Schottky barrier with an underlying metallized structure or with a chemical compound formed by reaction with an underlying metallized structure.
31. Способ по п. 23, отличающийся тем, что лазерную кристаллизацию ограничивают режимом взрывной кристаллизации, для которого необходимо кратковременное расплавление поверхности пленки и образование самораспространяющейся жидкой пленки для обеспечения кристаллизации остального объема пленки. 31. The method according to p. 23, wherein the laser crystallization is limited by the explosive crystallization mode, which requires a short-term melting of the film surface and the formation of a self-propagating liquid film to ensure crystallization of the remaining volume of the film.
32. Способ по п. 23, отличающийся тем, что формирование изолирующих структур осуществляют из высокорезистивных или анизотропных контактных материалов, которые используют в качестве разделительного диода в вертикальном направлении и непроводящего межслойного диэлектрика в горизонтальном направлении относительно слоев. 32. The method according to p. 23, characterized in that the formation of insulating structures is carried out from highly resistive or anisotropic contact materials, which are used as a separation diode in the vertical direction and a non-conductive interlayer dielectric in the horizontal direction relative to the layers.
33. Способ по п. 32, отличающийся тем, что как разделительный диод, так и непроводящий межслойный диэлектрик формируют путем химической или термической модификации указанных контактных материалов. 33. The method according to p. 32, characterized in that both the isolation diode and the non-conductive interlayer dielectric are formed by chemical or thermal modification of these contact materials.
34. Способ по п. 33, отличающийся тем, что химическую или термическую модификацию осуществляют посредством, соответственно, автолегирования высокорезистивного аморфного кремния и лазерной кристаллизации высокорезистивного аморфного кремния. 34. The method according to p. 33, characterized in that the chemical or thermal modification is carried out by, respectively, self-doping of highly resistive amorphous silicon and laser crystallization of highly resistive amorphous silicon.
35. Способ по п. 23, отличающийся тем, что в случае модуля памяти, выполненного в виде запоминающего устройства с матричной адресацией, снабженного разделительными диодами, формирования диода осуществляют в пространственно ограниченных областях, например, в точках пересечения матрицы, с одновременным созданием боковой изоляции между диодами путем процесса самосовмещения, ограничивающего формирование диодных переходов пространственно ограниченными областями с использованием только одного из следующих процессов, в частности лазерной кристаллизации с модуляцией поглощенной энергии лазерного излучения топологическими элементами нижележащих слоев или структур, лазерной кристаллизации с модуляцией поглощенной лазерной энергии просветляющими или отражающими тонкими пленками, ограничения образования центров кристаллизации при лазерной кристаллизации областями металлизации путем воздействия на поверхность межслойного диэлектрика, использования нижележащих слоев или структур в качестве источников легирующей примеси для формирования диодного перехода посредством взрывной кристаллизации, или выборочного химического или физического осаждения из паровой фазы аморфных или микрокристаллических пленок, на которые воздействует модификация поверхности межслойного диэлектрика. 35. The method according to p. 23, characterized in that in the case of a memory module made in the form of a memory device with a matrix addressing, equipped with dividing diodes, the formation of the diode is carried out in spatially limited areas, for example, at the intersection points of the matrix, while creating side insulation between diodes by means of a self-alignment process restricting the formation of diode junctions to spatially limited regions using only one of the following processes, in particular, laser standardization with modulation of the absorbed laser energy by topological elements of the underlying layers or structures, laser crystallization with modulation of the absorbed laser energy by antireflective or reflective thin films, limiting the formation of crystallization centers during laser crystallization by metallization regions by acting on the surface of the interlayer dielectric, using the underlying layers or structures as dopant sources to form a diode junction by explosive crystallization, or selective chemical or physical vapor deposition of amorphous or microcrystalline films that are affected by surface modification of an interlayer dielectric.
36. Способ по п. 23, отличающийся тем, что осуществляют разделение функциональных подслоев посредством выравнивающего слоя диэлектрика, сформированного способом центрифугирования или другими способами нанесения покрытия и химико-механической полировкой, причем указанный слой диэлектрика выполнен из олигомерного, полимерного или неорганического материала. 36. The method according to p. 23, characterized in that the functional sublayers are separated by a leveling dielectric layer formed by centrifugation or other coating methods and by chemical-mechanical polishing, said dielectric layer being made of oligomeric, polymeric or inorganic material.
37. Способ по п. 23, отличающийся тем, что индуцированную кристаллизацию инициируют посредством иных, чем лазеры, источников с направленной энергией, в том числе импульсных ионных и электронных пучков. 37. The method according to p. 23, characterized in that the induced crystallization is initiated by means of sources other than lasers with directed energy, including pulsed ion and electron beams.