RU187927U1 - Device for measuring parameters of a pulse of laser radiation - Google Patents
Device for measuring parameters of a pulse of laser radiation Download PDFInfo
- Publication number
- RU187927U1 RU187927U1 RU2018120051U RU2018120051U RU187927U1 RU 187927 U1 RU187927 U1 RU 187927U1 RU 2018120051 U RU2018120051 U RU 2018120051U RU 2018120051 U RU2018120051 U RU 2018120051U RU 187927 U1 RU187927 U1 RU 187927U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- pulse
- laser radiation
- laser
- microcontroller
- sensitive element
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title abstract description 20
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 101710096660 Probable acetoacetate decarboxylase 2 Proteins 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical group [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 108091022873 acetoacetate decarboxylase Proteins 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/4257—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J11/00—Measuring the characteristics of individual optical pulses or of optical pulse trains
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к области измерения мощности оптического излучения и касается устройства для измерения параметров лазерного излучения. Устройство включает в себя чувствительный элемент, представляющий собой пластину с покрытием из нитрида титана, нанесенным под углом менее 90° к подложке. Чувствительный элемент соединен с микроконтроллером, снабженным аналогово-цифровым преобразователем с частотой сэмплирования не менее 6 Гсемплов/с и блоком памяти с размеров не менее 1024 ячеек. Технический результат заключается в обеспечении возможности одновременного измерения мощности, энергии, длительности, времени нарастания и времени спада лазерных импульсов в ультрафиолетовом, видимом и ближнем инфракрасном диапазоне длин волн. 4 ил.
Description
Полезная модель относится к области измерения характеристик импульсного лазерного излучения инфракрасного, видимого и ультрафиолетового диапазона и может быть использовано для измерения параметров импульса лазерного излучения ближнего, инфракрасного, видимого и ультрафиолетового диапазона.The utility model relates to the field of measuring the characteristics of pulsed laser radiation of the infrared, visible and ultraviolet range and can be used to measure the parameters of the laser pulse of near, infrared, visible and ultraviolet range.
Известно устройство для измерения энергии импульса лазерного излучения ультрафиолетового диапазона - пироэлектрический детектор (https://gentec-eo.com/Content/downloads/application-note/AN 202194 Photo or Pyro.pdf), содержащий чувствительный элемент и пиковый детектор. Чувствительный элемент представляет собой пластину из пироэлектрического материала с нанесенным защитным покрытием. При воздействии лазерного излучения на чувствительный элемент, пластина пироэлектрического материала нагревается. Вследствие пироэлектрического эффекта, на электродах возникает разность потенциалов. Выходной сигнал с чувствительного элемента передается на вход пикового детектора. На выходе пикового детектора с помощью вольтметра измеряется напряжение, соответствующее значению энергии лазерного импульса.A device for measuring the energy of a pulse of ultraviolet laser radiation is a pyroelectric detector (https://gentec-eo.com/Content/downloads/application-note/AN 202194 Photo or Pyro.pdf) containing a sensitive element and a peak detector. The sensitive element is a plate of pyroelectric material with a protective coating. When laser radiation acts on a sensitive element, the plate of pyroelectric material is heated. Due to the pyroelectric effect, a potential difference arises on the electrodes. The output signal from the sensor is transmitted to the input of the peak detector. At the output of the peak detector, a voltage corresponding to the value of the laser pulse energy is measured with a voltmeter.
Известное устройство обладает низким быстродействием, что не обеспечивает точности измерений при работе с лазером в импульсных режимах с частотой генерации импульсов выше 10 кГц, обладает нелинейной передаточной характеристикой, что требует дополнительной обработки сигнала и усложняет конструкцию. Кроме того, требует отслеживания нулевого уровня, что требует дополнительных средств для компенсации негативного эффекта и ведет к усложнению конструкции. Величина электрического импульса на электродах чувствительного элемента пироэлектрического детектора превышает 1 микросекунду, что исключает возможность его использования в случаях, когда частота генерации импульсов лазера превышает 10 килогерц. Также вследствие высокой длительности времени отклика электрического сигнала теряется вся информация о временных характеристиках импульса лазерного излучения.The known device has a low speed, which does not provide measurement accuracy when working with a laser in pulsed modes with a pulse generation frequency above 10 kHz, has a non-linear transfer characteristic, which requires additional signal processing and complicates the design. In addition, it requires tracking of the zero level, which requires additional funds to compensate for the negative effect and leads to the complexity of the design. The magnitude of the electric pulse at the electrodes of the sensitive element of the pyroelectric detector exceeds 1 microsecond, which excludes the possibility of its use in cases where the frequency of the laser pulse exceeds 10 kilohertz. Also, due to the high duration of the response time of the electrical signal, all information about the temporal characteristics of the laser pulse is lost.
Известно устройство для измерения временных характеристик импульсов лазерного излучения - сверхскоростной фотодиод (http://www.alphalas.com/images/stories/products/laser diagnostic tools/Ultrafast Pho todetectors UPD ALPHALAS.pdf).A device for measuring the temporal characteristics of laser pulses is an ultra-fast photodiode (http://www.alphalas.com/images/stories/products/laser diagnostic tools / Ultrafast Pho todetectors UPD ALPHALAS.pdf).
Устройство содержит чувствительный элемент и интерфейс для подключения к измерительному прибору. Чувствительный элемент представляет собой фотодиод на основе арсенида галлия. При воздействии оптического излучения за счет внутреннего фотоэффекта на электродах чувствительного элемента возникает разность потенциалов, пропорциональная мощности лазерного излучения. Преимуществом описанного устройства является огромное быстродействие (время отклика составляет около 50 пс). Недостатком устройства является малое значение верхней границы диапазона измеряемых мощностей лазерного излучения. Типичный верхний предел для высокоскоростного измерителя на основе фотодиодов составляет 100 нВт.The device contains a sensor and an interface for connecting to a measuring device. The sensitive element is a gallium arsenide photodiode. When exposed to optical radiation due to the internal photoelectric effect on the electrodes of the sensing element, a potential difference arises proportional to the power of the laser radiation. The advantage of the described device is its huge speed (response time is about 50 ps). The disadvantage of this device is the small value of the upper limit of the range of measured laser powers. A typical upper limit for a high speed photodiode meter is 100 nW.
Известно устройство для измерения энергии импульса лазерного излучения ультрафиолетового диапазона на основе фотоэлектрического эффекта пленок оксида индия-олова, выбранное в качестве прототипа, (патент РФ №170268, 04.08.2016, МПК G01J 11/00, G01J 1/42), содержащее чувствительный элемент на основе пленки оксида индия-олова, присоединенный к входу пикового детектора, пиковый детектор соединен с микроконтроллером, который выводит информацию на дисплей.A device is known for measuring the pulse energy of ultraviolet laser radiation based on the photoelectric effect of indium-tin oxide films, selected as a prototype (RF patent No. 170268, 08/04/2016, IPC G01J 11/00, G01J 1/42) containing a sensitive element based on an indium tin oxide film attached to the input of the peak detector, the peak detector is connected to a microcontroller that displays information.
При воздействии лазерного излучения на пленки оксида индия олова на краях пленки возникает разность потенциалов, максимальная величина которой пропорциональна энергии лазерного излучения. Величина максимальной разности потенциалов фотоэлектрического отклика фиксируется при помощи пикового детектора. Значение величины «фиксированной» разности потенциалов измеряется микроконтроллером и выводится на дисплей.When laser radiation acts on indium tin oxide films, a potential difference arises at the edges of the film, the maximum value of which is proportional to the energy of the laser radiation. The magnitude of the maximum potential difference of the photoelectric response is recorded using a peak detector. The value of the “fixed” potential difference is measured by the microcontroller and displayed.
По сравнению с пироэлектрическим детектором устройство, выбранное в качестве прототипа, обладает существенно большим быстродействием: время отклика пироэлектрического измерителя составляет около 10 мкс, время отклика измерителя на основе фотоэлектрического эффекта составляет около 2 нс.Compared with the pyroelectric detector, the device selected as a prototype has significantly higher speed: the response time of the pyroelectric meter is about 10 μs, the response time of the meter based on the photoelectric effect is about 2 ns.
Недостатками прототипа являются:The disadvantages of the prototype are:
- Недостаточное быстродействие. Паразитные емкости и сопротивления образуют интегрирующую цепь на входе пикового детектора и изменяют форму электрического импульса. Вследствие чего теряется возможность измерять временные параметры импульса лазерного излучения.- Inadequate performance. Spurious capacitances and resistances form an integrating circuit at the input of the peak detector and change the shape of the electric pulse. As a result, the ability to measure the temporal parameters of a laser pulse is lost.
- Ограниченный диапазон длин волн. Поскольку оксид индия-олова не поглощает в диапазоне длин волн от 360 нм до 900 нм, то у прототипа отсутствует возможность измерять энергию в указанном спектральном диапазоне.- Limited wavelength range. Since indium tin oxide does not absorb in the wavelength range from 360 nm to 900 nm, the prototype does not have the ability to measure energy in the specified spectral range.
Заявляемая полезная модель решает задачу расширения функциональных возможностей устройства за счет одновременного измерения параметров лазерного излучения: мощности и энергии лазерного излучения, а также временных параметров импульса: длительности импульса, времен нарастания и спада импульса лазерного излучения.The inventive utility model solves the problem of expanding the functionality of the device by simultaneously measuring the parameters of laser radiation: laser power and energy, as well as the time parameters of the pulse: pulse duration, rise and fall times of the laser pulse.
Особенно актуальной данная задача стоит для мощных импульсных лазеров, в частности эксимерных лазеров, длительность импульсов которых составляет 5-35 нс. Поскольку сфера применений эксимерных лазеров охватывает медицинские области, то измерение мощности и энергии и длительности оптического воздействия имеет особую актуальность.This problem is especially relevant for high-power pulsed lasers, in particular excimer lasers, the pulse duration of which is 5-35 ns. Since the scope of applications of excimer lasers covers medical fields, the measurement of power and energy and the duration of optical exposure is of particular relevance.
Поставленная задача решается следующим образом.The problem is solved as follows.
Устройство для измерения параметров импульса лазерного излучения включает чувствительный элемент, представляющего собой пластину с покрытием, выход которого соединен с входом микроконтроллера, выход которого соединен с дисплеем, покрытие чувствительного элемента представляет собой нитрид титана, нанесенное под углом менее 90° к поверхности подложки, микроконтроллер, снабжен аналогово-цифровом преобразователем с частотой сэмплирования не менее 6 Гсемплов/с и блоком памяти с размеров не менее 1024 ячеек.The device for measuring the parameters of the laser pulse includes a sensitive element, which is a coated plate, the output of which is connected to the input of the microcontroller, the output of which is connected to the display, the coating of the sensitive element is titanium nitride deposited at an angle of less than 90 ° to the surface of the substrate, the microcontroller, It is equipped with an analog-to-digital converter with a sampling frequency of at least 6 GSample / s and a memory unit with sizes of at least 1024 cells.
Сущность заявляемого устройства поясняется следующим. Нитрид титана является сильно вырожденным полупроводником с концентрацией свободных носителей, превышающей 1021 см3. Подвижность свободных носителей заряда превышает подвижность носителей заряда в пленках оксида индия-олова. Высокая концентрация свободных носителей ведет к увеличению проводимости и снижению собственной емкости покрытия, что в свою очередь приводит к увеличению быстродействия. Пленки нитрида титана наносятся под углом менее 90° к поверхности подложки. Пленка имеет поликристаллическую природу и представляет собой совокупность кристаллитов, растущих в виде столбиков. Экспериментальные исследования структуры пленок показали, что при напылении под углом столбики кристаллитов также растут под The essence of the claimed device is illustrated as follows. Titanium nitride is a highly degenerate semiconductor with a concentration of free carriers in excess of 10 21 cm 3 . The mobility of free charge carriers exceeds the mobility of charge carriers in indium-tin oxide films. A high concentration of free carriers leads to an increase in conductivity and a decrease in the intrinsic capacity of the coating, which in turn leads to an increase in performance. Titanium nitride films are applied at an angle of less than 90 ° to the surface of the substrate. The film has a polycrystalline nature and is a collection of crystallites growing in the form of columns. Experimental studies of the structure of the films showed that during sputtering at an angle, the columns of crystallites also grow under
углом. При воздействии мощного лазерного излучения на поверхность нитрида титана протекает фотоэлектронная эмиссия. Вследствие удаления электронов из приповерхностного слоя в каждом столбике возникает электрическое поле, ориентированное вдоль кристаллита. Поскольку столбики наклонены, то возникает ненулевая компонента электрического поля, направленная параллельно поверхности подложки, которая регистрируется при помощи измерительного прибора. angle. Under the influence of powerful laser radiation on the surface of titanium nitride, photoelectron emission occurs. Due to the removal of electrons from the near-surface layer, an electric field oriented along the crystallite arises in each column. Since the columns are tilted, a nonzero component of the electric field arises, parallel to the surface of the substrate, which is recorded using a measuring device.
Электрический сигнал с чувствительного элемента подается на вход аналогово-цифрового преобразователя микроконтроллера. Микроконтроллер записывает в память значения измеряемой разности потенциалов. Для получения значения мощности, как и в известных устройствах, требуется калибровка измерителя. Калибровочный коэффициент вводится в память каждого экземпляра устройства. При помощи микропроцессора производится пересчет значений измеряемой разности потенциалов фотоэлектрического отклика в значения мощности лазерного излучения.An electrical signal from the sensor is fed to the input of the analog-to-digital converter of the microcontroller. The microcontroller writes to the memory the values of the measured potential difference. To obtain a power value, as in known devices, calibration of the meter is required. A calibration factor is entered into the memory of each device instance. Using a microprocessor, the values of the measured potential difference of the photoelectric response are converted to the values of the laser radiation power.
Сущность заявляемого устройства поясняется чертежами, где на фиг. 1 изображена структурная схема устройства для измерения импульсов лазерного излучения, на фиг. 2 схематично изображена конструкция чувствительного элемента измерителя параметров импульсов лазерного излучения, на фиг. 3 - лазерный импульс и отклик с чувствительного элемента, приведены форма лазерного импульса и форма импульса, измеренная при помощи чувствительного элемента на основе нитрида титана. На фиг. 4 приведена зависимость максимальной величины фотонапряжения от энергии лазерного излучения.The essence of the claimed device is illustrated by drawings, where in FIG. 1 shows a block diagram of a device for measuring laser pulses, FIG. 2 schematically shows the construction of the sensor element of the laser pulse meter, FIG. 3 - laser pulse and response from the sensing element, shows the shape of the laser pulse and the shape of the pulse, measured using a sensitive element based on titanium nitride. In FIG. Figure 4 shows the dependence of the maximum photovoltage on the laser radiation energy.
Устройство для измерения параметров импульса лазерного излучения (фиг. 1) состоит из чувствительного элемента 1, аналого-цифрового преобразователя 2, входящего в состав микроконтроллера 3, и дисплея 4. Выход чувствительного элемента 1 соединен с входом аналогово-цифрового преобразователя 2 микроконтроллера 3. Выход микроконтроллера 3 присоединен к входу дисплея 4.The device for measuring the parameters of the laser pulse (Fig. 1) consists of a
Чувствительный элемент 1 представляет собой пластину 5 из диэлектрического материала с нанесенным покрытием нитрида титана 6. Пластина с покрытием помещается в корпус 7, изготовленный из пластика. Пластина с покрытием фиксируется при помощи прижимных металлических контактов 8.The
Микроконтроллер 3 должен иметь высокоскоростной АЦП 2 (частота семплирования должна составлять не менее 6 Гсемплов/сек). Модуль памяти должен содержать не менее 1024 ячеек.The
Устройство работает следующим образом: при воздействии лазерного излучения на покрытие 6 чувствительного элемента 1 на контактах 8 появляется электрический сигнал, который поступает на вход АЦП 2 микроконтроллера 3. На дисплее 4 выводится измеренный сигнал лазерного излучения.The device operates as follows: when the laser radiation acts on the coating 6 of the
В качестве конкретного примера предлагается устройство, в котором чувствительный элемент представляет собой пластину из силикатного стекла, на которую нанесено, например, с помощью магнетронного распыления, под углом 75° к поверхности подложки покрытие из нитрида титана. Пластина с покрытием нитрида титана помещается в пластиковый корпус и фиксируется прижимными медными контактами. Толщина покрытия составляет не менее 200 нм. Медные контакты при помощи проводов присоединяются ко входу АЦП микроконтроллера. В качестве микроконтроллера используют DRS4, производимый институтом Paul Scherrer Institute. В качестве дисплея - монитор персонального компьютера.As a specific example, a device is proposed in which the sensing element is a silicate glass plate, on which, for example, by magnetron sputtering, a titanium nitride coating is applied at an angle of 75 ° to the surface of the substrate. A plate coated with titanium nitride is placed in a plastic case and is fixed by clamping copper contacts. The coating thickness is at least 200 nm. Using copper wires, copper contacts are connected to the input of the ADC of the microcontroller. The microcontroller uses DRS4 manufactured by the Paul Scherrer Institute. The display is a personal computer monitor.
На фиг. 3 приведены результаты измерений лазерного импульса при помощи высокоскоростного фотоприемник Alfalas на основе фотодиодов и устройства, описанного в примере. Из графиков видно, что сигнал, измеряемый при помощи рассматриваемого устройства совпадает с формой импульса, измеренного с помощью фотоприемника Alfalas. Из изображения получаемого на экране дисплея можно определять:In FIG. Figure 3 shows the results of measurements of a laser pulse using a high-speed Alfalas photodetector based on photodiodes and the device described in the example. The graphs show that the signal measured using the device in question coincides with the shape of the pulse measured using the Alfalas photodetector. From the image received on the display screen, you can determine:
1. Мощность лазерного излучения в каждый момент времени определяется при помощи мгновенного значения напряжения и калибровочного коэффициента.1. The power of laser radiation at each moment of time is determined using the instantaneous voltage value and the calibration coefficient.
2. Длительность импульса определяется как ширина импульса при значение мощности, равной 1/2 от максимальной.2. The pulse duration is defined as the pulse width at a power value equal to 1/2 of the maximum.
3. Времена нарастания и спада определяют также из изображения мощности лазерного излучения.3. Rise and fall times are also determined from the image of the laser radiation power.
Максимальное значение фотонапряжения прямо пропорционально энергии импульса лазерного излучения (см. фиг. 4).The maximum photovoltage value is directly proportional to the energy of the laser pulse (see Fig. 4).
Таким образом, заявляемое устройство имеет более высокое быстродействие, поскольку используется материал с большей концентрацией и подвижностью электронов. Благодаря высокому быстродействию и уменьшению значений паразитных емкостей устройство позволяет измерять временные параметры импульса лазерного излучения: длительность импульса, время нарастания, время спада.Thus, the inventive device has a higher speed, because it uses a material with a higher concentration and mobility of electrons. Due to its high speed and decreasing parasitic capacitance values, the device allows measuring the temporal parameters of a laser pulse: pulse duration, rise time, fall time.
Нитрид титана поглощает лазерное излучения в области спектра 350-900 нм, что позволяет расширить его рабочий диапазон длин волн по сравнению с прототипом.Titanium nitride absorbs laser radiation in the spectral region of 350-900 nm, which allows to expand its operating wavelength range in comparison with the prototype.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018120051U RU187927U1 (en) | 2018-05-30 | 2018-05-30 | Device for measuring parameters of a pulse of laser radiation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018120051U RU187927U1 (en) | 2018-05-30 | 2018-05-30 | Device for measuring parameters of a pulse of laser radiation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU187927U1 true RU187927U1 (en) | 2019-03-25 |
Family
ID=65858825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018120051U RU187927U1 (en) | 2018-05-30 | 2018-05-30 | Device for measuring parameters of a pulse of laser radiation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU187927U1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112904400A (en) * | 2021-03-11 | 2021-06-04 | 南京邮电大学 | Ultrashort and ultrastrong laser pulse parameter measuring method and device |
| RU2800721C1 (en) * | 2022-08-16 | 2023-07-26 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики и электроэнергетики Российской академии наук (ИЭЭ РАН) | Device for measuring the energy of laser pulses |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5048969A (en) * | 1989-11-20 | 1991-09-17 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Piezoelectric measurement of laser power |
| EP3022537B1 (en) * | 2013-07-17 | 2017-04-19 | Coherent, Inc. | Laser power and energy sensor utilizing anisotropic thermoelectric material |
| RU170268U1 (en) * | 2016-08-04 | 2017-04-19 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Device for measuring the pulse energy of the ultraviolet laser radiation |
| RU2636256C2 (en) * | 2016-02-09 | 2017-11-21 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова" | Method for measuring power and frequency of laser radiation pulses and device for its implementation |
-
2018
- 2018-05-30 RU RU2018120051U patent/RU187927U1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5048969A (en) * | 1989-11-20 | 1991-09-17 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Piezoelectric measurement of laser power |
| EP3022537B1 (en) * | 2013-07-17 | 2017-04-19 | Coherent, Inc. | Laser power and energy sensor utilizing anisotropic thermoelectric material |
| RU2636256C2 (en) * | 2016-02-09 | 2017-11-21 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова" | Method for measuring power and frequency of laser radiation pulses and device for its implementation |
| RU170268U1 (en) * | 2016-08-04 | 2017-04-19 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Device for measuring the pulse energy of the ultraviolet laser radiation |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112904400A (en) * | 2021-03-11 | 2021-06-04 | 南京邮电大学 | Ultrashort and ultrastrong laser pulse parameter measuring method and device |
| RU2800721C1 (en) * | 2022-08-16 | 2023-07-26 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики и электроэнергетики Российской академии наук (ИЭЭ РАН) | Device for measuring the energy of laser pulses |
| RU2815712C1 (en) * | 2023-06-21 | 2024-03-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт машиноведения им. А.А. Благонравова Российской академии наук (ИМАШ РАН) | Laser radiation pulse parameters meter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101404117B1 (en) | Ultraviolet Detector and Dosimeter | |
| CN112986951B (en) | Method for measuring reflectivity of target object by using laser radar and laser radar | |
| RU187927U1 (en) | Device for measuring parameters of a pulse of laser radiation | |
| Garutti et al. | Silicon Photomultiplier characterization and radiation damage investigation for high energy particle physics applications | |
| CN112683398B (en) | Solid laser power measurement calibration method and device | |
| Lazov et al. | Methods for measuring laser power | |
| RU170268U1 (en) | Device for measuring the pulse energy of the ultraviolet laser radiation | |
| Bassignana et al. | First investigation of a novel 2D position-sensitive semiconductor detector concept | |
| CN109473488B (en) | Visible blind ultraviolet detector and preparation method thereof | |
| Bhattacharya et al. | Characterization of Yb2O3 based optical temperature sensor for high temperature applications | |
| Schneider et al. | Characterization of blue sensitive 3× 3 mm2 SiPMs and their use in PET | |
| Kao et al. | Pyroelectric Ta-modified LiNbO3 thin films and devices for thermal infrared detection | |
| Saha et al. | Flexible capacitive UV sensor for future wearables | |
| Hobbs et al. | Evaluation of phase sensitive detection method and Si avalanche photodiode for radiation thermometry | |
| Dolinsky | Novel approach for calibration breakdown voltage of large area SiPM | |
| Koop et al. | Infrared optical sensor for measuring internal interfacial wave motions | |
| Mikheev et al. | A Nanographite film-based fast response detector for intense laser radiation | |
| RU184584U1 (en) | Photoelectric sensor for detecting optical radiation | |
| Satapathy et al. | Fabrication of pyroelectric laser-energy meters and their characterization using Nd: YAG laser of variable pulse-width | |
| CN114739433B (en) | Photoelectric sensor signal reading circuit and photoelectric sensor device | |
| Galiano et al. | Pyroelectric detectors for IR/THz waves based on amorphous Y-Ba-Cu-O: Analytical modeling of the observed fast response | |
| V’yukhin et al. | Recording of Low-Power Nanosecond Radiation Pulses by a Detector Based on a Thin-Film Pyroelectric Structure | |
| Feng et al. | Research in absolute calibration of single photon detectors by means of correlated photons | |
| Zhao et al. | Manganite heterojunction photodetectors for femtosecond pulse laser measurements | |
| Malik et al. | New application of surface-barrier GaP photodiodes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM9K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20200531 |