RU185925U1 - Reversible transistor bridge - Google Patents
Reversible transistor bridge Download PDFInfo
- Publication number
- RU185925U1 RU185925U1 RU2018131889U RU2018131889U RU185925U1 RU 185925 U1 RU185925 U1 RU 185925U1 RU 2018131889 U RU2018131889 U RU 2018131889U RU 2018131889 U RU2018131889 U RU 2018131889U RU 185925 U1 RU185925 U1 RU 185925U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistors
- conductivity
- power supply
- supply voltage
- transistor
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02K—DYNAMO-ELECTRIC MACHINES
- H02K47/00—Dynamo-electric converters
- H02K47/12—DC/DC converters
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/12—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/145—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
- H02M7/155—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only
- H02M7/162—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only in a bridge configuration
Abstract
Реверсивный транзисторный мост предназначен для использования в качестве электрического коммутирующего устройства, а именно устройства, осуществляющего изменение направления тока через нагрузку. В качестве двух из четырех транзисторов реверсивного транзисторного моста использованы транзисторы n-p-n проводимости, соединенные эмиттерами и подключенные к минусу постоянного силового питающего напряжения. В качестве двух других транзисторов реверсивного транзисторного моста использованы транзисторы p-n-р проводимости, соединенные эмиттерами и подключенные к плюсу постоянного силового питающего напряжения. Коллекторы транзисторов противоположной проводимости объединены попарно, причем одна пара подключена к первому входу нагрузки, а другая пара подключена ко второму входу нагрузки. Базы транзисторов n-p-n проводимости через сопротивления подключены к минусу постоянного силового питающего напряжения для надежного запирания транзисторов n-p-n проводимости. Базы транзисторов p-n-р проводимости через сопротивления подключены к плюсу постоянного силового питающего напряжения для надежного запирания транзисторов p-n-р проводимости. Базы расположенных противоположно по диагонали транзисторов разной проводимости соединены посредствам оптопар для открытия соответствующих транзисторов. Значительно упрощается конструкция устройства введением цепочек, содержащих две оптопары, при отсутствии независимых изолированных источников питания постоянного тока в системе управления транзисторами, с одновременным повышением надежности исключением риска короткого замыкания. The reversible transistor bridge is intended for use as an electrical switching device, namely a device that changes the direction of the current through the load. Conductivity npn transistors connected by emitters and connected to the minus of the constant power supply voltage are used as two of the four transistors of the reverse transistor bridge. The pn-p conductivity transistors connected by emitters and connected to the plus of a constant power supply voltage are used as two other transistors of a reversible transistor bridge. The collectors of transistors of opposite conductivity are combined in pairs, with one pair connected to the first input of the load, and the other pair connected to the second input of the load. The base of the transistors npn conduction through the resistance is connected to the minus of the constant power supply voltage for reliable locking transistors npn conduction. The base of transistors pn-p conduction through the resistance is connected to the plus of the constant power supply voltage for reliable locking transistors pn-p conduction. The bases of transistors of different conductivity opposite the diagonal are connected by means of optocouplers to open the corresponding transistors. The design of the device is greatly simplified by the introduction of chains containing two optocouplers, in the absence of independent isolated DC power supplies in the transistor control system, while increasing reliability while eliminating the risk of short circuit.
Description
Предлагаемая полезная модель относится к электрическим коммутирующим устройствам, а именно к устройствам, осуществляющим изменение направления тока через нагрузку.The proposed utility model relates to electrical switching devices, and in particular to devices implementing a change in the direction of the current through the load.
Известно устройство осуществления реверсивной коммутации, содержащее в котором в качестве коммутирующих элементов механические ключи, попарно соединенные между собой через нагрузку и подключенные к источнику постоянного силового напряжения. Первый вход первого ключа и первый вход второго ключа устройства объединены между собой, и через индуктивность подключены к источнику постоянного силового напряжения. Второй вход первого ключа и первый вход третьего ключа объединены между собой и подключены к первому входу нагрузки. Второй вход второго ключа и первый вход четвертого ключа объединены между собой и подключены ко второму входу нагрузки. Второй вход третьего ключа и второй вход четвертого ключа объединены между собой и подключены к источнику постоянного силового напряжения. Механическая коммутация происходит путем периодического механического замыкания и размыкания групп контактов для изменения полярности напряжения, подаваемого к нагрузке. Таким образом, ток в нагрузке протекает в требуемом направлении (Розанов Ю.К. Силовая электроника: учебник для вузов / Ю.К. Розанов, М.В. Рябчицкий, А.А. Кваснюк. - 2-е изд., стереотипное. - М.: Издательский дом МЭИ, 2009. - С. 347, рис. 7.1.а).A device for performing reverse switching is known, which comprises, as switching elements, mechanical keys coupled to each other through a load and connected to a constant voltage source. The first input of the first key and the first input of the second key of the device are interconnected, and through an inductance are connected to a constant voltage source. The second input of the first key and the first input of the third key are interconnected and connected to the first input of the load. The second input of the second key and the first input of the fourth key are interconnected and connected to the second input of the load. The second input of the third key and the second input of the fourth key are interconnected and connected to a constant voltage source. Mechanical switching occurs by periodic mechanical closing and opening of contact groups to change the polarity of the voltage supplied to the load. Thus, the current in the load flows in the required direction (Rozanov Yu.K. Power Electronics: a textbook for high schools / Yu.K. Rozanov, M.V. Ryabchitsky, A.A. Kvasnyuk. - 2nd ed., Stereotyped. - M .: Publishing House MPEI, 2009. - S. 347, Fig. 7.1.a).
Однако описанное устройство имеет следующие недостатки, вызванные механическим замыканием и размыканием группы контактов: низкая надежность, низкое быстродействие во время переключения, увеличенные габариты и появление электрической дуги во время замыкания и размыкания контактов.However, the described device has the following disadvantages caused by mechanical closure and opening of the contact group: low reliability, low speed during switching, increased dimensions and the appearance of an electric arc during closing and opening of contacts.
Наиболее близким к предлагаемой модели по технической сущности и достигаемому результату (прототипом), является реверсивный транзисторный мост, содержащий четыре транзистора одинаковой проводимости, а именно, n-p-n проводимости, которым для управления по базовой цепи необходимо четыре изолированных источника постоянного тока. Все транзисторы подключены к нагрузке. Изменение направления тока в нагрузке происходит путем включения соответствующей группы транзисторов. Коллекторы первого и третьего транзисторов объединены и подключены к плюсу постоянного силового питающего напряжения и катодам первого и третьего диодов соответственно. Эмиттеры второго и четвертого транзисторов объединены и подключены к минусу постоянного силового питающего напряжения и к анодам второго и четвертого диодов соответственно. Эмиттер первого транзистора и коллектор четвертого транзистора объединены и подключены к первому входу нагрузки, а также - к аноду первого диода и катоду четвертого диода. Эмиттер третьего транзистора и коллектор второго транзистора объединены и подключены ко второму входу нагрузки, а также - к аноду третьего диода и катоду второго диода (Гельман М.В. Преобразовательная техника: учебное пособие / М.В. Гельман, М.М. Дудкин, К.А. Преображенский. - Челябинск: Издательский центр ЮУрГУ, 2009. - С. 211, рисунок 10.12).The closest to the proposed model in terms of technical nature and the achieved result (prototype) is a reversible transistor bridge containing four transistors of the same conductivity, namely, n-p-n conductivity, which requires four isolated DC sources to control the base circuit. All transistors are connected to the load. Changing the direction of the current in the load occurs by switching on the corresponding group of transistors. The collectors of the first and third transistors are combined and connected to the plus of the constant power supply voltage and the cathodes of the first and third diodes, respectively. The emitters of the second and fourth transistors are combined and connected to the minus of the constant power supply voltage and to the anodes of the second and fourth diodes, respectively. The emitter of the first transistor and the collector of the fourth transistor are combined and connected to the first input of the load, as well as to the anode of the first diode and the cathode of the fourth diode. The emitter of the third transistor and the collector of the second transistor are combined and connected to the second input of the load, as well as to the anode of the third diode and the cathode of the second diode (Gelman M.V. Conversion technique: training manual / M.V. Gelman, M.M. Dudkin, KA Preobrazhensky. - Chelyabinsk: Publishing Center of SUSU, 2009. - P. 211, Figure 10.12).
Однако это устройство имеет сложную громоздкую конструкцию вследствие необходимости наличия четырех независимых изолированных источников постоянного тока в системе управления коммутирующими транзисторами и пониженной надежности вследствие возможного увеличения риска короткого замыкания между изолированными источниками питания цепей управления транзисторами и силовой частью реверсивного транзисторного моста.However, this device has a complex bulky design due to the need for four independent isolated DC sources in the switching transistor control system and reduced reliability due to a possible increase in the risk of a short circuit between the isolated transistor control power supply sources and the power part of the reverse transistor bridge.
Техническая проблема, решение которой обеспечивается при осуществлении полезной модели, заключается в создании реверсивного транзисторного моста упрощенной компактной конструкции путем обеспечения отсутствия использования независимых изолированных источников питания постоянного тока в системе управления транзисторами при повышенной надежности исключением риска короткого замыкания.The technical problem that can be solved by implementing the utility model is to create a reversible transistor bridge with a simplified compact design by ensuring the absence of the use of independent isolated DC power supplies in the transistor control system with increased reliability eliminating the risk of short circuit.
Решение данной технической проблемы достигается тем, что в реверсивном транзисторном мосту, содержащем четыре транзистора, в качестве двух из которых использованы транзисторы n-p-n проводимости, соединенные эмиттерами и подключенные к минусу постоянного силового питающего напряжения, при этом транзисторы подключены к нагрузке, согласно полезной модели в качестве двух других транзисторов реверсивного транзисторного моста использованы транзисторы р-n-р проводимости, соединенные эмиттерами и подключенные к плюсу постоянного силового питающего напряжения. При этом коллекторы транзисторов противоположной проводимости объединены попарно, причем одна пара подключена к первому входу нагрузки, а другая пара подключена ко второму входу нагрузки. Базы транзисторов n-р-n проводимости через сопротивления подключены к минусу постоянного силового питающего напряжения для надежного запирания транзисторов n-р-n проводимости. Базы транзисторов p-n-р проводимости через сопротивления подключены к плюсу постоянного силового питающего напряжения для надежного запирания транзисторов р-n-р проводимости. Базы расположенных противоположно по диагонали транзисторов разной проводимости соединены посредствам оптопар для открытия соответствующих транзисторов.The solution to this technical problem is achieved by the fact that in a reverse transistor bridge containing four transistors, two of which are npn conductivity transistors connected by emitters and connected to the negative of the constant power supply voltage, while the transistors are connected to the load, according to the utility model, as two other transistors reverse transistor bridge used transistors pnp conductivity connected by emitters and connected to the plus of a constant power pi ayuschego voltage. In this case, the collectors of the transistors of the opposite conductivity are combined in pairs, with one pair connected to the first input of the load, and the other couple connected to the second input of the load. The base of transistors of n-pn conductivity through resistors is connected to the minus of a constant power supply voltage for reliable locking of transistors of npn conductivity. The base of pnp transistors through resistors is connected to the plus of the constant power supply voltage for reliable locking of pnp transistors. The bases of transistors of different conductivity opposite the diagonal are connected by means of optocouplers to open the corresponding transistors.
Упрощение и соответствующая компактность конструкции при повышенной ее надежности обусловлены введением цепочек, содержащих две оптопары, при отсутствии использования четырех изолированных источников постоянного тока в цепи база-эмиттер.The simplification and the corresponding compactness of the structure with its increased reliability are due to the introduction of chains containing two optocouplers, in the absence of the use of four isolated DC sources in the base-emitter circuit.
Предлагаемая полезная модель поясняется чертежом, где на фиг. 1 приведена схема реверсивного транзисторного моста; на фиг. 2 схематично показана работа реверсивного транзисторного моста.The proposed utility model is illustrated in the drawing, where in FIG. 1 shows a diagram of a reverse transistor bridge; in FIG. 2 schematically shows the operation of a reversible transistor bridge.
Кроме того, на чертеже используются следующие обозначения:In addition, the following notation is used in the drawing:
- VT1, VT3 - транзисторы р-n-р проводимости;- VT1, VT3 - transistors rnp conductivity;
- VT2, VT4 - транзисторы n-р-n проводимости;- VT2, VT4 - transistors n-pn conductivity;
- Rl, R2, R3, R4 - сопротивления;- Rl, R2, R3, R4 - resistance;
- Rn - сопротивление нагрузки;- Rn is the load resistance;
- VD1, VD2 - оптопары;- VD1, VD2 - optocouplers;
- «-» - минус постоянного силового напряжения;- “-” - minus constant power voltage;
- «+» - плюс постоянного силового напряжения;- “+” - plus constant power voltage;
- прямой линией со стрелкой показано направление тока вперед в нагрузке;- a straight line with an arrow shows the direction of the current forward in the load;
- дискретной линией со стрелкой показано направление тока назад в нагрузке.- a discrete line with an arrow shows the direction of the current backward in the load.
Реверсивный транзисторный мост содержит два транзистора n-р-n проводимости, эмиттеры которых объединены и подключены к минусу постоянного силового питающего напряжения и два транзистора р-n-р проводимости, эмиттеры которых объединены и подключены к плюсу постоянного силового питающего напряжения. Коллекторы транзисторов противоположной проводимости объединены попарно, причем одна пара транзисторов противоположной проводимости подключена к первому входу нагрузки, а другая пара транзисторов противоположной проводимости подключена ко второму входу нагрузки. Базы транзисторов n-р-n проводимости через сопротивления подключены к минусу постоянного силового питающего напряжения для надежного запирания транзисторов n-р-n проводимости. Базы транзисторов р-n-р проводимости через сопротивления подключены к плюсу силового питающего напряжения для надежного запирания транзисторов р-n-р проводимости. Базы противоположных по диагонали транзисторов разной проводимости соединены посредствам оптопар для открытия соответствующих транзисторов.The reverse transistor bridge contains two transistors of n-pn conductivity, the emitters of which are combined and connected to the minus of the constant power supply voltage and two transistors of pnp conductivity, the emitters of which are combined and connected to the plus of the constant power supply voltage. The collectors of the transistors of the opposite conductivity are combined in pairs, with one pair of transistors of the opposite conductivity connected to the first input of the load, and the other pair of transistors of the opposite conductivity connected to the second input of the load. The base of transistors of n-pn conductivity through resistors is connected to the minus of a constant power supply voltage for reliable locking of transistors of npn conductivity. The base of the transistors pnp conductivity through the resistance connected to the plus of the power supply voltage for reliable locking transistors pnp conductivity. Bases of diagonally opposite transistors of different conductivity are connected via optocouplers to open the corresponding transistors.
Пример выполнения реверсивного транзисторного моста представлен на фигуре 1. Реверсивный транзисторный мост содержит четыре транзистора: транзистор 1 (VT1) р-n-р проводимости и транзистор 2 (VT3) р-n-р проводимости, соединенные эмиттерами и подключенные к плюсу постоянного силового питающего напряжения, транзистор 3 (VT2) n-р-n проводимости и транзистор 4 (VT4) n-р-n проводимости, соединенные эмиттерами и подключенные к минусу постоянного силового питающего напряжения.An example of a reverse transistor bridge is shown in figure 1. The reverse transistor bridge contains four transistors: transistor 1 (VT1) pnp conductivity and transistor 2 (VT3) pnp conductivity, connected by emitters and connected to the plus of the constant power supply voltage transistor 3 (VT2) npn conductivity and transistor 4 (VT4) npn conductivity connected by emitters and connected to the negative of the constant power supply voltage.
База транзистора 3 (VT2) n-р-n проводимости и база транзистора 4 (VT4) n-р-n проводимости через сопротивление 5 (R2) и сопротивление 6 (R4) соответственно подключены к минусу постоянного силового питающего напряжения для надежного запирания транзисторов n-р-n проводимости. База транзистора 1 (VT1) р-n-р проводимости и база транзистора 2 (VT3) р-n-р проводимости через сопротивление 7 (R1) и сопротивление 8 (R3) соответственно подключены к плюсу постоянного силового питающего напряжения для надежного запирания транзисторов р-n-р проводимости.The base of the transistor 3 (VT2) n-pn conductivity and the base of the transistor 4 (VT4) n-pn conductivity through resistance 5 (R2) and resistance 6 (R4) are respectively connected to the minus of the constant power supply voltage for reliable locking of transistors n pn conductivity. The base of the transistor 1 (VT1) conductivity rnp and the base of the transistor 2 (VT3) conductivity rn p through resistance 7 (R1) and resistance 8 (R3) are respectively connected to the plus of the constant power supply voltage for reliable locking of the transistors p -n-p conductivity.
Базы расположенных противоположно по диагонали транзистора 3 (VT2) n-р-n проводимости и транзистора 2 (VT3) р-n-р проводимости соединены через оптопару 9 (VD1). Базы расположенных противоположно по диагонали транзистора 4 (VT4) n-р-n проводимости и транзистора 1 (VT1) р-n-р проводимости соединены через оптопару 10 (VD2).The bases located opposite the diagonal of the transistor 3 (VT2) n-pn conductivity and the transistor 2 (VT3) pnp conductivity are connected through an optocouple 9 (VD1). The bases located opposite the diagonal of the transistor 4 (VT4) n-pn conductivity and the transistor 1 (VT1) p-np conductivity are connected through an optocouple 10 (VD2).
Коллекторы транзистора 2 (VT3) р-n-р проводимости и транзистора 4 (VT4) n-р-n проводимости объединены и подключены к первому входу 11 нагрузки 12 (Rn). Коллекторы транзистора 1 (VT1) р-n-р проводимости и транзистора 3 (VT2) n-р-n проводимости объединены и подключены к второму выходу 13 нагрузки 12 (Rn).The collectors of transistor 2 (VT3) pnp conductivity and transistor 4 (VT4) npn conductivity are combined and connected to the
Работа реверсивного транзисторного моста происходит следующим образом.The reverse transistor bridge is as follows.
Для прохождения тока через нагрузочное сопротивление в направлении вперед, указанном сплошной стрелкой на фиг. 1, в момент времени t1 (фиг. 2) подается сигнал на оптопару 9 (VD1). Ток начинает протекать по пути: плюс постоянного силового питающего напряжения, эмиттер транзистора 2 (VT3), база транзистора 2 (VT3), оптопара 9 (VD1), база транзистора 3 (VT2), эмиттер транзистора 3 (VT2), минус постоянного силового питающего напряжения, что приводит к открытию транзисторов 3 (VT2), 2 (VT3). Так как транзисторы 3 (VT2) и 2 (VT3) открыты, ток протекает по следующему направлению через нагрузку 12 (Rn): плюс постоянного силового питающего напряжения, эмиттер транзистора 2 (VT3), коллектор транзистора 2 (VT3), нагрузка 12 (Rn), эмиттер транзистора 3 (VT2), коллектор транзистора 3 (VT2), минус постоянного силового питающего напряжения. В момент времени t2 перестает подаваться управляющий сигнал на оптопару 9 (VD1) и происходит закрытие транзисторов 3 (VT2) и 2 (VT3). Для прохождения тока в направлении назад через нагрузку 12 (Rn), указанного пунктирной стрелкой (фиг. 1), в момент времени t3 подается сигнал на оптопару 10 (VD2). Ток начинает протекать по пути: плюс постоянного силового питающего напряжения, эмиттер транзистора 1 (VT1), база транзистора 1 (VT1), оптопара 10 (VD2), база транзистора 4 (VT4), эмиттер транзистора 4 (VT4), минус постоянного силового питающего напряжения, что приводит к открытию транзисторов 1 (VT1), 4 (VT4). Так как транзисторы 1 (VT1) и 4 (VT4) открыты, ток протекает по следующему пути: плюс постоянного силового питающего напряжения, эмиттер транзистора 1 (VT1), коллектор транзистора 1 (VT1), вход 11 нагрузки 12 (Rn), нагрузка 12 (Rn), эмиттер транзистора 4 (VT4), коллектор транзистора 4 (VT4), минус постоянного силового питающего напряжения. В момент времени t4 перестает подаваться управляющий сигнал на оптопару 10 (VD2), и происходит закрытие транзисторов 1 (VT1) и 4 (VT4).For the current to pass through the load resistance in the forward direction indicated by the solid arrow in FIG. 1, at time t1 (FIG. 2), a signal is supplied to the optocoupler 9 (VD1). Current begins to flow along the path: plus a constant power supply voltage, emitter of transistor 2 (VT3), base of transistor 2 (VT3), optocoupler 9 (VD1), base of transistor 3 (VT2), emitter of transistor 3 (VT2), minus constant power supply voltage, which leads to the opening of transistors 3 (VT2), 2 (VT3). Since transistors 3 (VT2) and 2 (VT3) are open, the current flows in the following direction through load 12 (Rn): plus a constant power supply voltage, emitter of transistor 2 (VT3), collector of transistor 2 (VT3), load 12 (Rn ), the emitter of transistor 3 (VT2), the collector of transistor 3 (VT2), minus the constant power supply voltage. At time t2, the control signal to the optocoupler 9 (VD1) ceases to be applied and transistors 3 (VT2) and 2 (VT3) are closed. To pass the current backward through the load 12 (Rn), indicated by the dashed arrow (Fig. 1), at time t3 a signal is applied to the optocoupler 10 (VD2). Current begins to flow along the path: plus a constant power supply voltage, emitter of transistor 1 (VT1), base of transistor 1 (VT1), optocoupler 10 (VD2), base of transistor 4 (VT4), emitter of transistor 4 (VT4), minus constant power supply voltage, which leads to the opening of transistors 1 (VT1), 4 (VT4). Since transistors 1 (VT1) and 4 (VT4) are open, the current flows along the following path: plus a constant power supply voltage, emitter of transistor 1 (VT1), collector of transistor 1 (VT1),
Таким образом, предлагаемый реверсивный транзисторный мост имеет преимущество перед реверсивным транзисторным мостом, выбранным в качестве прототипа, заключающееся в упрощении и обеспечении соответствующей компактности конструкции путем замены четырех изолированных источников питания в цепи база-эмиттер на цепочки, содержащие оптопары, при исключении риска возможного короткого замыкания силовой цепью и цепью системы управления.Thus, the proposed reversible transistor bridge has an advantage over the reversed transistor bridge, selected as a prototype, which consists in simplifying and ensuring appropriate design compactness by replacing four isolated power sources in the base-emitter circuit with chains containing optocouplers, eliminating the risk of a possible short circuit power circuit and control system circuit.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2018131889U RU185925U1 (en) | 2018-09-04 | 2018-09-04 | Reversible transistor bridge |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2018131889U RU185925U1 (en) | 2018-09-04 | 2018-09-04 | Reversible transistor bridge |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU185925U1 true RU185925U1 (en) | 2018-12-25 |
Family
ID=64754049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2018131889U RU185925U1 (en) | 2018-09-04 | 2018-09-04 | Reversible transistor bridge |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU185925U1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU211320U1 (en) * | 2022-02-14 | 2022-05-31 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ) | Transistor reverser |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2020720C1 (en) * | 1990-08-09 | 1994-09-30 | Анатолий Данилович Негода | Reversible electric drive |
RU121971U1 (en) * | 2011-07-12 | 2012-11-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ) | REVERSE THREE-PHASE BRIDGE TRANSISTOR CONVERTER |
RU2485664C1 (en) * | 2012-01-11 | 2013-06-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ) | Reversible one-phase bridge transistor converter |
CN203243239U (en) * | 2013-05-10 | 2013-10-16 | 东风汽车电气有限公司 | Low-rectification loss synchronous rectifier of optical coupler automobile generator |
CN104009636A (en) * | 2014-06-06 | 2014-08-27 | 河南恒安通信设备有限责任公司 | Novel circuit board for mine guard grating |
-
2018
- 2018-09-04 RU RU2018131889U patent/RU185925U1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2020720C1 (en) * | 1990-08-09 | 1994-09-30 | Анатолий Данилович Негода | Reversible electric drive |
RU121971U1 (en) * | 2011-07-12 | 2012-11-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ) | REVERSE THREE-PHASE BRIDGE TRANSISTOR CONVERTER |
RU2485664C1 (en) * | 2012-01-11 | 2013-06-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ) | Reversible one-phase bridge transistor converter |
CN203243239U (en) * | 2013-05-10 | 2013-10-16 | 东风汽车电气有限公司 | Low-rectification loss synchronous rectifier of optical coupler automobile generator |
CN104009636A (en) * | 2014-06-06 | 2014-08-27 | 河南恒安通信设备有限责任公司 | Novel circuit board for mine guard grating |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU211320U1 (en) * | 2022-02-14 | 2022-05-31 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ) | Transistor reverser |
RU214106U1 (en) * | 2022-02-14 | 2022-10-12 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ) | Transistor reversing switch |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0399517A (en) | Signal level converter | |
RU185925U1 (en) | Reversible transistor bridge | |
CN110971224A (en) | Control circuit and contactless switch | |
KR0157672B1 (en) | Photo-coupler apparatus | |
RU214106U1 (en) | Transistor reversing switch | |
RU211320U1 (en) | Transistor reverser | |
RU189780U1 (en) | Backup Power Device | |
JPS593896B2 (en) | bipolar transistor switch device | |
SU1522360A1 (en) | Device for controlling thyristor power gate | |
RU207064U1 (en) | SWITCHING TRANSISTOR DEVICE | |
US3546627A (en) | Transistor high current switching and inverter circuits | |
RU1798911C (en) | Analog commutator | |
SU1081755A1 (en) | A.c.transistor gate | |
SU748714A1 (en) | Device for control of power transistor switch | |
SU349065A1 (en) | TWO-TERM TRANSISTOR CONVERTER | |
JPS6325775Y2 (en) | ||
RU1793541C (en) | Switch device | |
RU1798898C (en) | Output pulse generator | |
SU1270878A1 (en) | Device for charging reservoir capacitor | |
SU502501A1 (en) | AC key | |
SU403060A1 (en) | TRANSISTOR SWITCHING DEVICE | |
SU892627A1 (en) | Push-pull inverter | |
SU617844A1 (en) | Tlec-to-ttl converter | |
SU949790A1 (en) | Bipolar-to-unipolar signal converter | |
SU1238198A1 (en) | Class d amplifier |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM9K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20190905 |