RU184560U1 - POWER SEMICONDUCTOR MODULE - Google Patents

POWER SEMICONDUCTOR MODULE Download PDF

Info

Publication number
RU184560U1
RU184560U1 RU2018118040U RU2018118040U RU184560U1 RU 184560 U1 RU184560 U1 RU 184560U1 RU 2018118040 U RU2018118040 U RU 2018118040U RU 2018118040 U RU2018118040 U RU 2018118040U RU 184560 U1 RU184560 U1 RU 184560U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
external power
ceramic board
positive
negative
power
Prior art date
Application number
RU2018118040U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Игорь Павлович Воронин
Павел Анатольевич Воронин
Евгений Сергеевич Лапин
Алексей Геннадьевич Праведнов
Original Assignee
Публичное акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭНЕРГОМОДУЛЬ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Публичное акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭНЕРГОМОДУЛЬ" filed Critical Публичное акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭНЕРГОМОДУЛЬ"
Priority to RU2018118040U priority Critical patent/RU184560U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU184560U1 publication Critical patent/RU184560U1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

Использование: для проектирования многокристальных модулей. Сущность полезной модели заключается в том, что силовой полупроводниковый модуль состоит из основной керамической платы с двусторонней металлизацией, на поверхности которой сформированы первая и вторая контактные площадки с установленными на них полупроводниковыми кристаллами с межкомпонентными проволочными соединениями, имеющий положительный, отрицательный и общий внешние силовые выводы, при этом положительный внешний силовой вывод присоединен к первой контактной площадке, а общий внешний силовой вывод присоединен ко второй контактной площадке, при этом на вторую контактную площадку основной керамической платы напаяна дополнительная керамическая плата с двусторонней металлизацией, к поверхности которой присоединен отрицательный внешний силовой вывод и межкомпонентные проволочные соединения полупроводниковых кристаллов, установленных на второй контактной площадке основной керамической платы, внешние силовые выводы выполнены на основе гибких металлизированных лент с перфорированными основаниями, при этом положительный и отрицательный внешние силовые выводы изогнуты таким образом, что образуют плоскопараллельную конструкцию как между собой, так и между межкомпонентными проволочными соединениями на основной керамической плате. Технический результат: обеспечение возможности снижения паразитной индуктивности внешних силовых выводов модуля. 4 ил.

Figure 00000003
Use: for designing multi-chip modules. The essence of the utility model is that the power semiconductor module consists of a main ceramic board with double-sided metallization, on the surface of which the first and second contact pads are formed with semiconductor crystals installed on them with inter-component wire connections, having positive, negative and common external power leads, wherein a positive external power terminal is connected to the first contact pad, and a common external power terminal is connected to the second terminal an active site, while an additional ceramic board with double-side metallization is soldered to the second contact area of the main ceramic board, to the surface of which a negative external power terminal and interconnect wire connections of semiconductor crystals installed on the second contact area of the main ceramic board are connected, the external power terminals are based on flexible metallized tapes with perforated bases, with positive and negative external power the waters are bent in such a way that they form a plane-parallel structure both between themselves and between intercomponent wire connections on the main ceramic board. Effect: providing the ability to reduce the parasitic inductance of the external power terminals of the module. 4 ill.
Figure 00000003

Description

Полезная модель относится к области силовой электроники, в частности к конструированию гибридных силовых модулей, и может быть использована при проектировании многокристальных модулей, внешние силовые выводы которых обладают малой паразитной индуктивностью.The utility model relates to the field of power electronics, in particular to the design of hybrid power modules, and can be used in the design of multi-chip modules, the external power terminals of which have a low parasitic inductance.

Известен силовой полупроводниковый модуль, внешние силовые выводы которого являются положительным, отрицательным и общим выводами схемы полумоста, при этом внешние контактные отверстия указанных силовых выводов расположены в одной плоскости и следуют одна за другой в указанной последовательности вдоль общего направления (US 5646445 А, 08.06.1997). Указанное расположение внешних контактных отверстий силовых выводов модуля полумоста является унифицированным конструктивным решением, позволяющим использовать в одной и той же схеме силовые модули полумостов различных производителей. Недостатком данной конструкции является повышенная паразитная индуктивность внешних силовых выводов силового модуля.A power semiconductor module is known, the external power terminals of which are the positive, negative and common terminals of the half-bridge circuit, while the external contact holes of these power terminals are located in the same plane and follow one after the other in the indicated sequence along the general direction (US 5646445 A, June 8, 1997) ) The specified location of the external contact holes of the power terminals of the half-bridge module is a unified design solution that allows the use of half-bridge power modules of various manufacturers in the same circuit. The disadvantage of this design is the increased parasitic inductance of the external power terminals of the power module.

Наиболее близким по технической сути к заявляемому решению является силовой полупроводниковый модуль, состоящий из основной керамической платы с двусторонней металлизацией, на поверхности которой сформированы первая и вторая контактные площадки с установленными на них полупроводниковыми кристаллами с межкомпонентными проволочными соединениями, имеющий положительный, отрицательный и общий внешние силовые выводы, при этом положительный внешний силовой вывод присоединен к первой контактной площадке, а общий внешний силовой вывод присоединен ко второй контактной площадке (US 6212087 В1, 03.04.2001). В устройстве прототипа положительный и отрицательный силовые выводы образуют плоскопараллельную конструкцию с пониженной паразитной индуктивностью данных силовых выводов. Однако общий внешний силовой вывод модуля расположен на дальней стороне керамической платы, противоположной от размещения положительного и отрицательного силовых выводов. При этом суммарная паразитная индуктивность в контуре коммутации полумоста возрастает из-за удлиненных проводящих дорожек на керамической плате, связанных с общим внешним силовым выводом.The closest in technical essence to the claimed solution is a power semiconductor module, consisting of a main ceramic board with double-sided metallization, on the surface of which the first and second contact pads are formed with semiconductor crystals mounted on them with intercomponent wire connections, having positive, negative and common external power conclusions, while a positive external power terminal is connected to the first contact pad, and a common external power terminal is It is connected to the second contact pad (US 6,212,087 B1, 03.04.2001). In the prototype device, the positive and negative power leads form a plane-parallel design with reduced parasitic inductance of these power leads. However, the general external power output of the module is located on the far side of the ceramic board, opposite from the placement of the positive and negative power terminals. In this case, the total parasitic inductance in the switching circuit of the half-bridge increases due to elongated conductive paths on the ceramic board, connected with a common external power output.

Задачей предлагаемого решения является повышение эффективности работы силового полупроводникового модуля, за счет увеличения скорости его переключения и снижения динамических потерь мощности.The objective of the proposed solution is to increase the efficiency of the power semiconductor module by increasing the speed of its switching and reducing dynamic power losses.

Технический результат предлагаемого устройства заключается в снижении паразитной индуктивности внешних силовых выводов модуля за счет применения в них ленточной конструкции, а также плоскопараллельного расположения положительного и отрицательного силовых выводов не только между собой, но и между силовыми выводами и проводящими дорожками на керамической плате.The technical result of the proposed device is to reduce the parasitic inductance of the external power terminals of the module due to the use of a strip design in them, as well as the plane-parallel arrangement of the positive and negative power terminals not only between themselves, but also between the power terminals and the conductive paths on the ceramic board.

Технический результат достигается тем, что силовой полупроводниковый модуль, состоящий из основной керамической платы с двусторонней металлизацией, на поверхности которой сформированы первая и вторая контактные площадки с установленными на них полупроводниковыми кристаллами с межкомпонентными проволочными соединениями, имеющий положительный, отрицательный и общий внешние силовые выводы, при этом положительный внешний силовой вывод присоединен к первой контактной площадке, а общий внешний силовой вывод присоединен ко второй контактной площадке, на вторую контактную площадку основной керамической платы напаяна дополнительная керамическая плата с двусторонней металлизацией, к поверхности которой присоединен отрицательный внешний силовой вывод и межкомпонентные проволочные соединения полупроводниковых кристаллов, установленных на второй контактной площадке основной керамической платы, внешние силовые выводы выполнены на основе гибких металлизированных лент, при этом положительный и отрицательный внешние силовые выводы изогнуты таким образом, что образуют плоскопараллельную конструкцию, как между собой, так и между межкомпонентными проволочными соединениями на основной керамической плате.The technical result is achieved by the fact that the power semiconductor module, consisting of a main ceramic board with double-sided metallization, on the surface of which the first and second contact pads are formed with semiconductor crystals mounted on them with inter-component wire connections, having positive, negative and common external power leads, a positive external power terminal is connected to the first contact pad, and a common external power terminal is attached to the second terminal In this area, an additional ceramic board with double-sided metallization is soldered to the second contact area of the main ceramic circuit board, to the surface of which a negative external power terminal and interconnect wire connections of semiconductor crystals installed on the second contact area of the main ceramic circuit board are connected, the external power terminals are based on flexible metallized tapes, while the positive and negative external power leads are bent in such a way that they form loskoparallelnuyu structure as each other, and the wire bond interconnects between the primary ceramic board.

Сущность предложенного решения и его технический результат поясняются соответствующими чертежами.The essence of the proposed solution and its technical result are illustrated by the relevant drawings.

На Фиг. 1. показан силовой полупроводниковый модуль в соответствие с представленным решением (вид спереди).In FIG. 1. shows a power semiconductor module in accordance with the presented solution (front view).

На Фиг. 2. показан силовой полупроводниковый модуль в соответствие с представленным решением (вид сверху).In FIG. 2. The power semiconductor module is shown in accordance with the presented solution (top view).

На Фиг. 3. показаны ленточные силовые выводы модуля.In FIG. 3. The tape power outputs of the module are shown.

На Фиг. 4. показан практический вариант силового полупроводникового модуля, изготовленный в соответствие с представленным решением.In FIG. 4. shows a practical version of the power semiconductor module, made in accordance with the presented solution.

Силовой полупроводниковый модуль (Фиг. 1) содержит основную керамическую плату 1 с двусторонней металлизацией, на поверхности которой сформированы первая 2 и вторая 3 контактные площадки, с установленными на них полупроводниковыми кристаллами 4 с межкомпонентными проволочными соединениями 5. Силовой полупроводниковый модуль имеет положительный 6, отрицательный 7 и общий 8 внешние силовые выводы. Положительный внешний силовой вывод 6 присоединен к первой контактной площадке 2, а общий внешний силовой вывод 8 присоединен ко второй контактной площадке 3. На вторую контактную площадку 3 основной керамической платы 1 напаяна дополнительная керамическая плата 9 с двусторонней металлизацией, к поверхности которой присоединен отрицательный внешний силовой вывод 7 и межкомпонентные проволочные соединения 5 полупроводниковых кристаллов 4, установленных на второй контактной площадке 3 основной керамической платы 1. Внешние силовые выводы 6, 7 и 8 выполнены на основе гибких металлизированных лент, при этом положительный и отрицательный внешние силовые выводы 6 и 7 изогнуты таким образом, что образуют плоскопараллельную конструкцию, как между собой, так и между межкомпонентными проволочными соединениями 5 на основной керамической плате 1.The power semiconductor module (Fig. 1) contains the main ceramic board 1 with double-sided metallization, on the surface of which the first 2 and second 3 contact pads are formed, with semiconductor crystals 4 mounted on them with interconnect wire connections 5. The power semiconductor module has a positive 6, negative 7 and general 8 external power outputs. A positive external power terminal 6 is connected to the first contact pad 2, and a common external power terminal 8 is connected to the second contact pad 3. An additional ceramic board 9 with double-sided metallization is soldered to the second contact pad 3 of the main ceramic board 1, to the surface of which is connected a negative external power terminal 7 and inter-component wire connections 5 of semiconductor crystals 4 mounted on the second contact pad 3 of the main ceramic board 1. External power terminals 6, 7 and 8 are made on the basis of flexible metallized tapes, while the positive and negative external power leads 6 and 7 are bent in such a way that they form a plane-parallel structure, both between themselves and between intercomponent wire connections 5 on the main ceramic board 1.

Рассмотрим характеристики представленного силового полупроводникового модуля в сравнение с известными аналогами.Consider the characteristics of the presented power semiconductor module in comparison with known analogues.

За счет применения дополнительной керамической платы 9 с двусторонней металлизацией, которая напаяна на вторую контактную площадку 3 основной керамической платы 1, положительный 6 и отрицательный 7 силовые выводы модуля расположены максимально близко к друг другу и образуют плоскопараллельную конструкцию, не только между собой, но и между межкомпонентными проволочными соединениями 5. При этом токи в параллельных проводниках представленной конструкции имеют встречные направления. Это обеспечивает взаимную компенсацию наводимых магнитных потоков и снижает паразитную индуктивность как самих силовых выводов 6 и 7, так и межкомпонентных соединений 5 на керамической плате 1.Due to the use of an additional ceramic board 9 with double-sided metallization, which is soldered to the second contact pad 3 of the main ceramic board 1, the positive 6 and negative 7 power outputs of the module are located as close as possible to each other and form a plane-parallel structure, not only between themselves, but also between intercomponent wire connections 5. In this case, the currents in the parallel conductors of the presented design have opposite directions. This ensures mutual compensation of the induced magnetic fluxes and reduces the parasitic inductance of both the power terminals 6 and 7 and interconnects 5 on the ceramic board 1.

Индуктивность положительного 6 и отрицательного 7 силовых выводов модуля в нГн, выполненных на основе гибких металлизированных лент, образующих плоскопараллельную конструкцию рассчитывается по формуле:The inductance of the positive 6 and negative 7 power outputs of the module in nH, made on the basis of flexible metallized tapes forming a plane-parallel design, is calculated by the formula:

Figure 00000001
Figure 00000001

где W - длина шины силового вывода в мм; d - расстояние между шинами силовых выводов в мм; Z - ширина шины силового вывода в мм.where W is the length of the bus power output in mm; d is the distance between the tires of the power terminals in mm; Z is the width of the bus power output in mm.

В конструкции модуля длина положительного 6 силового вывода W=30 мм, длина отрицательного 7 силового вывода W=15 мм. Расстояние между проводящими шинами положительного 6 и отрицательного 7 силового вывода, образующих плоскопараллельную пару, d=4 мм. Ширина всех шин силовых выводов Z=30 мм. При этом паразитная индуктивность положительного 6 силового вывода равна L=5,0 нГн, а индуктивность отрицательного 7 силового вывода равна L=2,5 нГн.In the design of the module, the length of the positive 6 power output W = 30 mm, the length of the negative 7 power output W = 15 mm. The distance between the conductive buses of the positive 6 and negative 7 power output, forming a plane-parallel pair, d = 4 mm The width of all power output busbars Z = 30 mm. In this case, the parasitic inductance of the positive 6 power output is L = 5.0 nH, and the inductance of the negative 7 power output is L = 2.5 nH.

Длина общего 8 силового вывода W=20 мм. Индуктивность отдельно расположенного общего 8 силового вывода в нГн рассчитывается по формуле:The length of the total 8 power output W = 20 mm. The inductance of a separately located common 8 power output in nH is calculated by the formula:

Figure 00000002
Figure 00000002

где Т - толщина шины общего 8 силового вывода в мм.where T is the thickness of the busbar total 8 power output in mm.

Толщина шины общего 8 силового вывода Т=0,5 мм. Тогда паразитная индуктивность общего 8 силового вывода равна L=4,5 нГн.The thickness of the busbar is a common 8 power output T = 0.5 mm. Then the parasitic inductance of the common 8 power output is L = 4.5 nH.

При этом типовые значения паразитных индуктивностей силовых выводов аналогов составляют значительно большую величину L≈(20-30) нГн.In this case, the typical values of the parasitic inductances of the power outputs of the analogs are much larger L≈ (20-30) nH.

На Фиг. 2. показан вид сверху силового полупроводникового модуля с обозначением позиций основных элементов модуля аналогично Фиг. 1.In FIG. 2. shows a top view of the power semiconductor module with the designation of the positions of the main elements of the module similar to FIG. one.

На Фиг. 3. показаны ленточные силовые выводы 6, 7 и 8 силового полупроводникового модуля с верхним и нижним основанием и их основные изгибы.In FIG. 3. The tape power outputs 6, 7 and 8 of the power semiconductor module with the upper and lower bases and their main bends are shown.

Пример конкретного исполнения силового полупроводникового модуля на основе предложенного решения.An example of a specific implementation of a power semiconductor module based on the proposed solution.

На Фиг. 4 показан практический вариант силового полупроводникового модуля, выполненный по схеме полумоста на шести полупроводниковых кристаллах мощных МДП-транзисторов на основе карбида кремния, в соответствие с представленным решением.In FIG. Figure 4 shows a practical version of the power semiconductor module, made according to the half-bridge scheme on six semiconductor crystals of powerful MIS transistors based on silicon carbide, in accordance with the presented solution.

Предельные электрические параметры силового модуля 1200 В/100 А. На вторую контактную площадку 3 основной керамической платы 1 модуля напаяна дополнительная керамическая плата 9 с двусторонней металлизацией.The limiting electrical parameters of the power module are 1200 V / 100 A. An additional ceramic board 9 with double-sided metallization is soldered to the second contact pad 3 of the main ceramic board 1 of the module.

Нижние основания ленточных силовых выводов 6, 7 и 8 модуля охватывают поверхности первой 2 и второй 3 контактных площадок, на каждой их которых размещены по три полупроводниковых кристалла 4 мощных МДП-транзисторов на основе карбида кремния.The lower bases of the tape power terminals 6, 7 and 8 of the module cover the surfaces of the first 2 and second 3 contact pads, each of which contains three semiconductor crystals of 4 high-power MOS transistors based on silicon carbide.

Внешние силовые выводы модуля 6, 7 и 8 изготовлены на основе гибких медных лент. При этом положительный 6 и отрицательный 7 внешние силовые выводы изогнуты таким образом, что образуют плоскопараллельную конструкцию, как между собой, так и между межкомпонентными проволочными соединениями 5 на основной керамической плате 1.External power outputs of module 6, 7 and 8 are made on the basis of flexible copper tapes. In this case, the positive 6 and negative 7 external power leads are bent in such a way that they form a plane-parallel structure, both between themselves and between the intercomponent wire connections 5 on the main ceramic board 1.

Claims (1)

Силовой полупроводниковый модуль, состоящий из основной керамической платы с двусторонней металлизацией, на поверхности которой сформированы первая и вторая контактные площадки с установленными на них полупроводниковыми кристаллами с межкомпонентными проволочными соединениями, имеющий положительный, отрицательный и общий внешние силовые выводы, при этом положительный внешний силовой вывод присоединен к первой контактной площадке, а общий внешний силовой вывод присоединен ко второй контактной площадке, отличающийся тем, что на вторую контактную площадку основной керамической платы напаяна дополнительная керамическая плата с двусторонней металлизацией, к поверхности которой присоединен отрицательный внешний силовой вывод и межкомпонентные проволочные соединения полупроводниковых кристаллов, установленных на второй контактной площадке основной керамической платы, внешние силовые выводы выполнены на основе гибких металлизированных лент, при этом положительный и отрицательный внешние силовые выводы изогнуты таким образом, что образуют плоскопараллельную конструкцию как между собой, так и между межкомпонентными проволочными соединениями на основной керамической плате.A power semiconductor module consisting of a main ceramic board with double-sided metallization, on the surface of which the first and second contact pads are formed with semiconductor crystals installed on them with intercomponent wire connections, having positive, negative and common external power leads, while a positive external power lead is connected to the first contact pad, and a common external power terminal is connected to the second contact pad, characterized in that The contact pad of the main ceramic board is soldered with an additional ceramic board with double-sided metallization, to the surface of which a negative external power terminal and interconnect wire connections of semiconductor crystals mounted on the second contact pad of the main ceramic board are connected, the external power terminals are made on the basis of flexible metallized tapes, while the positive and negative external power leads are bent in such a way that they form a plane-parallel Instructions both between themselves and between inter-component wire connections on the main ceramic board.
RU2018118040U 2018-05-16 2018-05-16 POWER SEMICONDUCTOR MODULE RU184560U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018118040U RU184560U1 (en) 2018-05-16 2018-05-16 POWER SEMICONDUCTOR MODULE

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018118040U RU184560U1 (en) 2018-05-16 2018-05-16 POWER SEMICONDUCTOR MODULE

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU184560U1 true RU184560U1 (en) 2018-10-30

Family

ID=64103890

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018118040U RU184560U1 (en) 2018-05-16 2018-05-16 POWER SEMICONDUCTOR MODULE

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU184560U1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU206439U1 (en) * 2021-05-27 2021-09-13 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ") Multichip power module
RU225966U1 (en) * 2024-02-02 2024-05-15 Акционерное общество "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС", АО "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС" Power semiconductor module

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5646445A (en) * 1995-07-07 1997-07-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having electrodes embedded in an insulating case
US5942797A (en) * 1996-04-02 1999-08-24 Fuji Electric Co. Ltd. Power semiconductor module
RU2243614C2 (en) * 1999-01-27 2004-12-27 Абб Швайц Холдинг Аг Semiconductor power module
US9129934B2 (en) * 2009-11-19 2015-09-08 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module and method for operating a power semiconductor module
US20160343641A1 (en) * 2014-08-28 2016-11-24 Fuji Electric Co., Ltd. Power semiconductor module

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5646445A (en) * 1995-07-07 1997-07-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having electrodes embedded in an insulating case
US5942797A (en) * 1996-04-02 1999-08-24 Fuji Electric Co. Ltd. Power semiconductor module
RU2243614C2 (en) * 1999-01-27 2004-12-27 Абб Швайц Холдинг Аг Semiconductor power module
US9129934B2 (en) * 2009-11-19 2015-09-08 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module and method for operating a power semiconductor module
US20160343641A1 (en) * 2014-08-28 2016-11-24 Fuji Electric Co., Ltd. Power semiconductor module

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU206439U1 (en) * 2021-05-27 2021-09-13 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ") Multichip power module
RU225966U1 (en) * 2024-02-02 2024-05-15 Акционерное общество "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС", АО "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС" Power semiconductor module

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10638633B2 (en) Power module, power converter and manufacturing method of power module
JP5259016B2 (en) Power semiconductor module
US7480163B2 (en) Semiconductor device and power supply device using the same
US20140063744A1 (en) Vertically Stacked Power FETS and Synchronous Buck Converter Having Low On-Resistance
CN105612690B (en) Semiconductor device
CN112543994B (en) Semiconductor device with a semiconductor device having a plurality of semiconductor chips
JP2002026251A (en) Semiconductor device
CN104040715A (en) Semiconductor device
US10784235B2 (en) Silicon carbide power module
JP7183594B2 (en) semiconductor equipment
JP2022062235A (en) Package structure for power devices
CN113875006A (en) Three-level power module
JP2017123358A (en) Power module
US12009290B2 (en) Semiconductor module having a multi-branch switch node connector
US11594527B2 (en) Semiconductor substrate and semiconductor arrangement
CN111554645B (en) Double-sided water-cooling SiC half-bridge module packaging structure integrated with laminated busbar
CN117374040A (en) Power module and vehicle
RU184560U1 (en) POWER SEMICONDUCTOR MODULE
TWI534983B (en) Voltage regulator stack packaging method and the corresponding laminated packaging device
CN210129508U (en) Power module and power module of multichannel power supply overall arrangement wiring
CN109638002B (en) Power circuit module and electronic device
CN219513090U (en) MOSFET arm pair module
JP2008130719A (en) Semiconductor device, and dc-dc converter
TW202011674A (en) Snubber circuit and power semiconductor module and power supply device for induction heating
US20240136259A1 (en) Current sharing mismatch reduction in power semiconductor device modules

Legal Events

Date Code Title Description
MM9K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20190517

NF9K Utility model reinstated

Effective date: 20210416