RU1806440C - Дифференциальный усилитель напр жени - Google Patents

Abstract

Использование: в радиоэлектронике в качестве дифференциального усилител  напр жени . Сущность изобретени : в диффе- ренциальном усилителе напр жени , содержащем.первый и второй п - р - п-тран- зисторы, эмиттеры которых соединены и через генератор вытекающего тока подключены к отрицательной шине питани , а коллектор первого транзистора через первый резистор соединен с положительной шиной питани , введен третий и - р - п-транзистор, включенный по схеме с общей базой, эмиттер которого через токозадающий четвертый резистор соединен с отрицательной шиной питани  и через пос едовательно соединенные второй конденсатор и п тый компенсирующий резистор - с общей шиной , причем точка соединени  п того резистора и второго конденсатора подключена к базе второго транзистора, а коллектор третьего транзистора через третий токозадающий резистор соединен с положительной шиной питани  и через первый конденсатор - с базой первого транзистора. 1 ил. СО С

Description

Изобретение относитс  к электротехнике , а также к устройствам на полупроводниковых приборах, предназначенных дл  усилени  напр жени .

Целью изобретени   вл етс  увеличение полосы пропускани  (быстродействи ).

Задача достигаетс  тем, что в отличие от прототипа введен п-р-п транзистор Тз (см. чертеж), включенный по схеме с общей базой , причем эмиттер этого транзистора соединен с токозадающим резистором R-з и через конденсатор Сг с базой транзистора Та и выводом компенсирующего резистора RS. Коллектор транзистора Рз соединен с резистором Яз и через конденсатор Ci с базой транзистора П.

Такое включение транзистора Тз обеспечивает замыкание между собой емкостных составл ющих базовых токов

транзисторов Tj и Та, а поскольку эти емкостные базовые токи всегда наход тс  в про- тивофазе между собой и примерно равны по величине (в случае согласованности параметров Ti и Т2), то это приводит к их практически полной взаимной компенсации со стороны входа усилител  и, следовательно, к возрастанию его входного сопротивлени  на высокой частоте.

Это  вл етс  техническим результатом, который позвол ет по сравнению с прототипом в 2-3 раза расширить полосу пропускани  усилител  при работе с источником входного напр жени , имеющим внутреннее сопротивление от 1 кОм и выше (наиболее часто встречающеес  в: практике значение внутреннего сопротивлени  источника ).

00

о

О

4 4 О

CJ

Схема предлагаемого изобретени  представлена на чертеже.

Шина входного напр жени  схемы усилител  соединена с обкладкой конденсатора Ci и базой n-p-n-транзистора TL эмиттер которого соединен с эмиттером п-р-п-тран- зистора Т и выводом генератора вытекающего тока.

Коллектор транзистора Ti соединен с выводом резистора RL Коллектор транзистора Т2 соединен с резистором R2 и шиной выходного напр жени  схемы. Эмиттер транзисторна Тз соединен с обкладкой конденсатора С2 и выводом резистора , второй вывод которого соединен с другим выводом генератора вытекающего тока и шиной источника посто нного отрицательного напр жени -Е.

Второй вывод конденсатора С2 соединен с базой транзистора Jz и выводом резистора RS, другой вывод которого соединен с шиной нулевого потенциала и базой транзистора Тз, коллектор которого соединен со второй обкладкой конденсатора Ci и выводом резистора Ra, второй вывод которого соединен со вторыми выводами резисторов RI и R2 и шиной источника посто нного положительного напр жени +Е.

Основу схемы усилител  напр жени  составл ет дифференциальный каскад на транзисторах Ti и J2, работающий на нагрузочные резисторы RI и R2. Питание транзисторов осуществл етс  генератором вытекающего тока. Как известно, при действии на входе такого усилител  высокочастотного напр жени  в базах транзисторов Ti и Т2 возникают емкостные токи, происхождение которых св зано с барьерными емкост ми коллектор-база этих транзисторов и конечным временем распространени  неосновных носителей зар да в их базах. С ростом частоты входного напр жени  растет и амплитуда этих емкостных базовых токов, которые (если не прин ть специальных мер) создают падение напр жени  на внутреннем сопротивлении источника входного напр жени , что резко уменьшает полосу пропускани  усилител . При этом в случае одинаковое™ параметров транзисторов Ti и Т2, а также равенстве номиналов нагрузочных резисторов RI и R2 эти емкостные базовые токи имеют всегда примерно равную величину и противоположные знаки .

Недостаток схемы прототипа, св занный с ограничением полосы пропускани , устран етс  путем введени  в схему транзистора Тз, включенного по схеме с общей базой. Этот транзистор используетс  дл  замыкани  через конденсаторы С2 и Ci емкостного базового тока транзистора Т2. на

базу транзистора TI( вход схемы усилител ), где i происходит взаимна  компенсаци  (вычитание ) емкостных базовых токов транзисторов Ti и Т2, что резко увеличивает входное сопротивление схемы на высоких частотах.

Таким образом, благодар  транзистору Тз падение напр жени  от емкостных составл ющих базовых токов транзисторов Ti и Т2 на внутреннем сопротивлении источника входного напр жени  практически отсутствует , что и  вл етс  причиной резкого расширени  (в 2-3 раза) полосы пропускани  схемы предлагаемого усилител  по сравнению с прототипом.

Резистор R4  вл етс  токозадающим

дл  транзистора Тз. Резисторы RS и RS используютс  дл  получени  достаточной по величине доли, замыкаемого на базу транзистора Ti. емкостного тока базы транзистора .

Claims (1)

1. Формулаи зо бретени  Дифференциальный усилитель напр жени , содержащий первый п - р - п-транзи- стор, база которого  вл етс  входом

   усилител , а коллектор через первый резистор соединен с положительной шиной питани , и второй п - р - п-транзистор, коллектор которого через второй резистор соединен с положительной шиной питани ,

   при этом эмиттеры транзисторов соедине- . ны и через генератор вытекающего токз подключены к отрицательной шине питани , а точка соединени  коллектора второго п - р - n-транзистора и второго резистора

    вл етс  выходом усилител , о т л и ч a torn , и и.с   тем, что, с целью расширени  полосы пропускани , введены третий п - р

   - n-транзистор, третий, четвертый и п тый

   резисторы и первый и второй конденсаторы , при этом база третьего п - р - п-транзистора соединена с общей шиной, коллектор через третий резистор соединен с положительной шиной питани  и через первый конденсатор - с базой первого п - р n-транзистора , а эмиттер через четвертый резистор соединен с отрицательной шиной питани  и через последовательно соединенные второй конденсатор и п тый резистор - с общей шиной, причем точка соединени 

   5 второго конденсатора и п того резистора подключена к базе второго п - р - п-транзи- стора.