FI60329C - Aoterkopplad foerstaerkare - Google Patents

Description

1 ΓΒΐ «« KUULUTUSJULKAISU /Λ7λλ

LBJ (“) VJTLAGGN I NGSSKRI FT

^ Patent meHelat v ' (51) Kv.lk?/lnt.CI.3 H 03 F Ί/34 SUOM I—FI N LAND (21) Ptunttlhakmwt — Patantaiwekning 23^0/7^+ (22) HakamiapUvi — Antöknlngtdag Ο6.Ο8. 71* ' (23) AlkuplWt — GHtlghettdag Q6.08,7^ (41) Tulhrt JulkiMksI — Bllvlt offcntllg 1^.02.75

Patentti- ja rekisterihallitus .... .... _ ,., , . ,. , β . . . (44) Nlhtlvlktlpanon ji kuuLlulkalsun pvm. —

Patent- och registerstyrelsen 7 AntOkan utltgd och utl.tkrifun publkarad 3i.08.8l (32)(33)(31) Pyy4ttty awoikau*— Begird prloHuc 13.08.73

Iso-Britannia-Storbritannien(GB) 38320/73 (71) RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza, New York, New York 10020, USA(US) (72) Jack Craft, Somerville, New Jersey, USA(US) (7M Oy Kolster Ab (5*0 Takaisinkytketty vahvistin -- Aterkopplad förstärkare Tämä keksintö kohdistuu takaisinkytkettyihin, stabilisoituihin merkin-vahvistinpiireihin ja erityisesti vahvistimeen, joka soveltuu käytettäväksi äänijaksoisen merkin vahvistimena valmistettuna monoliittisen integroidun piirin muotoon.

Suunniteltaessa elektronista vahvistinpiiriä ja erityisesti kun tällaiset piirit valmistetaan monoliittiseen integroituina muotoon on edullista käyttää differentiaalisia vahvistinjärjestelyitä. Differentiaaliset vahvistimet aikaansaavat suuren määrän etuja mukaanluettuna suhteellisen harvojen kapasitanssien käytön, suurelta osalta suuriarvoisten vastuksien käytön välttämisen, riipuuvuu-den vahvistuksessa vastussuhteista sen sijaan, että se riippuisi absoluuttisista arvoista, laajan taajuusalueen toiminta-alueet mukaanluettuna alhaiset äänijak-soiset taajuudet, push-pull tai yksinapaiset sisääntulot ja/tai ulostulot sekä stabiili toiminta.

Mitä tulee stabiilisuuden ominaisuuksiin tällaisissa vahvistimissa merkin vahvistuksen stabiilisuus ja lepotilan tai tasajännitteen tason stabiilisuus ovat yleisesti ottaen toivottavia. Negatiivista takaisinkytkentää käytetään usein tällaisten tuloksien aikaansaamiseen. Taloudellisuuden kannalta on toivottavaa, että kyetään aikaansaamaan tällainen takaisinkytkentä käyttäen pienintä^m^i^ol- 2 60329 lista lukumäärää ohituskapasitansseja. Integroitujen piirien yhteydessä on myös toivottavaa saattaa minimiinsä niiden kytkinnapojen lukumäärä, joihin ulkopuolisia osia, kuten esim. ohituskapasitansseja tarvitsee kytkeä.

Mikäli vahvistimen sisääntuloaste on differentiaalisessa muodossa, on yleistä, että merkki tuodaan toiselle puolelle differentiaalista rakennelmaa ja takaisinkytkentä toiselle puolelle. Eräässä toisessa järjestelyssä, jollainen on esitettynä USA.-patentissa n:ot 3 069 tavanomainen vakinainen tasavirran lähteen (tai virran nielun) transistori, joka liittyy differentiaalisen vahvistimen transistoriin korvataan "fVx piirillä, johon sisältyy vastus, joka on kytketty differentiaalisten transistoreiden emittereiden väliin sekä vielä toinen ρειτϊ virtakehittimien transistoreita, joista kumpikin on kytketty toisen differentiaalisista transistoreista emitterin ja vertailujännitteen pisteen väliin. Virtaa kehittäviä transistoreja ohjataan yksinapaisen jännitteen differentiaali-seksi virraksi takaisinkytkevällä asteella, jolla aikaansaadaan haluttu stabilisoiva negatiivinen takaisinkytkentä vahvistimen ulostulosta. Vaikkakin tällainen rakenne aikaansaa joukon toivottavia ominaisuuksia sisältyy siihen positiivisten ja negatiivisten jännitesyöttölähteiden käyttöä, mikä tilanne on haitallinen useissa olosuhteissa mukaanluettuna monoliittiset integroidut piirit. Edelleen vaatii takaisinkytkennän piiri huomattavan lukumäärän osia käyttämistä, sekä aktiivisia että passiivisia, jotta muunnettaisiin yksinapaisen pääteasteen ulostulon jännitteen vaihtelut differentiaalisiksi takaisinkytkennän virran vaihteluiksi.

Nyt kyseessä olevan keksinnön mukaisesti aikaansaadaan takaisinkytketty stabilisoitu vahvistinlaite, joka käsittää ensimmäisen ja toisen yhteisemitteri-kytketyn transistorin, jotka on kytketty differentiaalivahvistimeksi ja joiden päävirtatiet sijaitsevat esijännitevirtalähteen virtapiirin rinnakkaisissa haaroissa, toisen transistorin kantaan kytketyn tulonavan ja mainittuun differentiaalivahvistimeen tasavirtakytketyn lähtönavan, sekä ensimmäisen virranvahvis-timen, jonka tulopiiri on kytketty toisen transistorin kollektoripiiriin ja jonka lähtöpiiri on kytketty toisen transistorin kollektoripiiriin. Laitteessa on lisäksi toinen esijännitevirtalähde, jona on toinen virranvahvistin, jonka tulo on kytketty vastuksen kautta vahvistinlaitteen lähtönapaan ja jonka lähtö on kytketty ensimmäisen ja toisen transistorin päävirtateihin negatiivisen takaisinkytkennän aikaansaamiseksi differentiaalivahvistimelle.

Nyt kyseessä olevan keksinnön uudet piirteet on esitetty erityisesti oheisissa patenttivaatimuksissa. Tämä keksintö itsessään sekä mitä tulee sen käytännön järjestelyihin että käytön menetelmiin samoinkuin myös ylimääräiset tarkoitukset ja edut ymmärretään parhaiten alempana olevasta selityksestä kun tämä luetaan yhdessä oheisiin piirustuksiin viitaten, joissa: n**'"' 3 60329 • kuvio 1 on kaavamainen piirikaavio yksinkertaistetusta differentiaali-sesti vahvistimesta, johon sisältyy nyt kyseessä oleva keksintö, kuvio 2 on yksityiskohtainen kaavamainen piirikaavio vahvistimesta, joka soveltuu rakennettavaksi integroidun piirin muotoon ja johon sisältyy nyt kyseessä oleva keksintö.

... ..... <

Viitaten kuvioon 1 kytketään vahvistettavaksi tarkoitetut sisääntulon merkit sisääntulon kytkinnavan 10 kautta differentiaalisesti kytketyn vahvistin-transistoriparin 12 ja lU ensimmäisen transistorin 12 kantaelektrodille. Käyttö-virta kytketään transistoreiden 12 ja lU emittereille kahden eri virransäätö-transistorin l6 ja 18 yhdistelmän avulla sekä takaisinkytkennän vastuksella 20.

Vastus 20 on tasavirtakytketty transistoreiden 12 ja lU emittereiden väliin (samoinkuin myös transistoreiden 16 ja 18 kollektoreiden väliin). Lepotilan toi-mintavirta transistoreille 12 ja 1^ määräytyy vastuksen 22 sekä diodien 2k ja 26 (puolijohdeliitosten) sarjakytkennän avulla, mikä on kytketty tasajännitteisen käyttöjännitelähteen kahden eri kytkinnavan (B+ ja maadoitus) väliin. Diodi 26 on tasavirtakytketty transistorin l6 kannan ja emitterin väliin, niin että aikaansaadaan virran toistolaite, joka kehittää kollektorin virran transistorissa l6 verrannollisena virtaan diodissa 26. Käytön etujännite transistoreiden 12 ja lU kannoille syötetään vastuksien 22 ja diodien 2k liitoskohdasta suhteellisen suur- 1 ten irtikytkentävastuksien 28 ja vastaavasti 30 kautta.

Kbllektorivirrat transistoreissa 12 ja ib on yhdistetty niin, että aikaansaadaan yksinapainen ulostulo virran toistolaitteen 32 avulla, mikä on havainnollistettu muodostumassa diodista 3U ja transistorista 36, jolloin laitteella 3^ ja 36 on keskenään samanlaiset geometriset mitat ja ovat ne yhteisessä termisessä ympäristössä niin, että aikaansaadaan esim. toisto transistorin 12 kollektori-virrasta transistorin 36 kollektrilta.

iksinapaisen ulostulon erotusvirta kytketään transistoreiden lU ja 36 yhteenliitetyiltä kollektoreilta jännitteen seuraajan ulostulotransistorin 38 kannalle, josta emitteri on kytketty ulostulon kytkinnapaan Ho. Kuormitusvastus k2 on kytketty ulostulon kytkinnavan U0 ja vertailujännitteen pisteen (maadoituksen) väliin diodin M avulla, joka yhdessä virransäätötransistorin 18 kanssa muodostaa takaisinkytkevän virrantoistolaitteen U6.

Voidaan aikaansaada invertoitu ulostulomerkki esim. kytkemällä kannan ja emitterin välinen piiri vielä eräästä transistorista 1*8 diodin M yli ja kytkemällä kuorma 50 transistorin U8 kollektorille. Tässä tapauksessa transistorin 1*8 ja diodin UU geometriset mitat ovat sopivasti verrannollisia keskenään niin, että saadaan haluttu virtavahvistus.

Tämän vahvistimen taajuusvaste määräytyy periaatteessa kapasitanssista 52, joka on kytketty kapasitanssin kertovaan takaisinkytkentätiehen transistc^iyi lh kollektorin ja kannan välille. Kapasitanssin 52 tehollinen arvo yhde'^f siihen 11 60329 liittyvine vastuksineen (esim. vastus 30) aikaansaa sopivan taajuuden laskuosan vahvistimen halutun käytön mukaisesti (esim. äänitaajuisen spektrin ylemmällä osuudella, kun ajatellaan äänitaajuista käyttöä). Integroidun piirin olosuhteissa • virran toistolaite 1+6, joka on esitetty käyttämässä NPN laitteita, joilla on suhteellisen laajakaistainen taajuuden vaste ei vaikuta taajuuden vasteeseen kokona! spiirissä.

Kavion 1 mukaisen piirin toiminnassa säätötransistorin 16 lepotilan kol-lektorivirta määräytyy lausekkeesta B+ - 2Vbe

16 = R

R22 jossa VgE on jännite diodien 2b ja 26 yli ja on tyypillisessä tapauksessa suuruusluokaltaan 0,7 volttia.

Jättäen hetkellisesti huomiotta transistorit lU ja 18 ja edellyttäen, että virtavahvistus (β) kussakin transistoreista 12 ja 16 on suhteellisen korkea ja että virran toistolaite 32 aikaansaa yksikkövahvistuksen kuvautuu transistorin 16 kollektorivirta transistorin 12, diodin 3l+ ja transistorin 36 avulla transistorin 36 kollektorille. Näin tuloksena oleva ohjaus seuraajatransistorille 38 aikaansaa lepojännitteen ulostulon kytkinnapaan 1+0, joka taas puolestaan muunnetaan virraksi diodissa 1+1* ja vastuksessa 1+2.

Näin tuloksena oleva virta diodissa 1+1+ voidaan ilmaista lepotilan ulos-. jännitteen VQq kytkinnavassa 1+0 avulla seuraavalla tavalla:

V0Q “ VBE ^ = R

Rl+2 Jättäen nyt hetkellisesti huomiotta kytkentä, joka muodostuu vastuksesta 20, kun diodilla 1+1+ ja transistorilla 18 on keskenään yhtäläiset geometriset mitat, niin että virran toistolaite 1+6 aikaansaa yksikkösuuruisen virtavähvistuksen, tulee transistorin ll+ kollektorin virta myös olemaan oleellisesti yhtäsuuri kuin 1^ (se tahtoo sanoa että I-^g = 1^).

Tämän tyyppisessä vahvistimessa on edullista mikäli jännite Vqq on likimääräisesti yhtä suuri kuin puolet B+ syöttöjännitteestä, mikä täten aikaansaa oleellisesti symmetrisen maksimisuuruisen ulostulon jännitteen heilahdusmäärän kytkinnapaan 1+0 seurauksena sisäänsyötetyistä merkeistä. Kun korvataan arvo B+/2 jännitteen Vqq ja virta I^g virran 1^ sijaan ylläolevassa lausekkeessa ja kun edelleen asetetaan virta yhtä suureksi kuin I-^q aikaisemmassa lausekkeessa voidaan nähdä, että haluttu jännite Vqq voidaan saada valitsemalla Rp^^htä suu- 5 60329 reksi kuin kaksi kertaa vastuksen Rj^ arvo. Tämä lepotilan tilanne voidaan ylläpitää negatiivisen takaisinkytkennän avulla, joka toteutetaan virran toistolait-teen 46 kautta.

Vastuksen 20 lepotilan virta on myös oleellisesti nollan suuruinen kuten oletettiin tarkasteltaessa piirin kahta puoliskoa erikseen.

Kun sisääntulomerkki syötetään kytkinnapaan 10 vaihtelevat virrat transistorissa 12, diodissa 34 ja transistorissa 36 tämän mukaisesti. Sisääntulon merkin vaihtelut syötetään myös vastuksen 20 kautta transistorin i4 emitterille niin että aikaansaadaan muutos vastakkaisen merkkisenä transistorin l4 kollektorivir-rassa. Näin tuloksena oleva jännitteen vaihtelu ulostulon kytkinnavassa 4o sama-vaiheisena merkin kanssa, joka syötetään kytkinnapaan 10 aiheuttaa muutoksen takaisinkytkennän virrassa, joka syötetään virran toistolaitteen 46 avulla sillä tavoin, että se pyrkii tasapainoittamaan virtoja transistoreissa 12 ja l4 (toisinsanoen aikaansaadaan negatiivinen takaisinkytkennän merkki).

Merkin jännitteen vahvistuskerroin tässä vahvistimessa määräytyy pääasiallisesti vastuksien 42 ja 20 suhteesta ja toistolaitteen 46 virtavahvistus-kertoimesta (mikä yllä on ehdotettu yksikön suuruiseksi).

Tämän tyyppisten vahvistimien on havaittu kehittävän suhteellisen pienen vääristymän eli särön, mikä voidaan todeta aiheutuvan ainakin osittain siitä tosiasiasta, että virtatasot transistoreissa 12 ja 14 pyrkivät noudattamaan toinen toistaan enemmän kuin tavanomaisissa differenttiaalisissa vahvistimissa tapahtuu.

Viitaten sitten kuvioon 2 on piiriosat, jotka toteuttavat samoja tehtäviä kuin kuviossa 1 esitetyt osat osoitettu tässä samoilla viitenumeroilla kuin mitä käytettiin kuviossa 1, minkä jälkeen seuraa yläpilkun (') merkki.

Kuviossa 2 sisääntulon merkit syötetään kytkinnavan 10' kautta Darlington kytkettyjen transistoreiden 12' parin kannalle, mitkä muodostavat toisen puolen differenttiaalisesta vahvistimesta, josta toinen puoli muodostuu Darlington kytketyistä transistoreista 14'. Käytön etujännite syötetään sarjakytkennän järjestelyn avulla, johon kuuluu puolijohdeliitokset ja vastukset kytkettynä käyttö-jännitteen syötön kytkinnapojen väliin (B+ ja maadoitus). Nämä puolijohteiset liitokset aikaansaadaan tyypillisesti transistoreiden avulla, joista kollektorin ja kannan elektrodit on oikosuljettu yhteen. Kannalta emitterille jännitteen putoamaa Darlington järjestelyissä 12' ja 14' jäljitellään vastaavien diodikyt-kettyjen transistoreiden 24* avulla.

Oleellisesti yhtä suurien vastuksien 22’ pari määrää periaatteessa ja pääasiallisesti virtatason etujännitteen järjestelyssä funktiona syötettyjen käyttö-jännitteiden tasosta (B+ on likimääräisesti väliltä +l6 - +40 volttia). Jännite-piikin hylkäävä kapasitanssi 58 on kytketty vastuksien 22' keskipisteeseen. Säädelty jännitteen syöttölähde on myös aikaansaatu virran syöttölähteen^4^i'vialla, 6 60329 joka on kytketty vyörytyyppiseen (zener) diodiin 56.

Alennusvastukset, joiden suuruusluokka on sadasta neljäänsataan ohmia liittyvät virran toistolaitteisiin 38' ja k6' , virran syöttölähteeseen 5*+ ja virtaa säätäviin transistoreihin 16’ ja 18' mikä parantaa virtojen yhteensovittamista kun sitä halutaan.

Virran toistolaite 32' on muodoltaan erilainen verrattuna kuvion 1 virran toistolaitteeseen 32 mutta se aikaansaa saman toiminnan käyttäen suurempaa impedanssia, kuten on tunnettua. Toistolaite H6 1 on myös muunnettu muodoltaan verrattuna toistolaitteeseen k6 mutta se on järjestetty aikaansaamaan virran vahvistus (pienennys) puolella sen tosiasian johdosta että siihen liittyy transistori (jolla ei ole viitenumeroa) jonka kannan ja emitterin välinen ala on kaksi kertaa (2 X) sen transistorin 18' ala, mihin se liittyy. Vastaavasti diodi 26’ suhtautuu pinta-alaltaan transistoriin 16' tekijän kaksi mukaisesti. Nämä pinta-alojen suhteet valitaan sallimaan suurempien virtatasojen käyttä (ja tämän johdosta pienempien vastusarvojen käyttö) etujännitteen sarjassa verrattuna haluttuihin virtoihin transistoreissa 16' ja 18'. Tällaiset rakenteet ovat erityisen toivottavia kun havainnollistettu piiri valmistetaan monoliittiseen integroituun muotoon, koska tässä tapauksessa pienemmät vastusarvot johtavat pinta-alan taloudellisuuteen integroidun piirin lastussa.

Ylimääräiset muunnokset kuvion 2 piirissä sisältävät valekomplementääri-sen tehovahvistimen ulostuloasteen 62 lisäämisen mihin sisältyy lämpötilakom-pensoitu, ylimenosäröä alentava etujännitteen piiri 60 sekä virtaa syöttävä transistori 6k. Kuten on tunnettua kehittää ulostuloaste 62 oleellisesti yksikkö-suuruisen jännitevahvistuksen. Transistori 6U voidaan varustaa asiaankuuluvalla kannan etujännitteellä niin että aikaansaadaan oleellisesti vakinainen kollektorin ulostulovirta kytkemällä kytkinnapa A samanlailla merkittyyn kytkinnapaan, joka on säätävän diodin 56 vieressä, toteuttamalla tämä esim. asiaankuuluvalla diodin ja vastuksen yhdistelmällä, joka on sitä tyyppiä, joka on esitetty esim. U.S.A. patentissa no: 3*53^,21+5·

Asiaankuuluva kuormituspiiri, kuten esim. kovaääninen 68 on kytketty kytkinnapaan Uo* jotta käytettäisiin hyväksi siellä tuotettuja vahvistettuja merkkejä. Havainnollistetulla piirillä kompponenttien arvot muodostuessa integroituun piiriin voidaan käyttää kovaäänistä, jonka nimellinen impedanssi on kahdeksasta kolmeenkymmeneenkahteen ohmiin alueella. Äänijaksoisen ulostulon teho suuruusluokaltaan neljä wattia on saatavissa havainnollistetulla rakenteelle. Tähän liittyvä jännitteen vahvistuskerroin suuruusluokaltaan 35 db aikaansaadaan tällä järjestelyllä. Tulisi todeta, että mitään ulkopuolisia ohituskapasitansseja ei liity takaisinkytkennän piiristöön.

Vaikkakin tätä keksintöä on havainnollistettu tiettyjen edullisena pidettyjen suoritusmuotojen avulla tulisi todeta, että erilaiset muunnokse^ ^äjg$n τ 60329 tekniikan puitteissa ovat toteutettavissa poikkeamatta silti tämän keksinnön puitteista.

Esim. voidaan toteuttaa erilaisia etujännitteen rakenteita. Ylimääräisiä tai erilaisia vahvistinasteita voidaan käyttää. Muunnettu lepotilan toiminta-jännite, joka on muulla tasolla kuin likimäärisesti puolet käyttävästä syöttö-jännitteestä voidaan aikaansaada valitsemalla sopivasti merkityt vastusarvot.

Tämän vahvistimen vähvistuskerroin on muutettavissa sopivalla muunnoksella esim. muuttamalla vastusta 20. Muita muunnoksia voidaan myös sopivasti tehdä.

< ( \$t $ ''

Claims (3)

8 60329

1. Takaisinkytketty stabilisoitu vahvistinlaite, joka käsittää ensimmäisen (12) ja toisen (lh) yhteisemitterikytketyn transistorin, jotka on kytketty differentiaalivahvistimeksi ja joiden päävirtatiet sijaitsevat esijännitevirtaläh-teen virtapiirin rinnakkaisissa haaroissa, ensimmäisen transistorin (12) kantaan kytketyn tulonavan (10) ja mainittuun differentiaalivahvistimeen tasavirtakytke-tyn lähtönavan (1*0), sekä ensimmäisen virranvahvistimen (32), jonka tulopiiri on kytketty ensimmäisen transistorin (12) kollektoripiiriin ja jonka lähtöpiiri on * kytketty toisen transistorin (lU) kollektoripiiriin, tunnettu siitä, että laitteessa on toinen esijännitevirtalähde, jona on toinen virranvahvistin (1*6), * jonka tulo on kytketty vastuksen (U2) kautta vahvistinlaitteen lähtönapaan (ho) ja jonka lähtö on kytketty ensimmäisen ja toisen transistorin (12, 1¾) päävirta-teihin negatiivisen takaisinkytkennän aikaansaan)!seksi differentiaalivahvistimelle.

2. Förstärkaranordning enligt patentkravet l,kännetec knad därav, att den andra strömförstärkaren (16) omfattar ätminstone en halvledar-koppling (11), som är kopplad i serie med den nämnda resistorn (12), med utgängs-punkten (10) och med en första strömstyrningstransistor (l8) mellan en gemensam referenspotentialpunkt, vilken första styrtransistor uppvisar en bas-emitter-koppling, som är kopplad över den nämnda halvledarkopplingen, och en kollektor-elektrod, som utgör den nämnda utgängen av den andra strömförstärkaren (16) för att alstra däri en sädan utgängsström, som stär i förhällande tili den i den nämnda halvledarkopplingen alstrade äterkopplingsströmmen.

2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen vahvistinlaite, tunnettu siitä, että toinen virranvahvistin (U6) käsittää ainakin yhden puolijohdeliitoksen (UI*), joka on kytketty sarjaan mainitun vastuksen (U2) kanssa lähtönavan (1*0) ja ensimmäisen virranohjaustransistorin (18) kanssa yhteisen vertauspotentiaalipisteen väliin, jossa ensimmäisessä ohjaustransistorissa on kanta-emitteriliitos, joka on , kytketty mainitun puolijohdeliitoksen yli, ja kollektorielektrodi, joka muodostaa toisen virranvahvistimen (1*6) mainitun lähdön sellaisen lähtövirran kehittämiseksi siihen, joka on suhteessa mainitussa puolijohdeliitoksessa kehitettyyn takaisin-kytkentävirtaan.

3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen vahvistinlaite, tunnettu siitä, että ensimmäisen virranohjaustransistorin (l8) kollektorielektrodissa kehitetty ulostulovirta sisältää tasavirta- ja signaalivaikutteisia komponentteja. 1*. Patenttivaatimuksen 2 mukainen vahvistinlaite, tunnettu siitä, että ensimmäisen ja toisen differentiaalivahvistintransistorin (12, lU) emitteri-elektrodit on tasavirtakytketty keskenään, että ensin mainittu esijännitevirta-' lähde on muodostettu toisesta virranohjaustransistorista (16), jolloin ensimmäisen ja toisen virranohjaustransistorin (l8, 16) kollektorielektrodit on tasavirtakytketty differentiaalivahvistintransistoreiden emitterielektrodeihin.

5. Patenttivaatimuksen 1* mukainen vahvistinlaite, tunnettu siitä, että differentiaalivahvistintransistoreiden (12, lU) emitterielektrodit on kumpikin suoraan kytketty vastaavan virranohjaustransistorin (l6, 18) kollektorielektro-diin ja tasavirtakytketty keskenään emitterikytkentävastuksen (20) kautta.

6. Patenttivaatimuksen 2 mukainen vahvistinlaite, tunnettu siitä, että ensinmainitussa esi jännitevirtalähteessä on toisen vastuksen (^^| jga^tyähin- , tään yhden puolijohdeliitoksen (26) muodostama sarjayhdistelmä, että viimeksi- 9 60329 mainittu liitos on kytketty toisen virranohjaustransistorin (l6) kantaemitteri-liitoksen yli, ja että ensimmäinen ja toinen vastus (1*2, 22) ovat suhteessa keskenään ennalta määrätyn lepojännitetilan aikaansaamiseksi lähtönavassa (1*0).

7. Patenttivaatimuksen 6 mukainen vahvistinlaite, tunnettu siitä, että differentiaalivahvistintransistoreiden (12, lU) emitterielektrodit on tasa-virtakytketty keskenään emitterikytkentävastuksen (20) avulla, ja molempien vir-ranohjaustransistoreiden (l8, 16) kollektorielektrodit on kytketty suoraan different iaalivahvi st intrans i store iden emitter ielektrode i hi n.

8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen vahvistinlaite, tunnettu siitä, että toisen differentiaalivahvistintransistorin (ll+) kollektorielektrodiin on kytketty kapasitanssi (52) ennalta määrätyn taajuusominaiskäyrän aikaansaamiseksi vahvistimelle. ?. 10 60329 1. Äterkopplad, stabiliserad förstärkaranordning, som omfattar en första (12) och en andra (li) emitterkopplad transistor, som är kopplade tili en differentialförstärkare och vilkas huvudströmvägar ligger i parallella grenar av en förspänningsströmkällas strömkrets, en tili basen av den andra transistorn (12) kopplad ingängspunkt (10) och en tili nämnda differentialförstärkare lik-strömkopplad utgängspunkt (10) samt en första strömförstärkare (32), vars in-gängskrets är kopplad tili kollektorkretsen av den första transistorn (12) och vars utgängskrets är kopplad tili kollektorkretsen av den andra transistorn (li), kännetecknad därav, att anordningen omfattar en andra förspännings-strömkälla, som utgöres av en andra strömförstärkare (16), vars ingäng är kopplad över en resistor (12) tili förstärkanordningens utgängspunkt (10) och vars utgäng är kopplad tili huvudströmvägarna av den första och den andra transistorn (12, li) för att ästadkomma en negativ äterkoppling tili differentialförstärkaren.

3. Förstärkaranordning enligt patentkravet 2, kännetecknad därav, att den i kollektorelektroden av den första strömstyrningstransistorn (18) alstrade utgangsströmmen innehäller likströms- och signalpäverkade komponenter.