RU180087U1 - Полупроводниковый источник света - Google Patents

Полупроводниковый источник света Download PDF

Info

Publication number
RU180087U1
RU180087U1 RU2017125808U RU2017125808U RU180087U1 RU 180087 U1 RU180087 U1 RU 180087U1 RU 2017125808 U RU2017125808 U RU 2017125808U RU 2017125808 U RU2017125808 U RU 2017125808U RU 180087 U1 RU180087 U1 RU 180087U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
led
epoxy
compounds
silicone
interaction
Prior art date
Application number
RU2017125808U
Other languages
English (en)
Inventor
Виталий Сергеевич Лукаш
Сергей Владимирович Дениско
Римма Алексеевна Лощинина
Виктор Николаевич Козлов
Николай Николаевич Бакин
Михаил Александрович Лелеков
Original Assignee
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП") filed Critical Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП")
Priority to RU2017125808U priority Critical patent/RU180087U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU180087U1 publication Critical patent/RU180087U1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к светодиодной технике, к источникам света, предназначенным для локального освещения и для замены ламп накаливания в аппаратуре гражданского и специального назначения с малым диаметром цоколя (типа Е10/13 и др.). Лампочки с малым цоколем используются в аппаратуре для подсветки шкал электроприборов, в приборах сигнализации, в индикаторной аппаратуре, и других устройствах.Полупроводниковый источник света белого свечения изготовлен таким образом, что между силиконовым компаундом с люминофором, покрывающим светодиод, и эпоксидным компаундом, из которого изготовлен оптически прозрачный или диффузно рассеивающий световод, находится воздушная прослойка, предотвращающая взаимодействие между конструктивными компаундами. В такой конструкции лампы из-за отсутствия взаимодействия эпоксидного и силиконового компаундов как в процессе полимеризации эпоксидного компаунда, так и при повышении температуры работающей лампы не возникают механические напряжения в светодиоде, которые действовали бы на термокомпрессионные соединения кристалла с выводными площадками корпуса. Кроме того, воздушная прослойка замедляет процессы химического взаимодействия между эпоксидным и силиконовым компаундами, выражаемые в проникновении летучих органических веществ, приводящих к деградации силиконового компаунда с люминофором.

Description

Полезная модель относится к светодиодной технике, к источникам света, предназначенным для локального освещения и для замены ламп накаливания в аппаратуре гражданского и специального назначения с малым диаметром цоколя (типа E10/13 и др.). Лампочки с малым цоколем используются в аппаратуре для подсветки шкал электроприборов, в приборах сигнализации, в индикаторной аппаратуре, и других устройствах.
Известен миниатюрный полупроводниковый источник света, аналогичного назначения (патент №95182 от 10.06.2010 г.), выполненный в виде монолитной гибридной интегральной схемы, состоящей из стандартного лампового цоколя, теплопроводной керамической подложки, спаянной с теплоотводящим основанием, с размещенными на ней излучающими кристаллами и согласующими элементами, и световыводящей линзы, для центрального электрода цоколя. В центре керамической подложки выполнено отверстие, а световыводящая линза имеет куполообразную форму и изготовлена из материала, содержащего рассеивающие излучение вещества.
Наиболее близким по технической сути является полупроводниковый источник света (патент №109330 от 10.10.2011 г.), состоящий из стандартного лампового цоколя, световода из рассеивающего свет материала, двусторонней печатной платы, на внешней стороне которой размещен, по крайней мере, один светодиод, состоящий из параллельно-последовательно соединенных излучающих кристаллов, а на внутренней - стабилизатор тока и выпрямительный диодный мост. На периферии печатной платы выполнено полукруглое металлизированное отверстие для электрического соединения одного из выводов диодного моста с внутренней поверхностью цоколя.
Недостатками известного полупроводникового источника света являются его недостаточная надежность и долговечность, так как при больших механических напряжениях, возникающих при полимеризации эпоксидного компаунда и нагревании световода в процессе работы лампы при температуре p-n перехода более 90°C, происходит ускоренная деградация светового потока лампы более чем на 30%, а также проявляется химическая несовместимость эпоксидного и силиконового компаундов за счет проникновения летучих органических веществ в силиконовый компаунд.
Целью данного изобретения является увеличение надежности и долговечности источников света.
Новая техническая задача - создание полупроводникового источника света имеющего высокую надежность и долговечность.
В предлагаемом варианте конструкции лампы между силиконовым компаундом с люминофором, покрывающим светодиод, и эпоксидным компаундом, из которого изготовлен оптически прозрачный или диффузно рассеивающий световод, находится воздушная прослойка, предотвращающаяся взаимодействие между конструктивными компаундами. В такой конструкции лампы из-за отсутствия взаимодействия эпоксидного и силиконового компаундов как в процессе полимеризации эпоксидного компаунда, так и при повышении температуры работающей лампы не возникают механические напряжения в светодиоде, которые действовали бы на термокомпрессионные соединения кристалла с выводными площадками корпуса. Кроме того, воздушная прослойка замедляет процессы химического взаимодействия между эпоксидным и силиконовым компаундами, выражаемые в проникновении летучих органических веществ, приводящих к деградации силиконового компаунда с люминофором.
Этого можно добиться, например, сформировав на дне световода углубление, превосходящее в поперечном сечении используемый светодиод. При этом высота углубления может быть произвольной и зависит от технологии изготовления. Двусторонняя плата со светодиодом на одной стороне и стабилизатором тока на другой закрепляется в цоколе с помощью клея или герметика таким образом, чтобы световое окно светодиода выходило наружу и находилось в плоскости, проходящей через основание цоколя.
Светодиод, размещенный на двусторонней печатной плате, помещается в углубление световода, а сам световод закрепляется на печатной плате с помощью клея или герметика. Таким образом, создается зазор между эпоксидным и силиконовым компаундами.
Пример реализации такой конструкции (фигура 1).
С использованием цоколей B9s/14 и E10/13 диаметром 9 и 10 мм была изготовлена партия полупроводниковых источников света предлагаемой конструкции в количестве 100 шт. Светодиоды белого цвета (фирм REFOND, тип светодиода RF-WNFA50DS-FF) (2), содержащий три кристалла (сила света одного светодиода - 20000 мкд, световой поток одного кристалла 6,6 лм, ток на каждый кристалл - 20 мА) припаиваются к проводящим площадкам двусторонней платы таким образом, чтобы кристаллы были соединены последовательно. На другой стороне печатной платы монтируется известная схема стабилизации тока (4) с применением микросхемы LM317, ограничивающего ток резистора и диодного моста MB6S. Данная микросборка монтируется в цоколь (3) таким образом, чтобы схема стабилизации находилась внутри цоколя, а плоскость печатной платы со светодиодом находилась в плоскости, проходящей через основание цоколя. В таком положении микросборка распаивается: один из электрических выводов схемы через полукруглое металлизированное отверстие в печатной плате соединяется с внутренней поверхностью цоколя, а другой вывод электрической схемы через центральный металлический электрод с центральным электродом цоколя. Отдельно из эпоксидной смолы с использованием специальной заливочной формы изготавливаются световоды (1) с углублением в основании, превосходящим по габаритным размерам используемый светодиод. Светодиод помещается в отверстие световода, световод крепится на печатной плате с помощью эпоксидного клея (5).
В результате достигается прочность конструкции лампы и формируется световод диаметром 9 мм и высотой 10 мм. Рабочее напряжение полученных образцов составляет 28 В, рабочий ток - не более 25 мА.
Другой вариант конструкции источника света (фигура 2) заключается в формировании небольшого колпачка (2), например, из эпоксидного компаунда, которым накрывается светодиод и который приклеивается на печатную плату со светодиодом (5). В дальнейшем при формировании световода (1) стандартным образом этот колпачок и создает воздушную прослойку между эпоксидным и силиконовым компаундами.
В рамках данного предложения вместо светодиода может быть использован гибридно-интегральный модуль из параллельно-последовательно соединенных излучающих кристаллов.
Поскольку предлагаемый источник света имеет стандартный ламповый цоколь, то в находящемся в эксплуатации оборудовании легко заменить применяемые лампы накаливания предлагаемыми источниками света, работает источник аналогично лампам накаливания.
Световой поток изготовленных по такой конструкции источников света уменьшается со временем как представлено на фигуре 3, что говорит о большем сроке службы, нежели лампы изготовленные по конструкции прототипа (фигура 4).
Заявляемая конструкция оказалась более надежной, техническая задача - создание полупроводникового источника света, имеющего высокую надежность и долговечность, при использовании такой конструкции выполненной.

Claims (1)

  1. Полупроводниковый источник света белого свечения, отличающийся тем, что его световод изготовлен таким образом, что между силиконовым компаундом с люминофором, покрывающим светодиод, и эпоксидным компаундом, из которого изготовлен световод, на дне которого сформировано углубление, превосходящее в поперечном сечении используемый светодиод, внутри которого сформирована воздушная прослойка, предотвращающая взаимодействие между компаундами, при этом высота углубления не превосходит высоту световода.
RU2017125808U 2017-07-18 2017-07-18 Полупроводниковый источник света RU180087U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017125808U RU180087U1 (ru) 2017-07-18 2017-07-18 Полупроводниковый источник света

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017125808U RU180087U1 (ru) 2017-07-18 2017-07-18 Полупроводниковый источник света

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU180087U1 true RU180087U1 (ru) 2018-06-04

Family

ID=62561029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017125808U RU180087U1 (ru) 2017-07-18 2017-07-18 Полупроводниковый источник света

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU180087U1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU86795U1 (ru) * 2009-04-30 2009-09-10 Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение Российские системы автоматики и телемеханики" Светоизлучающий диод
RU144224U1 (ru) * 2013-11-26 2014-08-10 Общество С Ограниченной Ответственностью "Инфолед" Сверхмощный светодиодный прожектор
RU151491U1 (ru) * 2014-04-07 2015-04-10 Открытое Акционерное Общество "Государственный завод "Пульсар" Светодиодный прожектор с регулируемой ксс (варианты)
RU2584000C2 (ru) * 2014-09-11 2016-05-20 Акционерное общество "Государственный завод "Пульсар" Светодиодная лампа

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU86795U1 (ru) * 2009-04-30 2009-09-10 Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение Российские системы автоматики и телемеханики" Светоизлучающий диод
RU144224U1 (ru) * 2013-11-26 2014-08-10 Общество С Ограниченной Ответственностью "Инфолед" Сверхмощный светодиодный прожектор
RU151491U1 (ru) * 2014-04-07 2015-04-10 Открытое Акционерное Общество "Государственный завод "Пульсар" Светодиодный прожектор с регулируемой ксс (варианты)
RU2584000C2 (ru) * 2014-09-11 2016-05-20 Акционерное общество "Государственный завод "Пульсар" Светодиодная лампа

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8242531B2 (en) Light emitting diode package
US20120075858A1 (en) Led bulb
US9416924B2 (en) Light emission module
JP2012248687A (ja) 発光モジュール及び照明装置
KR20110014514A (ko) 램프
US11677057B2 (en) Light emitting device, light emitting module, and illuminating apparatus
JP2013196900A (ja) 照明装置およびその製造方法
EP2679895A1 (en) Light-emitting module and luminaire
KR20130022606A (ko) 조명 장치
TWI429843B (zh) 光學半導體式照明裝置
US20130039064A1 (en) Light emitting diode bulb
RU180087U1 (ru) Полупроводниковый источник света
JP2016072263A (ja) 発光モジュールおよび照明装置
RU2013148612A (ru) Светодиодный светильник со светодиодом в качестве средства свечения и с абажуром из стекла или пластмассы
KR101241249B1 (ko) 조명 장치
JP2013004890A (ja) Ledランプ
JP2016162693A (ja) 照明装置
EP3141795A1 (en) Monolithic base of led lighting module and lamp having the same
JP2007266445A (ja) 発光装置およびそれを用いた照明装置
JP6188602B2 (ja) 照明モジュール
JP2013135226A (ja) 発光ダイオード
KR100558081B1 (ko) 고출력 백색 발광 다이오드를 이용한 전구
CN209355071U (zh) 一种路灯灯板
KR101800376B1 (ko) 조명 장치
KR102127448B1 (ko) 발광 소자 패키지