RU180087U1 - Полупроводниковый источник света - Google Patents
Полупроводниковый источник света Download PDFInfo
- Publication number
- RU180087U1 RU180087U1 RU2017125808U RU2017125808U RU180087U1 RU 180087 U1 RU180087 U1 RU 180087U1 RU 2017125808 U RU2017125808 U RU 2017125808U RU 2017125808 U RU2017125808 U RU 2017125808U RU 180087 U1 RU180087 U1 RU 180087U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- led
- epoxy
- compounds
- silicone
- interaction
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к светодиодной технике, к источникам света, предназначенным для локального освещения и для замены ламп накаливания в аппаратуре гражданского и специального назначения с малым диаметром цоколя (типа Е10/13 и др.). Лампочки с малым цоколем используются в аппаратуре для подсветки шкал электроприборов, в приборах сигнализации, в индикаторной аппаратуре, и других устройствах.Полупроводниковый источник света белого свечения изготовлен таким образом, что между силиконовым компаундом с люминофором, покрывающим светодиод, и эпоксидным компаундом, из которого изготовлен оптически прозрачный или диффузно рассеивающий световод, находится воздушная прослойка, предотвращающая взаимодействие между конструктивными компаундами. В такой конструкции лампы из-за отсутствия взаимодействия эпоксидного и силиконового компаундов как в процессе полимеризации эпоксидного компаунда, так и при повышении температуры работающей лампы не возникают механические напряжения в светодиоде, которые действовали бы на термокомпрессионные соединения кристалла с выводными площадками корпуса. Кроме того, воздушная прослойка замедляет процессы химического взаимодействия между эпоксидным и силиконовым компаундами, выражаемые в проникновении летучих органических веществ, приводящих к деградации силиконового компаунда с люминофором.
Description
Полезная модель относится к светодиодной технике, к источникам света, предназначенным для локального освещения и для замены ламп накаливания в аппаратуре гражданского и специального назначения с малым диаметром цоколя (типа E10/13 и др.). Лампочки с малым цоколем используются в аппаратуре для подсветки шкал электроприборов, в приборах сигнализации, в индикаторной аппаратуре, и других устройствах.
Известен миниатюрный полупроводниковый источник света, аналогичного назначения (патент №95182 от 10.06.2010 г.), выполненный в виде монолитной гибридной интегральной схемы, состоящей из стандартного лампового цоколя, теплопроводной керамической подложки, спаянной с теплоотводящим основанием, с размещенными на ней излучающими кристаллами и согласующими элементами, и световыводящей линзы, для центрального электрода цоколя. В центре керамической подложки выполнено отверстие, а световыводящая линза имеет куполообразную форму и изготовлена из материала, содержащего рассеивающие излучение вещества.
Наиболее близким по технической сути является полупроводниковый источник света (патент №109330 от 10.10.2011 г.), состоящий из стандартного лампового цоколя, световода из рассеивающего свет материала, двусторонней печатной платы, на внешней стороне которой размещен, по крайней мере, один светодиод, состоящий из параллельно-последовательно соединенных излучающих кристаллов, а на внутренней - стабилизатор тока и выпрямительный диодный мост. На периферии печатной платы выполнено полукруглое металлизированное отверстие для электрического соединения одного из выводов диодного моста с внутренней поверхностью цоколя.
Недостатками известного полупроводникового источника света являются его недостаточная надежность и долговечность, так как при больших механических напряжениях, возникающих при полимеризации эпоксидного компаунда и нагревании световода в процессе работы лампы при температуре p-n перехода более 90°C, происходит ускоренная деградация светового потока лампы более чем на 30%, а также проявляется химическая несовместимость эпоксидного и силиконового компаундов за счет проникновения летучих органических веществ в силиконовый компаунд.
Целью данного изобретения является увеличение надежности и долговечности источников света.
Новая техническая задача - создание полупроводникового источника света имеющего высокую надежность и долговечность.
В предлагаемом варианте конструкции лампы между силиконовым компаундом с люминофором, покрывающим светодиод, и эпоксидным компаундом, из которого изготовлен оптически прозрачный или диффузно рассеивающий световод, находится воздушная прослойка, предотвращающаяся взаимодействие между конструктивными компаундами. В такой конструкции лампы из-за отсутствия взаимодействия эпоксидного и силиконового компаундов как в процессе полимеризации эпоксидного компаунда, так и при повышении температуры работающей лампы не возникают механические напряжения в светодиоде, которые действовали бы на термокомпрессионные соединения кристалла с выводными площадками корпуса. Кроме того, воздушная прослойка замедляет процессы химического взаимодействия между эпоксидным и силиконовым компаундами, выражаемые в проникновении летучих органических веществ, приводящих к деградации силиконового компаунда с люминофором.
Этого можно добиться, например, сформировав на дне световода углубление, превосходящее в поперечном сечении используемый светодиод. При этом высота углубления может быть произвольной и зависит от технологии изготовления. Двусторонняя плата со светодиодом на одной стороне и стабилизатором тока на другой закрепляется в цоколе с помощью клея или герметика таким образом, чтобы световое окно светодиода выходило наружу и находилось в плоскости, проходящей через основание цоколя.
Светодиод, размещенный на двусторонней печатной плате, помещается в углубление световода, а сам световод закрепляется на печатной плате с помощью клея или герметика. Таким образом, создается зазор между эпоксидным и силиконовым компаундами.
Пример реализации такой конструкции (фигура 1).
С использованием цоколей B9s/14 и E10/13 диаметром 9 и 10 мм была изготовлена партия полупроводниковых источников света предлагаемой конструкции в количестве 100 шт. Светодиоды белого цвета (фирм REFOND, тип светодиода RF-WNFA50DS-FF) (2), содержащий три кристалла (сила света одного светодиода - 20000 мкд, световой поток одного кристалла 6,6 лм, ток на каждый кристалл - 20 мА) припаиваются к проводящим площадкам двусторонней платы таким образом, чтобы кристаллы были соединены последовательно. На другой стороне печатной платы монтируется известная схема стабилизации тока (4) с применением микросхемы LM317, ограничивающего ток резистора и диодного моста MB6S. Данная микросборка монтируется в цоколь (3) таким образом, чтобы схема стабилизации находилась внутри цоколя, а плоскость печатной платы со светодиодом находилась в плоскости, проходящей через основание цоколя. В таком положении микросборка распаивается: один из электрических выводов схемы через полукруглое металлизированное отверстие в печатной плате соединяется с внутренней поверхностью цоколя, а другой вывод электрической схемы через центральный металлический электрод с центральным электродом цоколя. Отдельно из эпоксидной смолы с использованием специальной заливочной формы изготавливаются световоды (1) с углублением в основании, превосходящим по габаритным размерам используемый светодиод. Светодиод помещается в отверстие световода, световод крепится на печатной плате с помощью эпоксидного клея (5).
В результате достигается прочность конструкции лампы и формируется световод диаметром 9 мм и высотой 10 мм. Рабочее напряжение полученных образцов составляет 28 В, рабочий ток - не более 25 мА.
Другой вариант конструкции источника света (фигура 2) заключается в формировании небольшого колпачка (2), например, из эпоксидного компаунда, которым накрывается светодиод и который приклеивается на печатную плату со светодиодом (5). В дальнейшем при формировании световода (1) стандартным образом этот колпачок и создает воздушную прослойку между эпоксидным и силиконовым компаундами.
В рамках данного предложения вместо светодиода может быть использован гибридно-интегральный модуль из параллельно-последовательно соединенных излучающих кристаллов.
Поскольку предлагаемый источник света имеет стандартный ламповый цоколь, то в находящемся в эксплуатации оборудовании легко заменить применяемые лампы накаливания предлагаемыми источниками света, работает источник аналогично лампам накаливания.
Световой поток изготовленных по такой конструкции источников света уменьшается со временем как представлено на фигуре 3, что говорит о большем сроке службы, нежели лампы изготовленные по конструкции прототипа (фигура 4).
Заявляемая конструкция оказалась более надежной, техническая задача - создание полупроводникового источника света, имеющего высокую надежность и долговечность, при использовании такой конструкции выполненной.
Claims (1)
- Полупроводниковый источник света белого свечения, отличающийся тем, что его световод изготовлен таким образом, что между силиконовым компаундом с люминофором, покрывающим светодиод, и эпоксидным компаундом, из которого изготовлен световод, на дне которого сформировано углубление, превосходящее в поперечном сечении используемый светодиод, внутри которого сформирована воздушная прослойка, предотвращающая взаимодействие между компаундами, при этом высота углубления не превосходит высоту световода.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017125808U RU180087U1 (ru) | 2017-07-18 | 2017-07-18 | Полупроводниковый источник света |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017125808U RU180087U1 (ru) | 2017-07-18 | 2017-07-18 | Полупроводниковый источник света |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU180087U1 true RU180087U1 (ru) | 2018-06-04 |
Family
ID=62561029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017125808U RU180087U1 (ru) | 2017-07-18 | 2017-07-18 | Полупроводниковый источник света |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU180087U1 (ru) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU86795U1 (ru) * | 2009-04-30 | 2009-09-10 | Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение Российские системы автоматики и телемеханики" | Светоизлучающий диод |
RU144224U1 (ru) * | 2013-11-26 | 2014-08-10 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Инфолед" | Сверхмощный светодиодный прожектор |
RU151491U1 (ru) * | 2014-04-07 | 2015-04-10 | Открытое Акционерное Общество "Государственный завод "Пульсар" | Светодиодный прожектор с регулируемой ксс (варианты) |
RU2584000C2 (ru) * | 2014-09-11 | 2016-05-20 | Акционерное общество "Государственный завод "Пульсар" | Светодиодная лампа |
-
2017
- 2017-07-18 RU RU2017125808U patent/RU180087U1/ru active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU86795U1 (ru) * | 2009-04-30 | 2009-09-10 | Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение Российские системы автоматики и телемеханики" | Светоизлучающий диод |
RU144224U1 (ru) * | 2013-11-26 | 2014-08-10 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Инфолед" | Сверхмощный светодиодный прожектор |
RU151491U1 (ru) * | 2014-04-07 | 2015-04-10 | Открытое Акционерное Общество "Государственный завод "Пульсар" | Светодиодный прожектор с регулируемой ксс (варианты) |
RU2584000C2 (ru) * | 2014-09-11 | 2016-05-20 | Акционерное общество "Государственный завод "Пульсар" | Светодиодная лампа |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8242531B2 (en) | Light emitting diode package | |
US20120075858A1 (en) | Led bulb | |
US9416924B2 (en) | Light emission module | |
JP2012248687A (ja) | 発光モジュール及び照明装置 | |
KR20110014514A (ko) | 램프 | |
US11677057B2 (en) | Light emitting device, light emitting module, and illuminating apparatus | |
JP2013196900A (ja) | 照明装置およびその製造方法 | |
EP2679895A1 (en) | Light-emitting module and luminaire | |
KR20130022606A (ko) | 조명 장치 | |
TWI429843B (zh) | 光學半導體式照明裝置 | |
US20130039064A1 (en) | Light emitting diode bulb | |
RU180087U1 (ru) | Полупроводниковый источник света | |
JP2016072263A (ja) | 発光モジュールおよび照明装置 | |
RU2013148612A (ru) | Светодиодный светильник со светодиодом в качестве средства свечения и с абажуром из стекла или пластмассы | |
KR101241249B1 (ko) | 조명 장치 | |
JP2013004890A (ja) | Ledランプ | |
JP2016162693A (ja) | 照明装置 | |
EP3141795A1 (en) | Monolithic base of led lighting module and lamp having the same | |
JP2007266445A (ja) | 発光装置およびそれを用いた照明装置 | |
JP6188602B2 (ja) | 照明モジュール | |
JP2013135226A (ja) | 発光ダイオード | |
KR100558081B1 (ko) | 고출력 백색 발광 다이오드를 이용한 전구 | |
CN209355071U (zh) | 一种路灯灯板 | |
KR101800376B1 (ko) | 조명 장치 | |
KR102127448B1 (ko) | 발광 소자 패키지 |